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本公开涉及一种半导体结构的形成方法。该方法包括形成第一介电层于自基板凸起的半导体鳍状物上；形成第二介电层于第一介电层上；接着移除半导体鳍状物的一部分，以形成第一介电层的多个部分所定义的第一凹陷；再移除定义第一凹陷的第一介电层的部分。之后形成...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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