形成导电互连线的方法技术

本发明专利技术提供了一种形成导电互连线的方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有导电层；刻蚀所述导电层以得到导电互连线；对形成有所述导电互连线的半导体器件执行湿法清洗工艺；执行烘烤工艺以及执行氧化工艺。在本发明专利技术中，执行湿法清洗工艺之后，增加烘烤工艺和氧化工艺，其中，所述烘烤工艺可以去除湿法清洗工艺后所述导电互连线表面的水汽，所述氧化工艺可以使得所述导电互连线的表面生长出致密的氧化膜，避免了所述导电互连线与残留的刻蚀副产物发生反应的情况，从而避免了导电互连线的腐蚀缺陷的情况，提高了产品的良率和产品的可靠性。

The method of forming conductive interconnect

【技术实现步骤摘要】
形成导电互连线的方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种形成导电互连线的方法。
技术介绍
半导体制造工艺中，导电层在执行干法刻蚀工艺并得到导电互连线之后，会采用湿法清洗工艺来清洗干法刻蚀工艺产生的副产物(例如氯气、氯化合物、氟化物等等)。但是湿法清洗工艺之后，导电互连线容易产生腐蚀缺陷，导电互连线的腐蚀缺陷会严重影响产品的良率，甚至会造成产品直接报废。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种形成导电互连线的方法，以解决导电互连线被残留的刻蚀副产物腐蚀的问题。为解决上述技术问题，一种形成导电互连线的方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有导电层；刻蚀所述导电层以得到导电互连线；对形成有所述导电互连线的半导体器件执行湿法清洗工艺；对形成有所述导电互连线的半导体器件执行烘烤工艺；以及对所述导电互连线执行氧化工艺。可选的，在所述形成导电互连线的方法中，执行烘烤工艺的温度为150℃～300℃。可选的，在所述形成导电互连线的方法中，执行烘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成导电互连线的方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，所述衬底上形成有导电层；/n刻蚀所述导电层以得到导电互连线；/n对形成有所述导电互连线的半导体器件执行湿法清洗工艺；/n对形成有所述导电互连线的半导体器件执行烘烤工艺；以及/n对所述导电互连线执行氧化工艺。/n

【技术特征摘要】
1.一种形成导电互连线的方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底上形成有导电层；
刻蚀所述导电层以得到导电互连线；
对形成有所述导电互连线的半导体器件执行湿法清洗工艺；
对形成有所述导电互连线的半导体器件执行烘烤工艺；以及
对所述导电互连线执行氧化工艺。


2.如权利要求1所述的形成导电互连线的方法，其特征在于，执行烘烤工艺的温度为150℃～300℃。


3.如权利要求1所述的形成导电互连线的方法，其特征在于，执行烘烤工艺的时间为60s～90s。


4.如权利要求1所述的形成导电互连线的方法，其特征在于，利用氮气、联氨、氩气和二氧化碳中的至少一种与氧气的混合气体进行所述氧化工艺。


5.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘冲，严强生，曹秀亮，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31