加热装置及化学气相沉积设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种加热装置及化学气相沉积设备。所述加热装置包括基板、承载平台以及限位边框。所述承载平台具有一承载面，其用于承载所述基板。所述限位边框围绕所述承载面设置。

Heating device and chemical vapor deposition equipment

【技术实现步骤摘要】
加热装置及化学气相沉积设备
本专利技术涉及显示面板
，特别是一种加热装置及化学气相沉积设备。
技术介绍
在TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)的制程中需要将通过CVD(ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积法)沉积绝缘层、介电层等结构层。在CVD设备的机台中具有Susceptor(加热装置)结构以及ShadowFrame(遮蔽边框)结构，主要作用为承载、加热和限制基板。但在现有技术的CVD设备中，ShadowFrame的存在会覆盖基板的边缘部分，使基板的边缘区域无法沉积薄膜，并使边缘区域由于机构地形突变、等离子体浓度变化，促使薄膜的沉积速率与中心区域差异大，导致膜厚变化大，从而影响成膜的平整度，使基板的边缘部分物无法使用，降低了基板的利用率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种加热装置及化学气相沉积设备，以解决现有技术中由于遮蔽边框的覆盖及机构地形的突变而导致边缘无法成膜，以及基板边缘的膜厚突变促使基板的整体平整度变差，从而导致基板边缘通常无法利用，降低了基板的整体利用率降低等问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种加热装置，所述加热装置包括基板、承载平台以及限位边框。所述承载平台具有一承载面，其用于承载所述基板。所述限位边框围绕所述承载面设置。进一步地，所述限位边框包括四块围板，所述围板相互垂直连接，围成一四边形边框结构。进一步地，所述限位边框还包括四块底板，所述底板垂直固定于所述围板靠近所述承载平台的一端。所述底板靠近所述承载面的一平行面与所述承载面齐平，部分基板承载于所述底板上。进一步地，所述承载平台的承载面的四周具有凹槽，所述底板固定于所述凹槽内进一步地，所述限位边框的表面覆有氧化膜。进一步地，所述限位边框的材料的耐热温度高于500℃。进一步地，所述限位边框的表面平整度小于0.5mm。进一步地，所述加热装置还包括加热丝，所述加热丝设于所述限位边框内。进一步地，所述加热装置还包括冷却管和冷却介质，所述冷却管设于所述限位边框内，所述冷却介质填充于所述冷却管内。进一步地，所述加热装置，所述加热丝和所述冷却管交替设于所述限位边框内。本专利技术中还提供一种化学气相沉积设备，其包括如上所述的加热装置，还包括一升降装置，安装于所述承载平台与所述承载面相背的一表面上。本专利技术的优点是：本专利技术的一种加热装置以及热化气相沉积设备，通过改变所述加热装置的限位边框，将其承载平台的承载面加大，加大基板的沉积面积以及使用面板，提高了成膜的均一性以及基板的利用率。并且，通过限加热丝和冷却管还可以根据成膜需求调整成膜速率，进一步提高成膜平整度。附图说明图1为本专利技术实施例1中加热装置的层状结构示意图；图2为本专利技术实施例1-2中加热装置的俯视图；图3为本专利技术实施例1-2中限位边框的剖面示意图；图4为本专利技术实施例2中加热装置的层状结构示意图。图中部件表示如下：加热装置100；承载平台10；承载面11；凹槽12；限位边框20；围板21；底板22；氧化膜23；基板30；加热丝40；冷却管50；升降装置200。具体实施方式以下参考说明书附图介绍本专利技术的优选实施例，证明本专利技术可以实施，所述专利技术实施例可以向本领域中的技术人员完整介绍本专利技术，使其
技术实现思路
更加清楚和便于理解。本专利技术可以通过许多不同形式的专利技术实施例来得以体现，本专利技术的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。附图所示的每一部件的尺寸和厚度是任意示出的，本专利技术并没有限定每个组件的尺寸和厚度。为了使图示更清晰，附图中有些地方适当夸大了部件的厚度。此外，以下各专利技术实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定专利技术实施例。本专利技术中所提到的方向用语，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等，仅是参考附加图式的方向，因此，使用的方向用语是为了更好、更清楚地说明及理解本专利技术，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。当某些部件被描述为“在”另一部件“上”时，所述部件可以直接置于所述另一部件上；也可以存在一中间部件，所述部件置于所述中间部件上，且所述中间部件置于另一部件上。当一个部件被描述为“安装至”或“连接至”另一部件时，二者可以理解为直接“安装”或“连接”，或者一个部件通过一中间部件间接“安装至”、或“连接至”另一个部件。实施例1本专利技术实施例中提供了一种化学气相沉积设备，其中所述化学气相沉积设备具有一加热装置100，如图1所示，所述加热装置100具有承载平台10以及限位边框20。所述承载平台10用于承载基板30，其具有一承载面11，所述基板30承载于所述承载面11上。在所述化学气相沉积设备中还可以具有一升降装置200，所述升降装置200可以带动所述承载平台10上升或下降。如图2所示，所述限位边框20围绕所述承载平台10的承载面11设置，其用于限制所述基板30的位置，将所述基板30固定在所述承载平台10上，防止其移动。所述限位边框20的材料为耐热温度高于500℃的材料，例如包含铝、铜、钼等材料的金属和合金，抑或如陶瓷等非金属材料。所述限位边框20的表面平整度小于0.5mm，并且其表面还经过阳极氧化处理，使其表面覆有一层氧化膜23，用于保护所述限位边框20，并防止在设备使用过程产生粒子影响产品的生产。所述限位边框20具有四块围板21和四块底板22，所述围板21和所述底板22可以一体成型可以通过拼接成型。所述底板22互相垂直连接，并围成一四边形的边框结构，同时所述承载平台10承载面11的四周具有凹槽12，所述底板22固定于所述凹槽12内。其中，所述凹槽12的深度与所述底板22的高度相同，促使所述底板22靠近所述承载面11的一平行面与所述承载面11齐平，使所述底板22和所述承载平台10能够同时装载所述基板30。所述围板21也互相垂直连接，并围成一四边形的边框结构。所述围板21垂直连接于所述底板22远离所述承载面11的一端上，并与所述底板22组合成如图1中所示的“L”形结构。其中，所述承载平台10的承载面11低于所述围板21的顶端，促使所述限位边框20的围板21能够限制所述承载平台10上基板30的移动，防止所述基板30移位、掉落。在本专利技术实施例中提供了一种“L”形结构的限位边框20，在本专利技术的其他实施例中，还提供“l”形结构的限位边框20及或其他具有限位作用的限位边框20，其连接结构与本专利技术实施例中的“L”形结构的限位边框20相同，因此不在此做过多赘述。基于本申请中的实施例，本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种加热装置，其特征在于，包括：/n基板；/n承载平台，其具有一承载面，用于承载所述基板；/n限位边框，围绕所述承载面设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种加热装置，其特征在于，包括：
基板；
承载平台，其具有一承载面，用于承载所述基板；
限位边框，围绕所述承载面设置。


2.如权利要求1所述加热装置，其特征在于，所述限位边框包括：
四块围板，相互垂直连接，围成一四边形边框结构。


3.如权利要求2所述的加热装置，其特征在于，所述限位边框还包括：
四块底板，垂直固定于所述围板靠近所述承载平台的一端；
所述底板靠近所述承载面的一平行面与所述承载面齐平，部分基板承载于所述底板上。


4.如权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述限位边框的表面覆有氧化膜。


5.如权利要求1所述的加...

【专利技术属性】
技术研发人员：余华华，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44