产生光掩模图案的方法及系统技术方案

本发明专利技术实施例提供一种产生光掩模图案的方法及系统。所述系统获得设计布局图像，且基于热点检测模型产生对应于所述设计布局图像的热点图像。所述系统基于所述热点图像产生两个光掩模图案。所述至少两个光掩模图案经转印到半导体衬底上。

The method and system of generating photomask pattern

【技术实现步骤摘要】
产生光掩模图案的方法及系统
本专利技术实施例涉及产生光掩模图案的方法及系统。
技术介绍
在常规半导体制造工艺中，在半导体装置的制造期间使用光掩模。由于光掩模设计的复杂性，热点出现且可损坏半导体装置。可损坏半导体装置的一些热点在光掩模的制造期间可易于观测，而可损坏半导体装置的其它潜在热点在光掩模的制造期间可不易于观测。
技术实现思路
本专利技术的实施例涉及一种方法，其包括：获得设计布局图像；基于热点检测模型产生对应于所述设计布局图像的热点图像，其中所述热点图像包括至少两个相邻热点对象；基于所述热点图像产生至少两个光掩模图案，其中所述至少两个光掩模图案分别包括所述至少两个相邻热点对象；在半导体衬底上方形成第一光致抗蚀剂层；经由第一光掩模将所述第一光致抗蚀剂层暴露于光化辐射；去除所述第一光致抗蚀剂层的一部分，由此形成第一图案化光致抗蚀剂层，其中所述第一光掩模包含所述至少两个光掩模图案中的一者；通过所述第一图案化光致抗蚀剂层形成第一图案化半导体衬底；在所述第一图案化半导体衬底上方形成第二光致抗蚀剂层；经由第二光掩模将所述第二光致抗蚀剂层暴露于光化辐射；去除所述第二光致抗蚀剂层的一部分，由此形成第二图案化光致抗蚀剂层，其中所述第二光掩模包含所述至少两个光掩模图案中的另一者；及通过所述第二图案化光致抗蚀剂层形成第二图案化半导体衬底。本专利技术的实施例涉及一种方法，其包括：从数据库检索设计布局图像；将所述设计布局图像的第一格式变换成第二格式；将热点检测模型应用于所述设计布局图像以产生热点图像；基于所述热点图像产生至少两个光掩模图案，其中所述至少两个光掩模图案中的一者包括第一对象且所述至少两个光掩模图案中的另一者包括第二对象；根据所述至少两个光掩模图案制造至少两个光掩模。本专利技术的实施例涉及一种系统，其包括：存储单元，其经配置以存储热点检测模型；及处理器，其电连接到所述存储单元，且经配置以：获得设计布局图像；将所述设计布局图像输入到所述热点检测模型以用于输出包括第一对象及第二对象的图像，其中所述第一对象与所述第二对象之间的第一间距小于阈值；及基于所述图像的所述第一对象及所述第二对象产生第一光掩模图案及第二光掩模图案，其中所述第一光掩模图案包括所述第一对象且所述第二光掩模图案包括所述第二对象。附图说明当结合附图阅读时，从以下实施方式最优选地理解本揭露的方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。事实上，可出于论述清楚起见而任意地增大或减小各种特征的尺寸。图1A为根据本专利技术的一些实施例的系统的框图。图1B为根据本专利技术的一些实施例的说明相关图像及掩模图案的示意图。图1C为根据本专利技术的一些实施例的将光掩模图案转印到半导体衬底的示意图。图2A为根据本专利技术的一些实施例的系统的框图。图2B为根据本专利技术的一些实施例的说明在图像之间的格式转换的示意图。图2C为根据本专利技术的一些实施例的说明在图像之间的转换的示意图。图2D为根据本专利技术的一些实施例的说明具有呈位映射格式的热点对象的热点图像的示意图。图2E为根据本专利技术的一些实施例的说明热点对象到原始设计布局图像的映射的示意图。图2F为根据本专利技术的一些实施例的说明光掩模图案的产生的示意图。图2G为根据本专利技术的一些实施例的将光掩模图案转印到半导体衬底的示意图。图3A为根据本专利技术的一些实施例的系统的框图。图3B为根据本专利技术的一些实施例的说明与建立热点检测模型相关的图像的示意图。图3C到3E为根据本专利技术的一些实施例的说明图像之间的转换及处理的示意图。图3F为根据本专利技术的一些实施例的说明具有呈位映射格式的热点对象的热点图像的示意图。图3G为根据本专利技术的一些实施例的说明热点对象到原始设计布局图像的映射的示意图。图3H为根据本专利技术的一些实施例的说明光掩模图案的产生的示意图。图3I为根据本专利技术的一些实施例的说明光掩模图案的光学近接校正的示意图。图3J为根据本专利技术的一些实施例的通过光掩模图案制造光掩模的示意图。图3K到3U为根据本专利技术的一些实施例的将光掩模的光掩模图案转印到半导体衬底的示意图。图4A到4C为根据本专利技术的一些实施例的流程图。图5A到5C为根据本专利技术的一些实施例的流程图。图6为根据本专利技术的一些实施例的流程图。图7A到7B为根据本专利技术的一些实施例的流程图。具体实施方式以下揭露内容提供用于实施所提供的主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，此些组件及布置仅为实例且不打算为限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或上的形成可包含第一特征及第二特征直接接触地形成的实施例，且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成使得第一特征及第二特征可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各种实例中重复附图标号及/或字母。此重复为出于简单及清楚的目的且自身并不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。在下文更详细地论述本专利技术的实施例。然而，应了解，本揭露提供可在广泛多种特定上下文中体现的许多适用的专利技术性概念。所论述的特定实施例仅为说明性的且并不限制本揭露的范围。此外，为便于描述，本文可使用例如“在……之下”、“下方”、“下部”、“在……之上”、“上部”、“下部”、“左侧”、“右侧”及其类似者的空间相对术语以描述如图式中所说明的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除图式中所描绘的定向以外，空间相对术语打算涵盖装置在使用或操作中的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词可同样相应地进行解译。应理解，当将元件称为“连接”或“耦合”到另一元件时，其可直接连接或耦合到另一元件，或可存在介入元件。图1A到1C说明本专利技术的一些实施例。图1A为一些实施例的用于产生光掩模图案的系统1的框图。图1B为说明一些实施例的相关图像及光掩模图案的示意图。图1C为一些实施例的将光掩模图案转印到半导体衬底的示意图。系统1包含存储单元11及处理器13。在本专利技术实施例中，存储单元11存储热点检测模型110，所述热点检测模型可包含训练模型。存储单元11及处理器13电连接(例如，经由总线电连接)，且下文进一步描述其间的相互作用。如图1A到1C中所展示，系统1的处理器13获得集成电路(未展示)的设计布局图像92。系统1的处理器13通过热点检测模型110产生对应于设计布局图像92的热点图像130。在一些实施例中，系统1的处理器13将设计布局图像92输入到热点检测模型110中以用于输出热点图像130。在一些实施例中，设计布局图像92及热点图像130可由计算机数据构成，所述计算机数据可经由适合的软件以人类可读的图像形式解释及显示。在一些实施例中，热点图像130包含至少两个相邻热点对象130A及130B。当热点对象130A与热点对象130B之间的间距SP1小于阈值时，热点对象130A及130B可通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n获得设计布局图像；/n基于热点检测模型产生对应于所述设计布局图像的热点图像，其中所述热点图像包括至少两个相邻热点对象；/n基于所述热点图像产生至少两个光掩模图案，其中所述至少两个光掩模图案分别包括所述至少两个相邻热点对象；/n在半导体衬底上方形成第一光致抗蚀剂层；/n经由第一光掩模将所述第一光致抗蚀剂层暴露于光化辐射；/n去除所述第一光致抗蚀剂层的一部分，由此形成第一图案化光致抗蚀剂层，其中所述第一光掩模包含所述至少两个光掩模图案中的一者；/n通过所述第一图案化光致抗蚀剂层形成第一图案化半导体衬底；/n在所述第一图案化半导体衬底上方形成第二光致抗蚀剂层；/n经由第二光掩模将所述第二光致抗蚀剂层暴露于光化辐射；/n去除所述第二光致抗蚀剂层的一部分，由此形成第二图案化光致抗蚀剂层，其中所述第二光掩模包含所述至少两个光掩模图案中的另一者；及/n通过所述第二图案化光致抗蚀剂层形成第二图案化半导体衬底。/n

【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,438;20190606 US 16/433,4921.一种方法，其包括：
获得设计布局图像；
基于热点检测模型产生对应于所述设计布局图像的热点图像，其中所述热点图像包括至少两个相邻热点对象；
基于所述热点图像产生至少两个光掩模图案，其中所述至少两个光掩模图案分别包括所述至少两个相邻热点对象；
在半导体衬底上方形成第一光致抗蚀剂层；
经由第一光掩模将所述第一光致抗蚀剂层暴露于光化辐射；
去除所述第一光致抗蚀剂层的一部分，由此形成第一图案化光致抗蚀剂层，其中所述第一光掩模包含所述至少两个光掩模图案中的一者；
通过所述第一图案化光致抗蚀剂层形成第一图案化半导体衬底；
在所述第一图案化半导体衬底上方形成第二光致抗蚀剂层；
经由第二光掩模将所述第二光致抗蚀剂层暴露于光化辐射；
去除所述第二光致抗蚀剂层的一部分，由此形成第二图案化光致抗蚀剂层，其中所述第二光掩模包含所述至少两个光掩模图案中的另一者；及
通过所述第二图案化光致抗蚀剂层形成第二图案化半导体衬底。


2.根据权利要求1所述的方法，其中获得所述设计布局图像进一步包括：
检索原始设计布局图像；及
将呈第一格式的所述原始设计布局图像转换成呈不同于所述第一格式的第二格式的所述设计布局图像，
其中所述热点图像以所述第二格式产生。


3.根据权利要求2所述的方法，其中产生所述至少两个光掩模图案进一步包括：
基于所述热点图像的所述至少两个相邻热点对象为所述原始设计布局图像产生所述至少两个光掩模图案。


4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：
处理所述设计布局图像以用于导出剪辑图像，其中所述剪辑图像为所述设计布局图像的部分，
其中产生所述热点图像进一步包括：
基于...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡彦同，陈冠吉，吴亚轩，林轩立，黄志仲，蔡启铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71