【技术实现步骤摘要】
半导体封装件相关申请的交叉引用于2018年10月24日在韩国知识产权局提交的名为“SemiconductorPackage”(半导体封装件)的韩国专利申请No.10-2018-0127570通过引用的方式全文结合于本申请中。
实施例涉及半导体封装件。
技术介绍
随着电子工业的不断发展，对电子组件的高性能、高速度和小型化的需求日益增长。特别地，在半导体封装件中，已经进行了各种尝试来减小其厚度。
技术实现思路
实施例针对一种半导体封装件，其包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括位于其一个表面上的第一结合层；以及芯片结构，所述芯片结构堆叠在所述第一半导体芯片上，并且包括位于所述芯片结构的面对所述第一半导体芯片的表面上的第二结合层以及多个第二半导体芯片。所述多个第二半导体芯片可以分别包括芯片区域和位于所述芯片区域的外部的划片线区域。所述多个第二半导体芯片可以在所述芯片结构中通过所述划片线区域彼此连接。所述第一结合层可以包括第一金属焊盘和围绕所述第一金属焊盘的第一结合绝缘层，所...
【技术保护点】
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：/n第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括位于所述第一半导体芯片的表面上的第一结合层；以及/n芯片结构，所述芯片结构堆叠在所述第一半导体芯片上，并且包括位于所述芯片结构的面对所述第一半导体芯片的表面上的第二结合层以及多个第二半导体芯片，其中：/n所述多个第二半导体芯片分别包括芯片区域和位于所述芯片区域的外部的划片线区域，所述多个第二半导体芯片在所述芯片结构中通过所述划片线区域彼此连接，并且/n所述第一结合层包括第一金属焊盘和围绕所述第一金属焊盘的第一结合绝缘层，所述第二结合层包括第二金属焊盘和围绕所述第二金属焊盘的第二结合绝缘层，...
【技术特征摘要】
20181024 KR 10-2018-01275701.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括位于所述第一半导体芯片的表面上的第一结合层；以及
芯片结构，所述芯片结构堆叠在所述第一半导体芯片上，并且包括位于所述芯片结构的面对所述第一半导体芯片的表面上的第二结合层以及多个第二半导体芯片，其中：
所述多个第二半导体芯片分别包括芯片区域和位于所述芯片区域的外部的划片线区域，所述多个第二半导体芯片在所述芯片结构中通过所述划片线区域彼此连接，并且
所述第一结合层包括第一金属焊盘和围绕所述第一金属焊盘的第一结合绝缘层，所述第二结合层包括第二金属焊盘和围绕所述第二金属焊盘的第二结合绝缘层，所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘设置为彼此对应并且彼此结合。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述多个第二半导体芯片在无需彼此锯切开的情况下形成所述芯片结构。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，在平面上，所述芯片结构的尺寸与所述第一半导体芯片的尺寸基本相同。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述芯片结构的侧表面暴露于外部。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片包括其中设置有半导体器件的器件区域和位于所述器件区域的至少一侧的通路区域，所述通路区域具有设置在其中的第一贯穿通路，所述第一贯穿通路电连接所述芯片结构和所述第一半导体芯片。
6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片还包括位于整个所述器件区域和所述通路区域上的衬底。
7.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述通路区域设置为在平面上围绕所述器件区域。
8.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述通路区域包括设置为在平面上沿着所述器件区域的周边彼此间隔开的多个区域。
9.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述芯片结构还包括设置在与所述通路区域交叠的区域中的第二贯穿通路。
10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：
所述芯片结构包括竖直堆叠的第一芯片结构和第二芯片结构，
所述第一芯片结构设置在下部并且包括所述第二结合层和第三结合层，并且所述第二芯片结构设置在上部并且包括连接到所述第三结合层的第四结合层，并且
所述第三结合层包括第三金属焊盘和围绕所述第三金属焊盘的第三结合绝缘层，所述第四结合层包括第四金属焊盘和围绕所述第四金属焊盘的第四结合绝缘层，所述第三金属焊盘和所述第四金属焊盘设置为彼此对应并且彼此结合。
11.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，所述第三结合层位于所述第一芯片结构中的所述第二半导体芯片的有源表面上，所述第四结合层位于所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：金宣澈，金泰勋，黄智焕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。