半导体结构的形成方法技术

本公开涉及一种半导体结构的形成方法。该方法包括形成第一介电层于自基板凸起的半导体鳍状物上；形成第二介电层于第一介电层上；接着移除半导体鳍状物的一部分，以形成第一介电层的多个部分所定义的第一凹陷；再移除定义第一凹陷的第一介电层的部分。之后形成外延的源极/漏极结构于第一凹陷中；移除第二介电层以形成第二凹陷，其位于外延的源极/漏极结构与第一介电层的保留部分之间；以及接着形成硅化物层于外延的源极/漏极结构上，使硅化物层包覆外延的源极/漏极结构。

The formation of semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法
本公开实施例一般关于半导体装置与其制作方法，更特别关于制作场效晶体管如鳍状场效晶体管、全绕式栅极场效晶体管、及/或其他场效晶体管的方法。
技术介绍
集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路比前一代的集成电路具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进中，功能密度(单位面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如采用的制作制程所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的制程通常有利于增加产能并降低相关成本。尺寸缩小亦增加处理与形成集成电路的复杂度。为实现这些进展，处理与形成集成电路的方法亦须类似发展。举例来说，当装置尺寸持续缩小时，降低源极/漏极结构与源极/漏极接点之间的接点电阻变得更具挑战性。虽然克服这些挑战的方法通常适用，但这些方法无法完全符合所有方面的需求。
技术实现思路
本公开一实施例提供的半导体结构的形成方法，包括：形成第一介电层于自基板凸起的半导体鳍状物上；形成第二介电层于第一介电层上；移除半导体鳍状物的一部分，以形成第一介电层的多个部分所定义的第一凹本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，包括：/n形成一第一介电层于自一基板凸起的一半导体鳍状物上；/n形成一第二介电层于该第一介电层上；/n移除该半导体鳍状物的一部分，以形成该第一介电层的多个部分所定义的一第一凹陷；/n移除定义该第一凹陷的该第一介电层的所述部分；/n形成一外延的源极/漏极结构于该第一凹陷中，使该外延的源极/漏极结构形成于该第二介电层的多个部分之间；/n移除该第二介电层以形成一第二凹陷，其中该第二凹陷位于该外延的源极/漏极结构与该第一介电层的保留部分之间；以及/n形成一硅化物层于该外延的源极/漏极结构上，其中该硅化物层包覆该外延的源极/漏极结构。/n

【技术特征摘要】
20181023 US 62/749,448;20190618 US 16/444,7351.一种半导体结构的形成方法，包括：
形成一第一介电层于自一基板凸起的一半导体鳍状物上；
形成一第二介电层于该第一介电层上；
移除该半导体鳍状物的一部分，以形成该第一介电层的多个部分所定...

【专利技术属性】
技术研发人员：林群雄，陈仕承，王志豪，张荣宏，黄瑞乾，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71