【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、化学气相淀积设备，简称cvd设备，是半导体芯片前道工艺薄膜沉积的关键设备。薄膜沉积一般需要将晶圆温度控制在400℃-650℃之间，这样就需要使用到加热器，而且在这一温度范围下除了保持晶圆温度的均匀性外，还需要保证加热部件在cvd过程中不被反应气体侵蚀而产生颗粒，对晶圆沉积膜层产生不良影响，因此，唯一可以选用的便是陶瓷加热器，陶瓷加热器由于特殊的制备工艺，需要将加热部件与陶瓷热压烧结成一个致密的整体从而来保证较高的加热效率及发热均匀性，且制备过程工序比较复杂，因此造价相对昂贵，并且沉积薄膜对晶圆受热的均匀性要求很高，受热越均匀，晶圆表面沉积所形成的薄膜质量就会越高，所以目前的陶瓷加热器采用一体化设计，从而来实现高效均匀的热传导功能。然而在实际操作过程当中，技术人员又发现了新的问题，一般加热器分两种，一种具有吸附晶圆的功能，一种不具有吸附晶圆的功能。有一种情况是，当原来的加热器不具有吸附功能，我们希望制作一种将不具有吸附功能的加热器可以随时更换成具有吸附功能的加热器。现有技术中这是两种功能的加热器，不会混用。另外，由于陶瓷加热器长期在高温且具有腐蚀性的气体中工作，不免对陶瓷表面造成腐蚀伤害，尤其是加热器的上表面受到腐蚀的程度最为严重，即使只有上表面损坏也需要更换整个陶瓷加热器，缩短了陶瓷加热器的使用寿命，从而增加了芯片制备的成本。为了节约生产成本，根据以上需要解决的问题，在原有基础上创新专利技术出一种可节约芯片生产成本的陶瓷加热器尤为重要。
技术实现思路
1、有鉴于此，
2、射频部件引出电极为的金属引出电极，所述引出电极连接于所述金属层并由陶瓷管内部穿过与电极层连接。
3、通过对射频部件引出电极施加高频，还能够将射频部件引出电极用作等离子体接地电极。
4、当所述晶圆承载件体积电阻率控制在1e8ω·cm～1e12ω·cm时，对所述金属层施加高压，则对晶圆产生静电吸附功能。
5、陶瓷管壁内的贯通气孔21为从陶瓷管底部贯通到陶瓷管表面的直线贯通气孔，与从加热部件11底部加工出与加热部件上表面相通的气孔22相通，起到流通气体的作用。
6、具体地，在所述加热部件的上表面加工气隙面凸台。
7、本申请首先提供一种用在晶圆加热器上的晶圆加热承载结构，所述结构包括：
8、晶圆承载件，其具有第一表面和第二表面，其中，第一表面用于接触式承载晶圆；
9、导热层，该导热层紧密接触所述晶圆承载件的第二表面，能够将热量传导到所述晶圆承载件上；
10、加热器，能够发热，该加热器紧密接触所述导热层，所述加热器能够发热。
11、如此，使用本专利技术的晶圆加热承载结构，即可方便地更换晶圆承载件，并且保证了导热效果。
12、可选地，根据本申请的实施方式，所述晶圆承载件为圆形板。
13、可选地，根据本申请的实施方式，所述晶圆承载件其第一表面设有尺寸跟晶圆匹配的晶圆放置槽。
14、通过不同晶圆尺寸匹配不同尺寸的晶圆放置槽，可以更好地固定晶圆的位置，保证每次放入晶圆的位置都是一样的，从而保证晶圆工艺过程中沉积膜层厚度的一致性。
15、可选地，根据本申请的实施方式，所述导热层为惰性气体。
16、可选地，根据本申请的实施方式，所述导热层为金属。
17、可选地，根据本申请的实施方式，所述导热层为硅胶。
18、可选地，根据本申请的实施方式，所述导热层为真空。
19、即，可以根据使用环境及对功能的不同要求，选择不同的导热层。
20、本申请还提出了一种晶圆加热器，所述结构包括：
21、晶圆承载件，其具有第一表面和第二表面，其中，第一表面用于接触式承载晶圆；
22、导热层，该导热层紧密接触所述晶圆承载件的第二表面，能够将热量传导到所述晶圆承载件上。
23、可选地，根据本申请的实施方式，所述晶圆加热器还包括加热部件，其为圆形，并能够发热，且具有第一表面和第二表面，该加热器第一表面紧密接触所述导热层。
24、可选地，根据本申请的实施方式，所述导热层由惰性气体或金属或硅胶或真空形成。
25、可选地，根据本申请的实施方式，所述晶圆加热器还包括陶瓷管，该陶瓷管设在所述加热器的第二表面。
26、可选地，根据本申请的实施方式，所述晶圆承载件的第一表面设有尺寸跟晶圆匹配的晶圆放置槽。
27、可选地，根据本申请的实施方式，当所述导热层由惰性气体形成时：
28、可选地，根据本申请的实施方式，所述陶瓷管中设有气孔；
29、可选地，根据本申请的实施方式，所述加热器第一表面设有直径在φ0.1mm-φ5mm之间、高度在5um-70um之间的凸台，能够在所述加热器与所述晶圆承载件间充盈惰性气体，将热量传导到所述晶圆承载件上。
30、上述方案中，可以更换该晶圆加热器晶圆承载件，同时利用惰性气体作为导热层，增强其热传导性。
31、可选地，根据本申请的实施方式，当所述导热层由金属形成时：
32、可选地，根据本申请的实施方式，所述晶圆加热器还包括射频部件引出电极，其连接所述导热层，能够靠静电吸附所述晶圆。
33、上述方案中，不单具有可拆卸性和热传导性，还可以提供静电吸附的功能，即增加电极层及控制晶圆承载件的体积电阻率在使用温度下为1e8～1e12ω·cm。
34、本申请还提供了用于晶圆加热器上的晶圆承载结构，所述结构包括：
35、晶圆承载件，其具有第一表面和第二表面，其中，第一表面用于接触式承载晶圆；
36、导热层，该导热层紧密接触所述晶圆承载件的第二表面，能够将热量传导到所述晶圆承载件上。
37、可选地，根据本申请的实施方式，所述晶圆承载件为圆形板，其第一表面设有尺寸跟晶圆匹配的晶圆放置槽；
38、可选地，根据本申请的实施方式，所述导热层由惰性气体或金属或硅胶或真空形成。
39、本申请还提供了用于晶圆加热器的金属导热层焊接方法，包括步骤：
40、喷砂，对所述接触面进行喷砂处理，使粗糙度达到ra0.4um-ra1.4um；
41、放置，将金属导热层放置于晶圆承载件和加热器之间；
42、加热，将晶圆承载件、加热器及金属箔片整体放入真空钎焊炉中，启动真空钎焊炉加热到对应金属箔片的焊接温度。
43、采用上述金属导热层焊接方法可以增强金属导热层的热传导性。
44、金属箔片可以本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种更换陶瓷加热器顶部结构使之具有静电吸附能力的方法，其特征在于，将所述陶瓷加热器做成分体结构，所述分体结构包括固定结构和可更换结构，所述固定结构为加热部件，所述可更换结构为晶圆承载件，在所述加热部件和所述晶圆承载件之间设置金属层，将所述晶圆承载件的体积电阻率在使用温度范围内控制在1E8Ω·cm～1E12Ω·cm，以实现静电吸附晶圆。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，射频部件引出电极为金属层引出电极，所述引出电极连接于所述金属层并由陶瓷管内部穿过与电极层连接。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过对射频部件引出电极施加高电压，还能够将射频部件引出电极用作接地电极。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述晶圆承载件在使用温度范围内体积电阻率控制在1E8Ω·cm～1E12Ω·cm时，对所述金属层施加高电压，则对晶圆产生静电吸附功能。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用金属层将所述晶圆承载件和所述加热部件焊接在一起，以拆焊方式更换所述晶圆承载件。
6.根据权利要求1所述的方法，其特
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将金属浆料通过丝网印刷或涂覆于所述加热部件的上表面。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述加热部件第一表面中心区域印刷或涂覆所述的金属层，在所述加热部件第一表面的周边区域印刷或涂覆无机浆料。
...【技术特征摘要】
1.一种更换陶瓷加热器顶部结构使之具有静电吸附能力的方法，其特征在于，将所述陶瓷加热器做成分体结构，所述分体结构包括固定结构和可更换结构，所述固定结构为加热部件，所述可更换结构为晶圆承载件，在所述加热部件和所述晶圆承载件之间设置金属层，将所述晶圆承载件的体积电阻率在使用温度范围内控制在1e8ω·cm～1e12ω·cm，以实现静电吸附晶圆。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，射频部件引出电极为金属层引出电极，所述引出电极连接于所述金属层并由陶瓷管内部穿过与电极层连接。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过对射频部件引出电极施加高电压，还能够将射频部件引出电极用作接地电极。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述晶圆承载件在使用温度范围内体积电阻率控制在1e8ω·cm～1e12ω...
【专利技术属性】
技术研发人员：何琪娜，施建中，刘先兵，
申请(专利权)人：苏州珂玛材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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