【技术实现步骤摘要】
半导体器件
实施方式涉及半导体器件。
技术介绍
由于半导体器件已经被高度集成，半导体器件中的图案的节距已经减小。
技术实现思路
可以通过提供一种半导体器件来实现实施方式，该半导体器件包括：第一互连线，具有第一端并在第一方向上延伸；第一阻挡图案，在第一互连线的第一端处并且在第一方向上与第一互连线相邻；第二互连线，在与第一方向交叉的第二方向上与第一互连线间隔开并在第一方向上延伸，第二互连线具有第二端；第二阻挡图案，在第二互连线的第二端处并且在第一方向上与第二互连线相邻，其中第一阻挡图案在第一方向上的宽度不同于第二阻挡图案在第一方向上的宽度。可以通过在衬底上提供一种半导体器件来实现实施方式，该半导体器件包括：在衬底上的绝缘层；第一互连线和第二互连线，在绝缘层中并在第一方向上彼此相对，第一互连线和第二互连线在第一方向上延伸；第一阻挡图案，在绝缘层中的第一互连线和第二互连线之间；气隙，在绝缘层中的第一阻挡图案的一侧并在第一方向上延伸。附图说明通过参考附图详细描述示例性实施方式...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n第一互连线，具有第一端并在第一方向上延伸；/n第一阻挡图案，在所述第一互连线的第一端处并且在所述第一方向上与第一互连线相邻；/n第二互连线，在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一互连线间隔开并在所述第一方向上延伸，所述第二互连线具有第二端；和/n第二阻挡图案，在所述第二互连线的第二端处并且在所述第一方向上与所述第二互连线相邻，/n其中所述第一阻挡图案在所述第一方向上的宽度不同于所述第二阻挡图案在所述第一方向上的宽度。/n
【技术特征摘要】
20180928 KR 10-2018-01159471.一种半导体器件，包括：
第一互连线，具有第一端并在第一方向上延伸；
第一阻挡图案，在所述第一互连线的第一端处并且在所述第一方向上与第一互连线相邻；
第二互连线，在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一互连线间隔开并在所述第一方向上延伸，所述第二互连线具有第二端；和
第二阻挡图案，在所述第二互连线的第二端处并且在所述第一方向上与所述第二互连线相邻，
其中所述第一阻挡图案在所述第一方向上的宽度不同于所述第二阻挡图案在所述第一方向上的宽度。
2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括第一气隙和第二气隙，所述第一气隙和所述第二气隙彼此间隔开，其间具有所述第一阻挡图案，
其中所述第一气隙和所述第二气隙在所述第一方向上延伸。
3.如权利要求1所述的半导体器件，还包括封闭所述第一气隙和所述第二气隙的覆盖层，
其中所述覆盖层覆盖所述第一互连线和所述第二互连线的上表面以及所述第一阻挡图案和所述第二阻挡图案的上表面。
4.如权利要求1所述的半导体器件，还包括第三互连线，所述第三互连线具有第三端并且在所述第一方向上延伸，
其中：
所述第三互连线的所述第三端在所述第一方向上与所述第一互连线的所述第一端相对，并且
所述第一阻挡图案位于所述第一互连线和所述第三互连线之间。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一阻挡图案在所述第二方向上的宽度与所述第一互连线在所述第二方向上的宽度相同。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一阻挡图案在所述第二方向上的宽度大于所述第一互连线在所述第二方向上的宽度。
7.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：
衬底；和
在所述衬底上的绝缘层，
其中：
所述第一互连线、所述第一阻挡图案、所述第二互连线和所述第二阻挡图案在所述绝缘层中，并且
所述第一阻挡图案和所述第二阻挡图案包括相对于所述绝缘层具有蚀刻选择性的材料。
8.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：
衬底；和
在所述衬底上的绝缘层，
其中：
所述第一互连线、所述第一阻挡图案、所述第二互连线和所述第二阻挡图案在所述绝缘层中，并且
所述第一互连线的底表面的水平和所述第二互连线的底表面的水平与所述第一阻挡图案的底表面的水平和所述第二阻挡图案的底表面的水平相同。
9.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：
衬底；和
在所述衬底上的绝缘层，
其中：
所述第一互连线、所述第一阻挡图案、所述第二互连线和...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴相俊，李海王，崔宰铭，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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