【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】金属互连、装置、以及方法
技术介绍
集成电路（IC）装置通常包括形成在半导体衬底内或半导体衬底上的电路元件（诸如晶体管、电容器和电阻器）。互连结构用于将分立电路元件电耦合或连接到功能电路中。互连结构通常包括铜或钨。然而，铜和钨引起关于按比例增大互连大小的一个或多个困难。例如，当使用铜或钨时，互连的无空隙制造是困难的。当使用铜时，通常需要阻挡/粘附层和籽晶层，并且铜互连的处理通常依赖于场抑制/超填充方法。当使用钨时，通常需要阻挡/粘附层和成核层。成核层倾向于具有相对高的电阻，并且钨的处理通常依赖于化学气相沉积（CVD）或保形工艺，这可能在互连结构中引起接缝、孔眼或其组合。此外，铜互连结构的电阻率可随着结构尺寸的减小（随着特征按比例缩放）而增加，并且当结构几何尺寸按比例缩放时，电流密度要求可能增加，这可能使其电迁移性能变差。由于与铜或钨相关联的一个或多个缺点，钴已经被测试为互连中的替代材料。钴通常具有：[1]比钨成核层和Ta阻挡层更低的电阻率，[2]比铜更高的熔点，这导致用于扩散的高活化能，从而改善可靠性/电迁移，[3]在退火时再结晶...
【技术保护点】
1.一种金属互连，包括：根据式（I）或（II）的化合物-/nCo
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种金属互连，包括：根据式（I）或（II）的化合物-
CoaQqZz（式（I）），
NidXeYf（式（II））；
其中a、q和z是基于根据式（I）的所述化合物的总重量的重量百分比，a为约50%至约99.99%，q为约0.01%至约50%，并且z为0%至约49.9%；
当z为0%时，Q选自Ni、Al、Mn、Si、Cr、V、Mo、Zr、Nb、Ta或W；
当Z不为0%时，Q选自Ni、Al、Mn、Si、Cr、V、Zr、Nb或Ta，并且Z选自Mo或W；
其中d、e和f是基于根据式（II）的所述化合物的总重量的重量百分比，d为约50%至100%，e为0%至约50%，f为0%至约49.99%；
当f为0%时，X选自Co、Al、Mn、Si、Cr、V、Mo、Zr、Nb、Ta或W；
当f不为0%时，X选自Co、Al、Mn、Si、Cr、V、Zr、Nb或Ta，并且Y选自Mo或W。
2.如权利要求1所述的金属互连，还包括以下材料或层中的两种或更多种：（i）阻挡和/或粘附层，（ii）籽晶层，（iii）填充材料，或（iv）帽，其中根据式（I）或式（II）的所述化合物存在于所述阻挡和/或粘附层、所述籽晶层、所述填充材料、或所述帽中的至少一个中。
3.如权利要求1或2所述的金属互连，其中所述金属互连包括根据式（I）的所述化合物，其中Q为Ni，a为约80%至约95%，q为约5%至约20%，并且z为0%。
4.如权利要求1或2所述的金属互连，其中所述金属互连包括根据式（I）的所述化合物，其中Q为Ni，a为约84%至约88%，q为约12%至约16%，并且z为0%。
5.如权利要求1或2所述的金属互连，其中所述金属互连包括根据式（I）的所述化合物，其中Q为Ni，a为约86%，q为约14%，并且z为0%。
6.如权利要求1或2所述的金属互连，其中所述金属互连包括根据式（I）的所述化合物，其中Q为Ni，a为约96%至约99%，q为约1%至约4%，并且z为0%。
7.如权利要求1或2所述的金属互连，其中所述金属互连包括根据式（I）的所述化合物，其中Q为Ni，a为约97%，q为约3%，并且z为0%。
8.如权利要求1或2所述的金属互连，其中所述金属互连包括根据式（I）的所述化合物，其中Q为Si，并且z为0%。
9.如权利要求1或2所述的金属互连，其中所述金属互连包括根据式（II）的所述化合物，其中e和f为0%。
10.一种形成金属互连的方法，所述方法包括：
设置镶嵌或双镶嵌结构；
在所述镶嵌或所述双镶嵌结构上沉积阻挡和/或粘附层；
在所述阻挡和/或粘附层上沉积籽晶层；
在所述镶嵌或所述双镶嵌结构中沉积填充材料；以及
在所述填充材料上沉积（i）过载体，或（ii）帽；
其中所述阻挡和/或粘附层、所述籽晶层、所述填充材料、所述过载体、或所述帽中的至少一个包含根据式（I）或式（II）的化合物-
CoaQqZz（式（I）），
NidXeYf（式（II））；
其中a、q和z是基于根据式（I）的所述化合物的总重量的重量百分比，a为约50%至约99.99%，...
【专利技术属性】
技术研发人员：D齐拉思，S穆赫吉，J法默，C甘普尔，J林，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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