【技术实现步骤摘要】
一种埋入式转接板及其封装结构的制造方法
本专利技术涉及半导体制造及封装
具体而言,本专利技术涉及一种埋入式转接板及其封装结构的制造方法。
技术介绍
随着电子产品小型化、集成化、智能化的发展,IC芯片的复杂度在大幅增加,对应的IO引脚的数量也大幅提升。嵌入式多芯片互联桥接通过在基板局部埋入转接板来实现芯片到芯片之间的互联通信,在局部实现高密度的互联(500-1000I/O/mm),从而实现局部带宽增强。图1A至图1D示出现有的基板局部埋入转接板的工艺过程的截面示意图。如图1A所示,转接板埋入,上层压合介质层;如图1B所示,介质层开孔至转接板表面接触金属焊盘,一般为激光开孔或者光刻方式;如图1C所示,孔金属化,形成焊盘;如图1D所示,芯片与基板贴合。如图1A至图1D所示,在转接板埋入基板后,先在转接板上压合介质层并在介质层上开盲孔至转接板表面接触焊盘,后通过镀金属晶种层和电镀金属来实现孔的金属化和电信号的引出。其中,介质层上开孔可以是通过激光钻孔(激光蚀刻)或者光刻工艺(掩模和蚀刻)。由于需求较高 ...
【技术保护点】
1.一种埋入式转接板,包括:/n设置在转接板内部的一层或多层再布线层;/n设置在转接板表面的金属焊盘;以及/n设置在金属焊盘上的凸起结构,其中所述凸起结构用于与外接芯片进行互连。/n
【技术特征摘要】
1.一种埋入式转接板,包括:
设置在转接板内部的一层或多层再布线层;
设置在转接板表面的金属焊盘;以及
设置在金属焊盘上的凸起结构,其中所述凸起结构用于与外接芯片进行互连。
2.如权利要求1所述的埋入式转接板,其特征在于,还包括开孔介质层,所述开孔介质层的厚度小于所述凸起结构的高度,所述开孔介质层中具有与所述凸起结构对应的通孔,所述开孔介质层与所述转接板对贴,使得所述凸起结构穿过所述开孔介质层内的通孔并从开孔介质层的顶面凸出出来。
3.如权利要求2所述的埋入式转接板,其特征在于,所述开孔介质层内的通孔的截面面积大于所述凸起结构的截面面积,所述开孔介质层内的通孔的间距与所述凸起结构的间距相等。
4.如权利要求2所述的埋入式转接板,其特征在于,还包括填充介质层,所述填充介质层填充所述开孔介质层内的通孔与凸起结构之间的间隙。
5.一种埋入式转接板的封装结构的制造方法,包括:
在转接板的表面焊盘上形成凸起结构;
制作开孔介质层,所述开孔介质层的厚度小于所述凸起结构的高度,所述开孔介质层中具有与所述凸起结构对应的通孔;
将所述开孔介质层与所述转接板对贴,使得所述凸起结构穿过所述开孔介质层内的通孔并从开孔介质层的顶面凸出出来;
填充所述开孔介质层内...
【专利技术属性】
技术研发人员:丁才华,曹立强,
申请(专利权)人:上海先方半导体有限公司,华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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