一种沉积炉管制造技术

本发明专利技术提供一种沉积炉管，包括反应腔、加热器、晶舟、底座及辅助加热部。反应腔的一端封闭，另一端具有开口。加热器围绕反应腔的外周设置。晶舟位于反应腔内，用于承载多个批次的晶圆。底座支撑晶舟，底座能够带动晶舟移入反应腔并将开口封闭，或带动晶舟移出反应腔。辅助加热部设置于反应腔的一端，位于晶舟的上方，辅助加热部配置为在加热器加热的同时对位于晶舟顶部的晶圆的中部加热。

A deposition furnace tube

【技术实现步骤摘要】
一种沉积炉管
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种用于在晶圆上沉积薄膜的炉管。
技术介绍
在半导体制造工艺中，需要在晶圆上沉积各种薄膜。在各种沉积薄膜的方法中，化学气相沉积(CVD，ChemicalVaporDeposition)是一种常用的方法，已经被广泛地应用于各种薄膜的沉积工艺中。化学气相沉积是将反应气体输送到沉积炉管，使其与炉管内的晶圆在一定条件下发生化学反应，以此在晶圆表面沉积一层薄膜。例如，在动态随机存取存储器DRAM(DynamicRandomAccessMemory)的结构中，必须在侧壁上形成一侧壁绝缘层，侧壁绝缘层在DRAM应用上,可以隔离栓导电层(参杂多晶硅)与位线(金属)，藉以避免短路造成器件(Device)失效。侧壁绝缘层的材料可包括氮化硅，其可通过低压化学气相沉积(LPCVD，LowPressureChemicalVaporDeposition)，使用沉积炉管在晶圆上沉积氮化硅形成氮化硅薄膜，接着通过例如蚀刻等工艺，获得侧壁绝缘层。因此，随着DRAM的工艺持续微缩至10纳米等级，在元件大幅微缩的条本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沉积炉管，包括：/n反应腔，其一端封闭，另一端具有开口；/n加热器，围绕反应腔的外周设置；/n晶舟，位于反应腔内，用于承载多个批次的晶圆；/n底座，支撑晶舟，底座能够带动晶舟移入反应腔并将开口封闭，或带动晶舟移出反应腔；及/n辅助加热部，设置于反应腔的一端，位于晶舟的上方，配置辅助加热部为在加热器加热的同时对位于晶舟顶部的晶圆的中部加热。/n

【技术特征摘要】
1.一种沉积炉管，包括：
反应腔，其一端封闭，另一端具有开口；
加热器，围绕反应腔的外周设置；
晶舟，位于反应腔内，用于承载多个批次的晶圆；
底座，支撑晶舟，底座能够带动晶舟移入反应腔并将开口封闭，或带动晶舟移出反应腔；及
辅助加热部，设置于反应腔的一端，位于晶舟的上方，配置辅助加热部为在加热器加热的同时对位于晶舟顶部的晶圆的中部加热。


2.如权利要求1所述的沉积炉管，其中，辅助加热部至少部分的覆盖反应腔的一端的内表面。


3.如权利要求1所述的沉积炉管，其中，辅助加热部、晶舟及反应腔同轴设置。


4.如权利要求1所述的沉积炉管，其中，辅助加热部包括电阻丝。


5.如权利要求4所述的沉积炉管，其中，电阻丝为圆盘形，且辅助加热部中部的电阻丝的密度大于辅助加热部外周的电阻丝的密度。

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34