【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、化学气相淀积设备设备,简称cvd设备)是半导体芯片前道工艺薄膜沉积的关键设备。薄膜沉积一般需要将晶圆温度控制在400℃-650℃之间,这样就需要使用到加热器,而且在这一温度范围下除了保持晶圆温度的均匀性外,还需要保证加热部件在cvd过程中不被反应气体侵蚀而产生颗粒,对晶圆沉积膜层产生不良影响,因此,唯一可以选用的便是陶瓷加热器,陶瓷加热器由于特殊的制备工艺,需要将加热部件与陶瓷热压烧结成一个致密的整体从而来保证较高的加热效率及发热均匀性,且制备过程工序比较复杂,因此造价相对昂贵,并且沉积薄膜对晶圆受热的均匀性要求很高,受热越均匀,晶圆表面沉积所形成的薄膜质量就会越高,所以目前的陶瓷加热器采用一体化设计,从而来实现高效均匀的热传导功能。然而在实际操作过程当中,技术人员又发现了新的问题,为了匹配不同尺寸的晶圆就需要有相应尺寸的加热器与之匹配,这样才能方便机械手臂将晶圆准确的放入加热器表面的晶圆承载面上,所以哪怕是同种工艺,只要是晶圆尺寸不同,都需要有不同的加热器与之对应,无形中增加了成本。另外,由于陶瓷加热器长期在高温且具有
...【技术保护点】
1.一种适用于不同尺寸晶圆的加热器的制备方法,其特征在于,将所述陶瓷加热器制成分体结构,所述分体结构设置固定结构和可更换结构,所述固定结构为加热部件,所述可更换结构为晶圆承载件,根据不同尺寸的晶圆,更换所述晶圆承载件。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述加热部件和所述晶圆承载件之间设置金属层、气隙面或者有机硅胶层。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,射频部件引出电极为金属层引出电极,所述引出电极连接于所述金属层并由陶瓷管内部穿过与RF电极层相连接。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,通过对射频部件引出电
...【技术特征摘要】
1.一种适用于不同尺寸晶圆的加热器的制备方法,其特征在于,将所述陶瓷加热器制成分体结构,所述分体结构设置固定结构和可更换结构,所述固定结构为加热部件,所述可更换结构为晶圆承载件,根据不同尺寸的晶圆,更换所述晶圆承载件。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述加热部件和所述晶圆承载件之间设置金属层、气隙面或者有机硅胶层。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,射频部件引出电极为金属层引出电极,所述引出电极连接于所述金属层并由陶瓷管内部穿过与rf电极层相连接。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,通过对射频部件引出电极施加高压,或者将射频部件引出电极用作接地电极。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,当所述晶圆承载件在使用温度范围内体积电阻率控制在1e8ω·cm-1e12ω·cm时,对所述金属层施加高压,则对晶圆产生静电吸附功能。
6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,使用金属焊接层将所述晶圆承载件和所述加热部件焊接在一起,以拆焊方式更换所述晶圆承载件。
7.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,首先,将所述加热部件上顶面磨平,其次,进行喷砂处理,使粗糙度达到ra0.4um-ra1.4um,之后,将金属箔片放置于所述陶瓷和所述加热部件之间,然后,加热到使金属箔片熔化,最后,冷却使所述晶圆承载件和所述加热部件焊接在一起。
8.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,将金属浆料通过丝网印刷或...
【专利技术属性】
技术研发人员:何琪娜,施建中,刘先兵,
申请(专利权)人:苏州珂玛材料科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。