半导体封装制造技术

提供一种半导体封装。半导体封装包括：下结构，包括上绝缘层及上焊盘；以及半导体芯片，设置在下结构上且包括下绝缘层及下焊盘。下绝缘层接触上绝缘层并耦合到上绝缘层，并且下焊盘接触上焊盘并耦合到上焊盘，且半导体芯片的旁侧在半导体芯片的上侧与下侧之间延伸且包括凹缩部分。

Semiconductor package

【技术实现步骤摘要】
半导体封装[相关申请的交叉参考]本申请主张2018年10月24日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2018-0127736号的优先权，所述韩国专利申请的公开内容全文以引用方式并入本申请。
本公开的示例性实施例涉及一种半导体封装。
技术介绍
随着对电子产品的高容量、薄化及小型化的需求的增加，已开发出各种类型的半导体封装。
技术实现思路
一个或多个示例性实施例提供一种具有减小的厚度的半导体封装。一个或多个示例性实施例提供一种可无缺陷地安装半导体芯片的半导体封装。根据示例性实施例的方面，提供一种半导体封装。半导体封装包括：下结构，包括上绝缘层及上焊盘；以及半导体芯片，设置在所述下结构上且包括下绝缘层及下焊盘。下绝缘层接触上绝缘层并耦合到上绝缘层，并且下焊盘接触上焊盘并耦合到上焊盘，且半导体芯片的旁侧在半导体芯片的上侧与下侧之间延伸且包括凹缩部分。根据示例性实施例的方面，提供一种半导体封装。半导体封装包括：下结构；及半导体芯片，设置在所述下结构上且具有上侧以及与所述上侧相对的下侧。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装，包括：/n下结构，包括上绝缘层及上焊盘；以及/n半导体芯片，设置在所述下结构上且包括下绝缘层及下焊盘，/n其中所述下绝缘层接触所述上绝缘层并耦合到所述上绝缘层，且所述下焊盘接触所述上焊盘并耦合到所述上焊盘，且/n其中所述半导体芯片的旁侧在所述半导体芯片的上侧与下侧之间延伸且包括凹缩部分。/n

【技术特征摘要】
20181024 KR 10-2018-01277361.一种半导体封装，包括：
下结构，包括上绝缘层及上焊盘；以及
半导体芯片，设置在所述下结构上且包括下绝缘层及下焊盘，
其中所述下绝缘层接触所述上绝缘层并耦合到所述上绝缘层，且所述下焊盘接触所述上焊盘并耦合到所述上焊盘，且
其中所述半导体芯片的旁侧在所述半导体芯片的上侧与下侧之间延伸且包括凹缩部分。


2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述半导体芯片的所述旁侧还包括第一部分，所述第一部分在垂直于所述上侧的第一方向上从所述上侧延伸到所述凹缩部分，且
其中所述凹缩部分从所述下侧延伸到所述第一部分。


3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中所述凹缩部分包括垂直部分及弯曲部分，
其中所述垂直部分在垂直于所述下侧的第二方向上从所述下侧延伸，且
其中所述弯曲部分从所述垂直部分延伸到所述第一部分。


4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述下结构比所述半导体芯片宽。


5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述半导体芯片还包括半导体主体及插入在所述半导体主体与所述下绝缘层及所述下焊盘两者之间的半导体内部电路区。


6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中所述半导体内部电路区比所述半导体芯片的所述上侧窄。


7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述下结构还包括下主体及插入在所述下主体与所述上绝缘层及所述上焊盘两者之间的下内部电路区。


8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述下结构还包括下主体及下内部电路区域，其中所述下主体插入在所述下内部电路区域与所述上绝缘层及所述上焊盘两者之间。


9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述下结构还包括下主体及穿透电极，且
其中所述穿透电极电连接到所述上焊盘并穿透所述下主体。


10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中所述下主体包括硅衬底。


11.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括模制层，所述模制层设置在所述下结构上且覆盖所述半导体芯片的所述旁侧。


12.根据权利要求11所述的半导体封装，还包括散热结构，所述散热结构设置在所述模制层及...

【专利技术属性】
技术研发人员：李赫宰，金志勳，金泰勳，洪志硕，黄智焕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR