太赫兹元件、半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的一方案提供的太赫兹元件具备半导体基板、第一导电层、第二导电层、能动元件。上述第一导电层以及第二导电层分别形成于上述半导体基板且相互绝缘。上述能动元件形成于上述半导体基板并与上述第一导电层以及上述第二导电层导通。上述第一导电层包括沿第一方向延伸的第一天线部、在上述半导体基板的厚度方向视角上相对于上述能动元件位于第二方向侧的第一电容部、连接于上述第一电容部的第一导电部。上述第二方向与上述厚度方向和上述第一方向正交。上述第二导电层包括第二电容部。上述第二电容部层叠于上述第一电容部且从上述第一电容部绝缘。上述半导体基板包括从上述第一电容部以及上述第二电容部露出的露出部。上述第一导电部具有在上述厚度方向视角上隔着上述露出部从上述第一天线部向上述第二方向离开的部位。

Terahertz components, semiconductor devices

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太赫兹元件、半导体装置
本专利技术涉及太赫兹元件、半导体装置。
技术介绍
近年来，晶体管等的电子装置的小型化进步，由于其大小为纳米尺寸，因此能观测被称为量子效果的新现象。并且，进行以利用了该量子效果的超高速装置、新功能装置的实现为目标的开发。在那样的环境中，还进行利用被称为太赫兹带的频率为0.1THz～10THz的频率区域而进行大容量通信、信息处理、或成像、测量等的试验。该频率区域是光与电波中间的未开发区域，如果实现在该频率带中进行动作的装置，则除上述的成像、大容量通信、信息处理以外，还能期待利用于物理、天文、生物等的各种领域中的测量等的多种用途。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方案提供太赫兹元件。上述太赫兹元件具备半导体基板、第一导电层、第二导电层、能动元件。上述第一导电层以及第二导电层分别形成于上述半导体基板且相互绝缘。上述能动元件形成于上述半导体基板且与上述第一导电层以及上述第二导电层导通。上述第一导电层包括沿第一方向延伸的第一天线部、在上述半导体基板的厚度方向视角上相对于上述能动元件位于第二方向侧的第一电容部、连本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太赫兹元件，其特征在于，/n具备：/n半导体基板；/n分别形成于上述半导体基板且相互绝缘的第一导电层以及第二导电层；以及/n形成于上述半导体基板且与上述第一导电层以及上述第二导电层导通的能动元件，/n上述第一导电层包括沿第一方向延伸的第一天线部、在上述半导体基板的厚度方向视角中相对于上述能动元件位于第二方向侧的第一电容部以及连接于上述第一电容部的第一导电部，上述第二方向与上述厚度方向和上述第一方向正交，/n上述第二导电层包括第二电容部，上述第二电容部层叠于上述第一电容部且从上述第一电容部绝缘，/n上述半导体基板包括从上述第一电容部以及上述第二电容部露出的露出部，/n上述第一导电部具有在...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170627 JP 2017-125370;20171018 JP 2017-2020211.一种太赫兹元件，其特征在于，
具备：
半导体基板；
分别形成于上述半导体基板且相互绝缘的第一导电层以及第二导电层；以及
形成于上述半导体基板且与上述第一导电层以及上述第二导电层导通的能动元件，
上述第一导电层包括沿第一方向延伸的第一天线部、在上述半导体基板的厚度方向视角中相对于上述能动元件位于第二方向侧的第一电容部以及连接于上述第一电容部的第一导电部，上述第二方向与上述厚度方向和上述第一方向正交，
上述第二导电层包括第二电容部，上述第二电容部层叠于上述第一电容部且从上述第一电容部绝缘，
上述半导体基板包括从上述第一电容部以及上述第二电容部露出的露出部，
上述第一导电部具有在上述厚度方向视角中隔着上述露出部从上述第一天线部向上述第二方向离开的部位。


2.根据权利要求1所述的太赫兹元件，其特征在于，
上述第二导电层包括沿与上述第一方向相反的第三方向延伸的第二天线部。


3.根据权利要求2所述的太赫兹元件，其特征在于，
上述第一导电层包括第一电感部，上述第一电感部连接于上述第一天线部以及上述第一电容部且沿上述第二方向从上述第一天线部延伸至上述第一电容部，
上述第二导电层包括第二电感部，上述第二电感部连接于上述第二天线部以及上述第二电容部且沿上述第二方向从上述第二天线部延伸至上述第二电容部。


4.根据权利要求2或3所述的太赫兹元件，其特征在于，
上述第一电容部具有在上述第一电容部中位于上述第一方向侧的第一电容部侧面，
上述第一电容部的上述第一电容部侧面位于比上述第一天线部的上述第一方向侧的前端靠上述第三方向侧，
上述第二电容部具有在上述第二电容部中位于上述第一方向侧的第一电容部侧面，
上述第二电容部的上述第一电容部侧面位于比上述第一天线部的上述第一方向侧的上述前端靠上述第三方向侧。


5.根据权利要求4所述的太赫兹元件，其特征在于，
上述第一电容部具有在上述第一电容部中位于上述第三方向侧的第二电容部侧面，
上述第一电容部的上述第二电容部侧面位于比上述第二天线部的上述第三方向侧的前端靠上述第一方向侧，
上述第二电容部具有在上述第二电容部中位于上述第三方向侧的第二电容部侧面，
上述第二电容部的上述第二电容部侧面位于比上述第二天线部的上述第三方向侧的上述前端靠上述第一方向侧。


6.根据权利要求1至5任一项所述的太赫兹元件，其特征在于，
上述第一电容部在上述第一方向上的尺寸与上述第二电容部在上述第一方向上的尺寸不同。


7.根据权利要求1至6任一项所述的太赫兹元件，其特征在于，
上述第一导电部具有从上述第一天线部向上述第二方向离开的第一导电部侧面，
上述第一导电部侧面沿上述第一方向延伸。


8.根据权利要求1至7任一项所述的太赫兹元件，其特征在于，<...

【专利技术属性】
技术研发人员：向井俊和，金在瑛，外山智一郎，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP