一种高硅铝合金转接板及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高硅铝合金转接板及其制备方法，该转接板包括基板、连接柱阵列以及填充在所述连接柱阵列与所述基板的缝隙中的绝缘介质层，所述连接柱阵列为由所述基板通过激光垂直通孔技术加工而成的，所述基板和所述连接柱阵列为高硅铝合金，所述绝缘介质层为玻璃介质，所述连接柱阵列的连接柱与所述绝缘介质层同轴，所述连接柱、所述玻璃介质与所述基板具有同样的高度。采用本发明专利技术提供的方法制备的转接板结合界面牢固、可靠、气密性好，由于盲孔中心连接柱本身具备导电性，可直接用于电气互联，可省去通孔金属化过程，简化了转接板制备工艺流程，降低了转接板制备的时间和成本。

A high silicon aluminum alloy adapter plate and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种高硅铝合金转接板及其制备方法
本专利技术属于微电子封装
，尤其涉及一种高硅铝合金转接板及其制备方法。
技术介绍
随着技术升级，电子产品不断向高性能、小型化发展，电子封装的互联密度越来越大、尺寸越来越小，微组装技术已经由二维向三维发展。目前业界的前沿封装技术包括以晶圆级封装(WLCSP)和载板级封装(PLP)为代表的2.1D封装，以转接板技术为核心的2.5D封装，以及基于三维硅通孔(3DTSV)工艺在Z方向上进行芯片堆叠的3D封装。目前，由于3DTSV封装工艺在设计、量产、测试及供应链等方面还不成熟，而且工艺成本较高，2.5D封装是3DTSV技术成熟之前既经济又实用的封装方案。转接板是2.5D微组装技术的核心。基于转接板可同时实现多芯片、多模块在同一转接板上，以及转接板与基板之间的异质互联，进而形成高密度、高速、功能集成、高可靠的综合电子系统。现有的有机基体转接板与芯片之间存在热膨胀系数不匹配，翘曲变形大等问题，难以实现高可靠、高密度互联。而采用玻璃基体制备转接板，存在通孔加工速率低、成本高等问题，常用的DRIE方法刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高硅铝合金转接板，其特征在于，包括基板、连接柱阵列以及填充在所述连接柱阵列与所述基板的缝隙中的绝缘介质层，所述连接柱阵列为由所述基板通过激光垂直通孔技术加工而成的，所述基板和所述连接柱阵列为高硅铝合金，所述绝缘介质层为玻璃介质，所述连接柱阵列的连接柱与所述绝缘介质层同轴，所述连接柱、所述玻璃介质与所述基板具有同样的高度。/n

【技术特征摘要】
1.一种高硅铝合金转接板，其特征在于，包括基板、连接柱阵列以及填充在所述连接柱阵列与所述基板的缝隙中的绝缘介质层，所述连接柱阵列为由所述基板通过激光垂直通孔技术加工而成的，所述基板和所述连接柱阵列为高硅铝合金，所述绝缘介质层为玻璃介质，所述连接柱阵列的连接柱与所述绝缘介质层同轴，所述连接柱、所述玻璃介质与所述基板具有同样的高度。


2.根据权利要求1所述的高硅铝合金转接板，其特征在于，所述连接柱的直径为50～250μm，所述连接柱的中心距为300～600μm。


3.根据权利要求2所述的高硅铝合金转接板，其特征在于，所述绝缘介质层的宽度为80～500μm。


4.一种高硅铝合金转接板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：利用激光垂直通孔技术在高硅铝合金基板上制备同轴连接柱盲孔阵列；
S2：在所述同轴连接柱盲孔阵列的盲孔缝隙中填充低温玻璃粉料或浆料；
S3：采用玻璃烧结技术使高硅铝合金基板与玻璃粉料或浆料之间键合；
S4：磨抛减薄所述步骤S3处理后的高硅铝合金基板的上下表面。


5.根据权利要求4所述的高硅铝合金转接板的制备方法，其特征在于，所述同轴连接柱盲孔阵列中的连接柱的直径为50～250μm，所述连接柱的中心距为300～600μm。


6.根据权利要求5所述的高硅铝合金转接板的制备方法，其特征在于，所述盲孔缝隙的宽度为80～500μm，所述同轴连接柱盲孔阵列的盲孔深度为500～800mm。


7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：高求，曹向荣，王立春，陈靖，赵涌，吴伟伟，罗燕，周义，
申请(专利权)人：上海航天电子通讯设备研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31