半导体结构的形成方法技术

披露了一种半导体结构的形成方法。该方法包括提供第一导电特征部件，该第一导电特征部件具有形成于其上的介电层。开口形成于介电层中以露出第一导电特征部件的部分。第一阻障层形成于第一导电特征部件之上以及介电层的顶表面之上。第二阻障层形成于第一阻障层之上以及开口的侧壁上。第二阻障层被移除，而第一阻障层的至少一部分设置于第一导电特征部件之上。第二导电特征部件形成于第一阻障层的上述部分之上。第二导电特征部件的侧壁直接接触介电层。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法
本专利技术实施例总体上关于集成电路装置，且特别关于用于集成电路装置的互连结构，以及与之相关的半导体结构的形成方法。
技术介绍
集成电路(IC)工业经历了快速的成长。集成电路材料与设计上的技术进展已产生了数个集成电路世代，其中每一世代具有比前一世代更小且更复杂的电路。在集成电路演进的过程中，功能密度(亦即，单位晶片面积上的互连装置的数量)普遍地增加而几何尺寸(亦即，使用一工艺能产生的最小元件(或线))则降低。此缩小过程通常经由提高生产效率以及降低相关成本而提供许多优点。此缩小过程亦增加了集成电路工艺与制造上的复杂性，为了实现这些进步，集成电路工艺与制造上需要有相应的发展。举例而言，随着特征尺寸的缩小以及深宽比(aspectratio)的增加，发现被应用于多层互连结构(例如：装置层级接触部与导孔)中的阻障层增加了接触电阻(contactresistance)且限制了互连结构中导电材料的数量。因此，虽然现有的接触特征部件总体上适用于其目的，但并非在各方面都令人满意。
技术实现思路
本专利技术实施例包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，包括：/n提供一第一导电特征部件，该第一导电特征部件具有形成于其上的一介电层；/n于该介电层中形成一开口以露出该第一导电特征部件的一部分；/n于该第一导电特征部件之上以及该介电层的一顶表面之上形成一第一阻障层；/n于该第一阻障层之上以及该开口的多个侧壁上形成一第二阻障层；/n移除该第二阻障层，而该第一阻障层的至少一部分设置于该第一导电特征部件之上；以及/n于该第一阻障层的该部分之上形成一第二导电特征部件，其中该第二导电特征部件的多个侧壁直接接触该介电层。/n

【技术特征摘要】
20180924 US 62/735,507;20190308 US 16/297,1171.一种半导体结构的形成方法，包括：
提供一第一导电特征部件，该第一导电特征部件具有形成于其上的一介电层；
于该介电层中形成一开口以露出该第一导电特征部件...

【专利技术属性】
技术研发人员：程仲良，方子韦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71