加热装置及化学气相沉积设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种加热装置及化学气相沉积设备。所述加热装置包括基板、承载平台以及限位边框。所述承载平台具有一承载面，其用于承载所述基板。所述限位边框围绕所述承载面设置。

Heating device and chemical vapor deposition equipment

【技术实现步骤摘要】
加热装置及化学气相沉积设备
本专利技术涉及显示面板
，特别是一种加热装置及化学气相沉积设备。
技术介绍
在TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)的制程中需要将通过CVD(ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积法)沉积绝缘层、介电层等结构层。在CVD设备的机台中具有Susceptor(加热装置)结构以及ShadowFrame(遮蔽边框)结构，主要作用为承载、加热和限制基板。但在现有技术的CVD设备中，ShadowFrame的存在会覆盖基板的边缘部分，使基板的边缘区域无法沉积薄膜，并使边缘区域由于机构地形突变、等离子体浓度变化，促使薄膜的沉积速率与中心区域差异大，导致膜厚变化大，从而影响成膜的平整度，使基板的边缘部分物无法使用，降低了基板的利用率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种加热装置及化学气相沉积设备，以解决现有技术中由于遮蔽边框的覆盖及机构地形的突变而导致边缘无法成膜，以及基板边缘的膜厚突变促使基板的整体平整度变差，从而导致基板边缘通常无法利用，降低了基板的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种加热装置，其特征在于，包括：/n基板；/n承载平台，其具有一承载面，用于承载所述基板；/n限位边框，围绕所述承载面设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种加热装置，其特征在于，包括：
基板；
承载平台，其具有一承载面，用于承载所述基板；
限位边框，围绕所述承载面设置。


2.如权利要求1所述加热装置，其特征在于，所述限位边框包括：
四块围板，相互垂直连接，围成一四边形边框结构。


3.如权利要求2所述的加热装置，其特征在于，所述限位边框还包括：
四块底板，垂直固定于所述围板靠近所述承载平台的一端；
所述底板靠近所述承载面的一平行面与所述承载面齐平，部分基板承载于所述底板上。


4.如权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述限位边框的表面覆有氧化膜。


5.如权利要求1所述的加...

【专利技术属性】
技术研发人员：余华华，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44