一种化学气相沉积用加热装置制造方法及图纸

技术编号:23417396 阅读:19 留言:0更新日期:2020-02-22 20:13
本实用新型专利技术属于化学气相沉积技术领域,具体公开了一种化学气相沉积用加热装置,包括:可升降的第一加热器;可升降的第二加热器,设置在所述第一加热器的正上方,与所述第一加热器呈上下相对设置;支撑架,固定设置在所述第一加热器上,且位于所述第一加热器和所述第二加热器之间;托盘,设置在所述支撑架远离所述第一加热器的一侧,用于承载基板;所述托盘为耐高温透明材料;所述第一加热器和所述第二加热器朝向所述托盘的一侧均固定设置有陶瓷板。本实用新型专利技术能够提高用于生产石墨烯的基板的受热均匀性和有效受热性。

【技术实现步骤摘要】
一种化学气相沉积用加热装置
本技术属于化学气相沉积
,特别是一种化学气相沉积用加热装置。
技术介绍
化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD)是通过化学反应的方式,利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源,在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。化学气相沉积技术在生产和研发新材料的过程中,已经成为越来越重要的方法,最典型的例子就是化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD)大面积生长石墨烯。用化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD)制备石墨烯时,通常直接把生产石墨烯的基板放置到加热器上,以图简单、方便操作,并没有考虑生产石墨烯的基板的受热均匀性。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种化学气相沉积用加热装置,以解决现有技术中的不足,它能够提高用于生产石墨烯的基板的受热均匀性和有效受热性。本技术采用的技术方案如下:一种化学气相沉积用加热装置,所述化学气相沉积用加热器装置包括:可升降的第一加热器;可升降的第二加热器,设置在所述第一加热器的正上方,与所述第一加热器呈上下相对设置;支撑架,固定设置在所述第一加热器上,且位于所述第一加热器和所述第二加热器之间;托盘,设置在所述支撑架远离所述第一加热器的一侧,用于承载基板;所述托盘为耐高温透明材料;所述第一加热器和所述第二加热器朝向所述托盘的一侧均固定设置有陶瓷板。如上所述的化学气相沉积用加热装置,其中,优选的是,所述支撑架包括多根第一支撑柱;各所述第一支撑柱均匀设置在所述第一加热器上,并背离所述第一加热器延伸,并共同连接且承载所述托盘。如上所述的化学气相沉积用加热装置,其中,优选的是,所述第一支撑柱连接所述托盘的一端端面设置有用于固定连接所述托盘的钳口。如上所述的化学气相沉积用加热装置,其中,优选的是,任意两相邻所述第一支撑柱之间均设置有子架;所述子架支撑固定与该子架相邻的两所述第一支撑柱。如上所述的化学气相沉积用加热装置,其中,优选的是,所述子架包括交叉设置的第一纵柱和第一横柱;所述第一纵柱的一端固定连接所述第一加热器,所述第一纵柱的另一端固定连接所述第一横柱的中间部位,所述第一横柱的两端分别固定连接两相邻的所述第一支撑柱。如上所述的化学气相沉积用加热装置,其中,优选的是,所述第一横柱包括两固定连接的第一子横柱;所述第一子横柱的一端固定连接与之相邻的所述第一支撑柱,所述第一子横柱的另一端固定连接与之相邻的所述第一纵柱;两所述第一子横柱之间成一定夹角。如上所述的化学气相沉积用加热装置,其中,优选的是,所述第一子横柱固定连接所述第一纵柱的一端低于所述第一子横柱固定连接所述第一支撑柱的一端。如上所述的化学气相沉积用加热装置,其中,优选的是,所述第一子横柱相对水平方向朝上的倾斜度为8°到15°,包括端点值。如上所述的化学气相沉积用加热装置,其中,优选的是,所述第一支撑柱包括依次连接且一体成型的第一直柱、第一弯柱和第二弯柱;所述第一直柱远离所述第一弯柱的一端固定连接所述第一加热器;所述第一弯柱相对水平方向朝上的倾斜度大于第二弯柱相对水平方向朝上的倾斜度;所述第一纵柱远离所述第一加热器的一端高于所述第一弯柱远离所述第一直柱的一端,且低于所述第二弯柱远离所述第一弯柱的一端。如上所述的化学气相沉积用加热装置,其中,优选的是,所述第一加热器和所述第二加热器均包括加热器壳体、设置在所述加热器壳体内的加热盘和缠绕在所述加热盘上的加热丝;所述加热器壳体朝向所述托盘的一侧固定设置有所述陶瓷板;所述支撑架固定设置在所述第一加热器的陶瓷板上。与现有技术相比,本技术提供的化学气相沉积用加热装置通过支撑架支撑托盘,即用于承载基板的样品台,使得基板与第一加热器为非接触式直接加热,而是基板受热源,即第一加热器和第二加热器,产生的热量场的辐射加热,辐射加热相比较接触加热可以更好的确保被加热元件,即基板,的热量来源的均匀性。而在此基础上,为确保热源到被加热元件之间的热量传播路径上热量的均匀性,本申请首先在热源端设置在陶瓷板,即所述第一加热器和所述第二加热器朝向所述托盘的一侧均固定设置有陶瓷板,陶瓷板具有均匀的导热作用,确保热源散发热量的均匀性,同时,陶瓷板可以作为阻隔材料阻隔加热器可能带来的粉尘污染。其次,在被加热元件端采用耐高温透明材料再次保证热量的有效传输,即保证被加热基板的热辐射吸收。整体保证被加热基板的受热均匀性和有效受热,以保证石基于基板生产的石墨烯或者石墨烯异质结等基于石墨烯的新材料的良好性能。附图说明图1是本技术提供的化学气相沉积用加热装置的结构示意图;图2是支撑架设置在第一加热器上的一个方向的结构示意图;图3是支撑架承载托盘的一方向结构示意图。附图标记说明:1-第一加热器;2-第二加热器;3-支撑架,31-第一支撑柱,311-第一直柱,312-第一弯柱,313-第二弯柱,32-钳口,33-子架,331-第一纵柱,332-第一横柱;4-托盘;5-陶瓷板。具体实施方式下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本技术,而不能解释为对本技术的限制。本申请的申请人经过大量实验发现,基于化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD生产石墨烯或者石墨烯异质结等基于石墨烯的新材料时,不仅反应区的温度影响新材料的性能,采用的基板的受热均匀性也是影响新材料性能的关键因素。基于以上初衷,本申请的专利技术人人以提高基板的受热均匀性为目的,进行了改进工作,并提出一种化学气相沉积用加热装置的专利申请。如图1所示,本申请实施例提供的一种化学气相沉积用加热装置,所述化学气相沉积用加热器装置包括可升降的第一加热器1、设置在所述第一加热器1的正上方与所述第一加热器1呈上下相对设置可升降的第二加热器2、固定设置在所述第一加热器1上且位于所述第一加热器1和所述第二加热器2之间支撑架3,及用于承载基板托盘4,其中托盘4设置在所述支撑架3远离所述第一加热器1的一侧。而且,所述托盘4为耐高温透明材料;所述第一加热器1和所述第二加热器2朝向所述托盘4的一侧均固定设置有陶瓷板5。以上结构的化学气相沉积用加热装置通过支撑架3支撑托盘4,即用于承载基板的样品台,使得基板与第一加热器1为非接触式直接加热,而是基板受热源,即第一加热器1和第二加热器2,产生的热量场的辐射加热,辐射加热相比较接触加热可以更好的确保被加热元件,即基板,的受热均匀性。而在此基础上,为确保热源到被加热元件之间的热量传播路径上热量的均匀性,本申请首先在热源端设置在陶瓷板5,即所述第一加热器1和所述第二加热器2朝向所述托盘4的一侧均固定设置有陶瓷板5本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学气相沉积用加热装置,其特征在于,所述化学气相沉积用加热器装置包括:/n可升降的第一加热器(1);/n可升降的第二加热器(2),设置在所述第一加热器(1)的正上方,与所述第一加热器(1)呈上下相对设置;/n支撑架(3),固定设置在所述第一加热器(1)上,且位于所述第一加热器(1)和所述第二加热器(2)之间;/n托盘(4),设置在所述支撑架(3)远离所述第一加热器(1)的一侧,用于承载基板;/n所述托盘(4)为耐高温透明材料;/n所述第一加热器(1)和所述第二加热器(2)朝向所述托盘(4)的一侧均固定设置有陶瓷板(5)。/n

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积用加热装置,其特征在于,所述化学气相沉积用加热器装置包括:
可升降的第一加热器(1);
可升降的第二加热器(2),设置在所述第一加热器(1)的正上方,与所述第一加热器(1)呈上下相对设置;
支撑架(3),固定设置在所述第一加热器(1)上,且位于所述第一加热器(1)和所述第二加热器(2)之间;
托盘(4),设置在所述支撑架(3)远离所述第一加热器(1)的一侧,用于承载基板;
所述托盘(4)为耐高温透明材料;
所述第一加热器(1)和所述第二加热器(2)朝向所述托盘(4)的一侧均固定设置有陶瓷板(5)。


2.根据权利要求1所述的化学气相沉积用加热装置,其特征在于:所述支撑架(3)包括多根第一支撑柱(31);
各所述第一支撑柱(31)均匀设置在所述第一加热器(1)上,并背离所述第一加热器(1)延伸,并共同连接且承载所述托盘(4)。


3.根据权利要求2所述的化学气相沉积用加热装置,其特征在于:所述第一支撑柱(31)连接所述托盘(4)的一端端面设置有用于固定连接所述托盘(4)的钳口(32)。


4.根据权利要求2所述的化学气相沉积用加热装置,其特征在于:任意两相邻所述第一支撑柱(31)之间均设置有子架(33);
所述子架(33)支撑固定与该子架(33)相邻的两所述第一支撑柱(31)。


5.根据权利要求4所述的化学气相沉积用加热装置,其特征在于:所述子架(33)包括交叉设置的第一纵柱(331)和第一横柱(332);
所述第一纵柱(331)的一端固定连接所述第一加热器(1),所述第一纵柱(331)的另一端固定连接所述第一横柱(332)的中间部位,所述第一横柱(332)的两端分别固定连接两相邻的所述第一支撑柱(31...

【专利技术属性】
技术研发人员:孔伟成赵勇杰
申请(专利权)人:合肥本源量子计算科技有限责任公司
类型:新型
国别省市:安徽;34

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1