横向双扩散晶体管及其制造方法技术

公开一种横向双扩散晶体管及其制造方法，该横向双扩散晶体管包括：衬底；位于所述衬底顶部的阱区、漂移区和分别位于所述阱区和所述漂移区中的源区和漏区；位于所述漂移区表面的第一介质层；位于所述漂移区表面且覆盖所述第一介质层的第一部分表面的第一场板；部分覆盖所述第一场板表面并堆叠在所述第一介质层的第二部分表面上的第二介质层；以及位于所述第二介质层表面上的第二场板，其中，所述第二场板包括至少一个接触通道。该横向双扩散晶体管采用接触通道作为第二场板，减少了制作工艺，同时增加了第二场板与硅衬底之间的距离，使得晶体管的击穿电压提升，同时导通电阻降低。

Transverse double diffused transistor and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
横向双扩散晶体管及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，具体地，涉及一种横向双扩散晶体管及其制造方法。
技术介绍
功率场效应晶体管是一种重要的晶体管。所述功率场效应晶体管主要包括垂直扩散MOS(VerticalDiffusedMetalOxidesemiconductor，VDMOS)晶体管和横向扩散MOS(LateralDouble-DiffusedMOSFET，LDMOS)晶体管。相对于VDMOS晶体管，LDMOS晶体管具有许多优点，如与平面CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)工艺兼容、更好的热稳定性和频率稳定性、更高的增益、更低的反馈电容和热阻、以及恒定的输入阻抗，因此得到了广泛应用。而在横向双扩散晶体管(LDMOS)的应用中，要求在满足源漏击穿电压BV-dss高的前提下，尽可能降低器件的源漏导通电阻Rdson，但是源漏击穿电压与导通电阻的优化要求确是矛盾的，所以为了获得较高的关断击穿电压(off-BV)和较低的导通阻抗(Rdson)，需要在漂移区掺杂浓度与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种横向双扩散晶体管，其特征在于，包括：/n衬底；/n位于所述衬底顶部的阱区、漂移区和分别位于所述阱区和所述漂移区中的源区和漏区；/n位于所述漂移区表面的第一介质层；/n位于所述漂移区表面且覆盖所述第一介质层的第一部分表面的第一场板；/n部分覆盖所述第一场板表面并堆叠在所述第一介质层的第二部分表面上的第二介质层；以及/n位于所述第二介质层表面上的第二场板，/n其中，所述第二场板包括至少一个接触通道。/n

【技术特征摘要】
1.一种横向双扩散晶体管，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底顶部的阱区、漂移区和分别位于所述阱区和所述漂移区中的源区和漏区；
位于所述漂移区表面的第一介质层；
位于所述漂移区表面且覆盖所述第一介质层的第一部分表面的第一场板；
部分覆盖所述第一场板表面并堆叠在所述第一介质层的第二部分表面上的第二介质层；以及
位于所述第二介质层表面上的第二场板，
其中，所述第二场板包括至少一个接触通道。


2.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管，其特征在于，所述第二介质层为金属硅化物阻挡层，以使被所述金属硅化物阻挡层覆盖的区域不能形成金属硅化物。


3.根据权利要求2所述的横向双扩散晶体管，其特征在于，所述金属硅化物阻挡层为氧化层。


4.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管，其特征在于，所述接触通道为沿垂直于所述第二介质层的表面方向延伸的通孔内填充的金属塞。


5.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管，其特征在于，所述第二场板包括多个接触通道，多个所述接触通道沿从所述源区至所述漏区的延伸方向排成一列。


6.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆阳，韩广涛，葛薇薇，
申请(专利权)人：杰华特微电子杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33