铝垫的形成方法以及包含铝垫的器件技术

本申请公开了一种铝垫的形成方法以及包含铝垫的器件，该方法包括：在第一介质层上形成第二介质层；通过光刻工艺刻蚀去除目标金属互连线上的第二介质层，形成沟槽；在第二介质层和沟槽表面形成铝金属层，沟槽内的铝金属层形成凹陷；在铝金属层表面形成硬掩模层；在硬掩模层上涂布光阻层；刻蚀去除沟槽外的光阻层，使沟槽外的硬掩模层暴露；刻蚀去除沟槽外的硬掩模层，使沟槽外的铝金属层暴露；刻蚀去除沟槽外的铝金属层和沟槽内的光阻层，使第二介质层暴露且剩余的硬掩模层在凹陷的内壁形成筒状的硬掩模垫片结构。由于本实施例提供的方法中仅通过一次光刻工艺进行刻蚀，降低了制造工艺的复杂度，在一定程度上降低了制造成本。

Forming method of aluminum pad and device including aluminum pad

【技术实现步骤摘要】
铝垫的形成方法以及包含铝垫的器件
本申请涉及集成电路制造
，具体涉及一种铝垫的形成方法以及具有铝垫的器件。
技术介绍
在集成电路制造领域，芯片通常需要制作铝制垫片(以下简称“铝垫”)，用于后端测试时作为探针卡连接的测试端和芯片封装引脚的焊接点。因此铝垫对于芯片产品测试时的信号传送和使用都起着重要的作用。图1至图4示出了相关技术中提供的铝垫的形成方法，包括：步骤S1，如图1所示，第一介质层110中形成有第一层金属互连线111和第二层金属互连线121、122，第一层金属互连线111和第二层金属互连线122之间形成有接触孔1101、1102。步骤S2，如图2所示，在第一介质层110上形成第二介质层120后，通过光刻工艺刻蚀去除第二层金属互连线122上的第二介质层，形成沟槽101。步骤S3，如图3所示，在第二介质层120和沟槽101的上形成铝金属层130。步骤S4，如图4所示，通过光刻工艺和刻蚀工艺对去除第二介质层120上的铝金属层，剩余的铝金属层形成高于第二介质层120的铝垫(如图4中虚线所示)。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铝垫的形成方法，其特征在于，包括：/n在第一介质层上形成第二介质层，所述第一介质层中形成有第一层金属互连线和第二层金属互连线，所述第一层金属互连线位于所述第二层金属互连线的下方，所述第一层金属互连线和所述第二层金属互连线之间形成有接触孔；/n通过光刻工艺刻蚀去除所述第二层金属互连线中的目标金属互连线上的第二介质层，形成沟槽，使所述目标金属互连线暴露；/n在所述第二介质层和所述沟槽表面形成铝金属层，所述沟槽内的铝金属层形成凹陷；/n在所述铝金属层表面形成硬掩模层；/n在所述硬掩模层上涂布光阻层；/n刻蚀去除所述沟槽外的光阻层，使所述沟槽外的硬掩模层暴露；/n刻蚀去除所述沟槽外的硬掩模层，...

【技术特征摘要】
1.一种铝垫的形成方法，其特征在于，包括：
在第一介质层上形成第二介质层，所述第一介质层中形成有第一层金属互连线和第二层金属互连线，所述第一层金属互连线位于所述第二层金属互连线的下方，所述第一层金属互连线和所述第二层金属互连线之间形成有接触孔；
通过光刻工艺刻蚀去除所述第二层金属互连线中的目标金属互连线上的第二介质层，形成沟槽，使所述目标金属互连线暴露；
在所述第二介质层和所述沟槽表面形成铝金属层，所述沟槽内的铝金属层形成凹陷；
在所述铝金属层表面形成硬掩模层；
在所述硬掩模层上涂布光阻层；
刻蚀去除所述沟槽外的光阻层，使所述沟槽外的硬掩模层暴露；
刻蚀去除所述沟槽外的硬掩模层，使所述沟槽外的铝金属层暴露；
刻蚀去除所述沟槽外的铝金属层和所述沟槽内的光阻层，使所述第二介质层暴露且剩余的硬掩模层在所述凹陷的内壁形成筒状的硬掩模垫片结构，所述硬掩模垫片结构高于所述第二介质层的上表面。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩模层包括二氧化硅。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀去除所述沟槽外的硬掩模层，包括：
通过干法刻蚀工艺去除所述沟槽外的硬掩模层。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述沟槽的侧壁与所述第一介质层的表面所在的平面的夹角为45度至70度。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述通过干法刻蚀工艺去除所述沟槽外的硬掩模层，包括：
通过45度至70度的入射角度对所述沟槽外的硬掩模层进行干法刻蚀。


6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述刻蚀去除所述沟槽内的光阻层，包括：
通过干式灰化方法去除所述沟槽内的光阻层。


7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述通过干式灰化方法去除所述沟槽内的光阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭振强，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32