电容器制造技术

具备：基材(110)，其具有相互对置的第一主面(110A)以及第二主面(110B)，并在第一主面(110A)侧形成有多个沟道部(111)；介电膜(130)，其在基材(110)的第一主面(110A)侧设置在包含多个沟道部(111)的内侧的区域；导电体膜(140)，其设置在包含多个沟道部(111)的内侧的区域且设置在介电膜(130)之上；以及焊盘(161)，其与导电体膜(140)电连接，多个沟道部(111)在从基材(110)的第一主面(110A)的法线方向俯视时，避开焊盘(161)的周围的区域中沿与焊盘(161)电连接的焊线(162)延伸的第一方向X的第一区域(101)而设置在沿与第一方向X交叉的第二方向Y的第二区域(102)。

Capacitor

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电容器
本专利技术涉及电容器。
技术介绍
为了与安装电容器的电子设备的高功能化·小型化对应，电容器要求电容密度的提高。例如，在专利文献1公开了具有在基板的贯通孔内以中心导体为中心同轴状地配置了电介质和外侧导体的多个电容器结构部、和形成在基板的表面侧并与中心导体电连接的上面布线，将上面布线作为连接端子，连接端子经由焊线与外部端子连接的半导体装置。由此，即使不扩大芯片面积也能够使电容器结构部的电容器电容增加。然而，例如使用超声波将这样的电容器的连接端子(焊盘)与焊线相互连接。在使用了超声波的引线键合中，通过将焊线按压至焊盘，并施加超声波以使焊线与焊盘的接合部向一个方向振动，使焊线与焊盘接合。超声波的振动方向典型而言是焊线的延伸方向。专利文献1：日本专利第5522077号公报如专利文献1所图示的那样，在焊盘和电容器结构部沿焊线的延伸方向排列的情况下，有由于引线键合时的超声波而电容器结构部损伤的担心。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的情况而完成的，目的在于提供能够实现可靠性的提高的电容器。本专利技术的一方式所涉及的电容器具备：基材，其具有相互对置的第一主面以及第二主面，并在第一主面侧形成有多个沟道部；介电膜，其在基材的第一主面侧设置在包含多个沟道部的内侧的区域；导电体膜，其设置在包含多个沟道部的内侧的区域且设置在介电膜之上；以及焊盘，其与导电体膜电连接，多个沟道部在从基材的第一主面的法线方向俯视时，避开焊盘的周围的区域中沿与焊盘电连接的焊线延伸的第一方向的第一区域而设置在沿与第一方向交叉的第二方向的第二区域。本专利技术的其它的一方式所涉及的电容器具备：基材，其具有相互对置的第一主面以及第二主面，并在第一主面侧形成有多个沟道部；介电膜，其在基材的第一主面侧设置在包含多个沟道部的内侧的区域；导电体膜，其设置在包含多个沟道部的内侧的区域且设置在介电膜之上；以及焊盘，其与导电体膜电连接，多个沟道部在从基材的第一主面的法线方向俯视时，沿第一方向具有细长的开口形状。本专利技术的其它的一方式所涉及的电容器具备：基材，其具有相互对置的第一主面以及第二主面，并在第一主面侧形成有多个沟道部；介电膜，其在基材的第一主面侧设置在包含多个沟道部的内侧的区域；导电体膜，其设置在包含多个沟道部的内侧的区域且设置在介电膜之上；以及焊盘，其与导电体膜电连接，多个沟道部在从基材的第一主面的法线方向俯视时，设置为焊盘的周围的区域中沿与焊盘电连接的焊线延伸的第一方向的第一区域的开口面积密度比沿与第一方向交叉的第二方向的第二区域的开口面积密度小。根据本专利技术，能够提供能够实现可靠性的提高的电容器。附图说明图1是示意地表示第一实施方式所涉及的电容器的构成的俯视图。图2是示意地表示沿图1所示的电容器的II－II′线的剖面的构成的剖视图。图3是示意地表示第二实施方式所涉及的电容器的构成的俯视图。图4是示意地表示第三实施方式所涉及的电容器的构成的俯视图。图5是示意地表示第四实施方式所涉及的电容器的构成的俯视图。图6是示意地表示第五实施方式所涉及的电容器的构成的俯视图。图7是示意地表示第六实施方式所涉及的电容器的构成的俯视图。图8是示意地表示第七实施方式所涉及的电容器的构成的俯视图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。另外，在第二实施方式以后，利用与第一实施方式相同或者类似的附图标记表示与第一实施方式相同或者类似的构成要素，并适当地省略详细的说明。另外，对在第二实施方式以后的实施方式中得到的效果，对与第一实施方式相同的效果适当地省略说明。各实施方式的附图为例示，各部的尺寸、形状是示意性的，并不应该理解为将本申请专利技术的技术范围限定为该实施方式。＜第一实施方式＞首先，参照图1以及图2，对本专利技术的第一实施方式所涉及的电容器100的构成进行说明。图1是示意地表示第一实施方式所涉及的电容器的构成的俯视图。图2是示意地表示沿图1所示的电容器的II－II′线的剖面的构成的剖视图。此外，图中所示的第一方向X、第二方向Y、以及第三方向Z分别是相互正交的方向，但只要是相互交叉的方向则并不限定于此，也可以是相互以90°以外的角度交叉的方向。另外，第一方向X、第二方向Y、以及第三方向Z分别指交叉的不同的方向，各方向并不限定于图1所示的箭头的正方向，也包含与箭头相反的负方向。电容器100在从基材110的第一主面110A的法线方向俯视时，具有第一区域101、第二区域102以及第三区域103。第三区域103是指与后述的焊盘161重叠的区域，且在从基材110的第一主面110A的法线方向俯视时与焊盘161大致为相同的大小的区域。第一区域101是焊盘161的周围的区域中，沿第一方向X的区域。第二区域102是焊盘161的周围的区域中，沿第二方向Y的区域。第一区域101在第一方向X与第三区域103并排，第二区域102在第二方向Y与第三区域103并排。第一区域101具有相对于第三区域103位于第一方向X的正方向侧的第一部分区域101A、和相对于第三区域103位于第一方向X的负方向侧的第二部分区域101B。第一部分区域101A以及第二部分区域101B在第一方向X与第三区域103相邻。作为一个例子，第一部分区域101A以及第二部分区域101B沿第二方向Y的宽度与第三区域103同等，沿第一方向X的宽度与第三区域103同等。第二区域102具有相对于第三区域103位于第二方向Y的正方向侧的第三部分区域102A、和相对于第三区域103位于第二方向Y的负方向侧的第四部分区域102B。第三部分区域102A以及第四部分区域102B在第二方向Y与第三区域103相邻。作为一个例子，第三部分区域102A以及第四部分区域102B沿第一方向X的宽度与第三区域103同等，沿第二方向Y的宽度与第三区域103同等。此外，也可以第一部分区域101A、第二部分区域101B、第三部分区域102A、以及第四部分区域102B的面积比第三区域103大，也可以是从第三区域103的端部延伸至电容器100的端部的带状的区域。电容器100具备基材110、第一导电体膜120、介电膜130、第二导电体膜140、绝缘体膜150、以及焊盘161。在电容器100连接有焊线162。基材110例如是由具有导电性的低电阻的硅基板构成的单层结构。基材110在第三方向Z的正方向侧具有第一主面110A，在第三方向Z的负方向侧具有第二主面110B。第一主面110A例如是结晶方位表示为＜100＞的结晶面。第一主面110A以及第二主面110B是与根据第一方向X以及第二方向Y确定的面平行的面(以下，“XY面”。)。基材110也可以是石英等绝缘性基板。另外，基材110也可以是多层结构，例如也可以是由导电性基板和绝缘体膜构成的层叠体。基材110在第一主面110A侧形成多个沟道部111。沟道部111是在第一主面110A侧具有开口部的有底的凹部，例如底在俯视时形成为圆形。沟道部111的深度在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容器，具备：/n基材，具有相互对置的第一主面以及第二主面，并在上述第一主面侧形成有多个沟道部；/n介电膜，设置在上述基材的上述第一主面侧且在包含上述多个沟道部的内侧的区域；/n导电体膜，设置在包含上述多个沟道部的内侧的区域且在上述介电膜之上；以及/n焊盘，与上述导电体膜电连接，/n在从上述基材的上述第一主面的法线方向俯视时，上述多个沟道部在上述焊盘的周围的区域中避开第一区域而设置在第二区域，上述第一区域沿与上述焊盘电连接的焊线延伸的第一方向延伸，上述第二区域沿与上述第一方向交叉的第二方向延伸。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170919 JP 2017-1788261.一种电容器，具备：
基材，具有相互对置的第一主面以及第二主面，并在上述第一主面侧形成有多个沟道部；
介电膜，设置在上述基材的上述第一主面侧且在包含上述多个沟道部的内侧的区域；
导电体膜，设置在包含上述多个沟道部的内侧的区域且在上述介电膜之上；以及
焊盘，与上述导电体膜电连接，
在从上述基材的上述第一主面的法线方向俯视时，上述多个沟道部在上述焊盘的周围的区域中避开第一区域而设置在第二区域，上述第一区域沿与上述焊盘电连接的焊线延伸的第一方向延伸，上述第二区域沿与上述第一方向交叉的第二方向延伸。


2.一种电容器，其中，具备：
基材，具有相互对置的第一主面以及第二主面，并在上述第一主面侧形成有多个沟道部；
介电膜，设置在上述基材的上述第一主面侧且在包含上述多个沟道部的内侧的区域；
导电体膜，设置在包含上述多个沟道部的内侧的区域且在上述介电膜之上；以及
焊盘，与上述导电体膜电连接，
在从上述基材的上述第一主面的法线方向俯视时，上述多个沟道部沿第一方向具有细长的开口形状。


3.根据权利要求2所述的电容器，其中，
在从上述基材的上述第一主面的法线方向俯视时，上述多个沟道部设置为在上述焊盘的周围的区域中沿与上述焊盘电连接的焊线延伸的上述第一方向的第一区域的开口面积密度比沿与上述第一方向交叉的第二方向的第二区域的开口面积密度小。

【专利技术属性】
技术研发人员：竹内雅树，芦峰智行，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP