【技术实现步骤摘要】
化学气相淀积设备、陶瓷加热盘
本技术属于半导体应用领域，涉及半导体制造设备，更具体地说，涉及一种化学气相淀积设备、陶瓷加热盘与陶瓷加热盘的制备方法。
技术介绍
化学气相淀积设备(ChemicalVaporDeposition设备，简称CVD设备)是半导体芯片制作的关键设备，CVD设备的核心问题是如何保证材料生长的均匀性和重复性，芯片加热盘作为CVD设备中一个结构，其加热时温度的均匀性以及加热盘材质的耐基体腐蚀性等都会直接影响芯片生长的均匀性和重复性。现有的陶瓷加热盘，主要分为氧化铝陶瓷加热盘和氮化铝陶瓷加热盘。氧化铝陶瓷加热盘用厚膜共烧法制造，氮化铝陶瓷加热盘用热压法制造。氮化铝陶瓷具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。并且氮化铝陶瓷具有超高的导热效率，是氧化铝陶瓷的5倍以上。由于氧化铝陶瓷加热盘的导热效率低，导致生产中实际对产品的加热温度，与操控者拟提供的加热温度有一定差异，因此在对温度要求较为严格的产品的生产制造中，化学气相淀积设备上通常采用导热效率更高的氮化铝...
【技术保护点】
1.一种陶瓷加热盘，包括加热盘体、陶瓷管，其特征在于，所述加热盘体包括由下至上依次层叠设置的第一陶瓷体、加热片及第二陶瓷体，经过烧结固定成为一体；所述第一陶瓷体的导热率低于所述第二陶瓷体的导热率。/n
【技术特征摘要】
1.一种陶瓷加热盘，包括加热盘体、陶瓷管，其特征在于，所述加热盘体包括由下至上依次层叠设置的第一陶瓷体、加热片及第二陶瓷体，经过烧结固定成为一体；所述第一陶瓷体的导热率低于所述第二陶瓷体的导热率。
2.根据权利要求1所述的陶瓷加热盘，其特征在于，所述加热盘体和陶瓷管通过导热陶瓷浆料粘结烧结固定。
3.根据权利要求1所述的陶瓷加热盘，其特征在于，所述第一陶瓷体由第一氮化铝陶瓷基板和低导热陶瓷浆料经烧结而成。
4.根据权利要求1所述的陶瓷加热盘，其特征在于，所述第二陶瓷体由第二氮化铝陶瓷基板和高导热陶瓷浆料经烧结而成。
5.根据权利要求3所述的陶瓷加热盘，其特征在于，所述低导热陶瓷浆料与所述第一氮化铝陶瓷基板是同一材质。
6.根据权利要求4所述的陶瓷加热盘，其特征在于，所述高导热陶瓷浆料与所述第二氮化铝陶瓷基板是同一材质。
7.根据权利要求2所述的陶瓷加热盘，其特征在于，所述第二氮化铝陶瓷基板上面依次层叠设置有电极板和第三陶瓷体，所述电极板连接有主体位于所述陶瓷管内的接地电极。
8.根据权利要求7所述的陶瓷加热盘，其特征在于，所述第三陶瓷体的导热率高于所述第一陶瓷体的导热率。
9.根据权利要求7所述的陶瓷加热盘，其特征在于，所述第三陶瓷体的导热率高于所述第二陶瓷体的导热率。
10.根据权利要求7所述的陶瓷加热盘，其特征在于，所述第二陶瓷体、所述第三陶瓷体的导热率为150-200W/(m·K)；所述第一陶瓷体的导热率为10-70W/(m·K)。
11.根据权利要求7所述的陶瓷加热盘，其特征在于，所述加热片为电阻浆料、钼片、钨片。
12.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：何琪娜，刘先兵，
申请(专利权)人：苏州珂玛材料科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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