【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
1.在邻近电介质材料设置的金属基底上选择性沉积含Ru层或膜的ALD或类ALD方法，所述方法包括以下步骤：
2.在邻近电介质材料设置的金属基底上选择性沉积含Ru层或膜的ALD或类ALD方法，所述方法基本上由以下步骤组成：
3.在邻近电介质材料设置的金属基底上选择性沉积含Ru层或膜的ALD或类ALD方法，所述方法由以下步骤组成：
4.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述电介质材料包含Si。
5.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述电介质材料包含SiO2和Si3N4中的一种或多种。
6.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述电介质材料包含SiO2。
7.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述电介质材料包含Si3N4。
8.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述表面转化材料将-OH基团转化为较低反应性基团。
9.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述表面转化材料将-OH基团转化为非反应性基团。
10.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述表面转化材料
11.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述表面转化材料包括DMATMS。
12.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述表面转化材料包括OTS。
13.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述表面转化材料载气包括氩气。
14.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述表面转化材料载气包括氮气。
15.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述表面转化材料载气包括氦气。
16.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)在约150℃至约350℃范围内的温度下进行。
17.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)在约200℃至约300℃范围内的温度下进行。
18.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)在约225℃至约275℃范围内的温度下进行。
19.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)在约200℃的温度下进行。
20.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)在约225℃的温度下进行。
21.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)在约250℃的温度下进行。
22.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)在约275℃的温度下进行。
23.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)在约300℃的温度下进行。
24.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括脉冲所述表面转化材料约0.1秒至约10秒。
25.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括脉冲所述表面转化材料约0.1秒至约5秒。
26.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括脉冲所述表面转化材料约0.1秒至约2秒。
27.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括脉冲所述表面转化材料约0.1秒至约1秒。
28.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括脉冲所述表面转化材料约0.5秒至约2秒。
29.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括脉冲所述表面转化材料约0.5秒至约1秒。
30.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括脉冲所述表面转化材料约0.1秒。
31.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括脉冲所述表面转化材料约0.5秒。
32.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括脉冲所述表面转化材料约1秒。
33.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括脉冲所述表面转化材料约2秒。
34.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括用选自氩气、氮气和氦气的惰性气体吹扫所述表面转化材料。
35.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括用包含氩气的惰性气体吹扫所述表面转化材料。
36.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括用包含氮气的惰性气体吹扫所述表面转化材料。
37.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括用包含氦气的惰性气体吹扫所述表面转化材料。
38.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括约5至约300个脉冲所述表面转化材料和用惰性气体吹扫所述表面转化材料的循环。
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.在邻近电介质材料设置的金属基底上选择性沉积含ru层或膜的ald或类ald方法，所述方法包括以下步骤：
2.在邻近电介质材料设置的金属基底上选择性沉积含ru层或膜的ald或类ald方法，所述方法基本上由以下步骤组成：
3.在邻近电介质材料设置的金属基底上选择性沉积含ru层或膜的ald或类ald方法，所述方法由以下步骤组成：
4.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述电介质材料包含si。
5.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述电介质材料包含sio2和si3n4中的一种或多种。
6.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述电介质材料包含sio2。
7.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述电介质材料包含si3n4。
8.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述表面转化材料将-oh基团转化为较低反应性基团。
9.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述表面转化材料将-oh基团转化为非反应性基团。
10.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述表面转化材料包括dmatms和ots的一种或多种。
11.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述表面转化材料包括dmatms。
12.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述表面转化材料包括ots。
13.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述表面转化材料载气包括氩气。
14.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述表面转化材料载气包括氮气。
15.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述表面转化材料载气包括氦气。
16.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)在约150℃至约350℃范围内的温度下进行。
17.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)在约200℃至约300℃范围内的温度下进行。
18.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)在约225℃至约275℃范围内的温度下进行。
19.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)在约200℃的温度下进行。
20.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)在约225℃的温度下进行。
21.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)在约250℃的温度下进行。
22.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)在约275℃的温度下进行。
23.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)在约300℃的温度下进行。
24.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括脉冲所述表面转化材料约0.1秒至约10秒。
25.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括脉冲所述表面转化材料约0.1秒至约5秒。
26.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括脉冲所述表面转化材料约0.1秒至约2秒。
27.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括脉冲所述表面转化材料约0.1秒至约1秒。
28.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括脉冲所述表面转化材料约0.5秒至约2秒。
29.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括脉冲所述表面转化材料约0.5秒至约1秒。
30.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括脉冲所述表面转化材料约0.1秒。
31.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括脉冲所述表面转化材料约0.5秒。
32.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括脉冲所述表面转化材料约1秒。
33.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括脉冲所述表面转化材料约2秒。
34.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括用选自氩气、氮气和氦气的惰性气体吹扫所述表面转化材料。
35.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括用包含氩气的惰性气体吹扫所述表面转化材料。
36.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括用包含氮气的惰性气体吹扫所述表面转化材料。
37.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括用包含氦气的惰性气体吹扫所述表面转化材料。
38.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括约5至约300个脉冲所述表面转化材料和用惰性气体吹扫所述表面转化材料的循环。
39.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括约30个脉冲所述表面转化材料和用惰性气体吹扫所述表面转化材料的循环。
40.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括约75个脉冲所述表面转化材料和用惰性气体吹扫所述表面转化材料的循环。
41.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括约100个脉冲所述表面转化材料和用惰性气体吹扫所述表面转化材料的循环。
42.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)包括约150个脉冲所述表面转化材料和用惰性气体吹扫所述表面转化材料的循环。
43.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述表面转化材料和载气以约5sccm至约20sccm一起流动。
44.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述表面转化材料和载气以约10sccm至约15sccm一起流动。
45.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述表面转化材料和载气以约10sccm一起流动。
46.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述表面转化材料和载气以约20sccm一起流动。
47.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述吹扫气体以约30sccm至约60sccm流动。
48.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述吹扫气体以约40sccm至约50sccm流动。
49.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述吹扫气体以约30sccm流动。
50.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述吹扫气体以约40sccm流动。
51.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述吹扫气体以约50sccm流动。
52.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述吹扫气体以约60sccm流动。
53.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)在约5托至约15托的压力下进行。
54.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)在约8托至约12托的压力下进行。
55.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)在约8托的压力下进行。
56.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)在约9托的压力下进行。
57.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)在约10托的压力下进行。
58.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)在约11托的压力下进行。
59.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中步骤(i)在约12托的压力下进行。
60.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述ru(i)前体包括式1的吡唑钌前体：
61.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中r1、r2、r3和r4都不为h。
62.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述ru(i)前体包括式1的吡唑钌前体：
63.权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述ru(i)前体包括式1的吡唑钌前体：
64.权利要求1-3中任一项所述的方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘柏君，B·祖佩，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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