【技术实现步骤摘要】
半导体存储器件
本专利技术涉及半导体器件设计及制造工艺领域，特别是指一种半导体存储器件，该半导体存储器件的有源区具有不规则形态。
技术介绍
如图1所示，是现有半导体存储器件的俯视面结构图，图中包括在第一方向上延伸且平行的多根字线WL，字线是存储管的多晶硅控制栅连接而成，字线WL之间为接触插塞或器件隔离层，与字线垂直的第二方向上是存储器的位线BL，位线BL与字线WL交叉的区域为存储管的结构区域。图中还具有长条形类似于杆状的有源区ACT，在传统的存储器件结构中，该有源区ACT一般是选择第一方向或者第二方向，随着技术的进步以及更高存储密度的要求，如今的有源区ACT一般设计为与第一方向或者第二方向存在一定的夹角，即类似于倾斜排列的状态，各有源区ACT之间彼此平行，有源区ACT之间以器件隔离层进行隔离，该器件隔离层一般形成为沟槽结构。图中圆圈处为位线接触凹槽。图2是一种半导体存储器的有源区的剖面图，可以清楚看到剖面下的有源区沟槽的形貌，由于有源区沟槽较深，因此形成的有源区沟槽，其沟槽之间的鳍状侧墙具有高且窄的形貌，即该鳍状侧墙...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器件，位于半导体衬底中，所述的半导体衬底中还具有多个有源区组成阵列，所述有源区是呈形状均匀对称的标准杆状或棒状的条形，且所述有源区均间隔均匀、错开排列、互相平行；/n其特征在于：在俯视角度上，形成一平面直角坐标，具有第一方向以及与第一方向垂直的第二方向；所述的有源区分为中心区域有源区及外围有源区，所述中心区域有源区呈标准棒状或杆状，所述外围有源区，在第一方向上具有两端尺寸不一致的形貌，呈现一端的尺寸面积大于另一端的非均匀形貌，并且尺寸较大的一端形成头部，朝向有源区的外围，所述外围有源区呈现错开、间隔方式的排列。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，位于半导体衬底中，所述的半导体衬底中还具有多个有源区组成阵列，所述有源区是呈形状均匀对称的标准杆状或棒状的条形，且所述有源区均间隔均匀、错开排列、互相平行；
其特征在于：在俯视角度上，形成一平面直角坐标，具有第一方向以及与第一方向垂直的第二方向；所述的有源区分为中心区域有源区及外围有源区，所述中心区域有源区呈标准棒状或杆状，所述外围有源区，在第一方向上具有两端尺寸不一致的形貌，呈现一端的尺寸面积大于另一端的非均匀形貌，并且尺寸较大的一端形成头部，朝向有源区的外围，所述外围有源区呈现错开、间隔方式的排列。
2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于：所述的外围有源区，是指位于整个有源区阵列最外圈的两行及两列有源区，以及两行与两列相接的转角区域的有源区；所述中心区域有源区，是指位于外围有源区内部的有源区，即整个有源区阵列除去最外圈的两行及两列有源区以及两行与两列相接的转角区域的有源区外为中心区域有源区。
3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于：所述的外围有源区，其尺寸较小的一端为与中心区域有源区相同的标准的杆状或棒状，其另一端具有尺寸大于标准的头部。
4.如权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于：在所述有源区阵列的第一方向上，位于外圈的外围有源区，其头部排布是每相邻的两个头部两两结合，具有相互重叠部分，形成一个较大的有源区整体。
5.如权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于：所述的位于外圈的两两结合的外围有源区，由于有源区的间隔错开排列，所述两两结合的每一组外围有源区中，其中一个外围有源区的长度大于另一个外围有源区的长度。
6.如权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于：所述的位于外圈的两两...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈煌彬，陈俊超，王浩，吴家祺，邱菁，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
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