【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种非易失性存储器及其形成方法。
技术介绍
存储器(memory)是多数电子产品的重要组成部件，传统存储器包括只读存储器ROM、可编程只读存储器PROM、电可编程只读存储器EPROM、电可擦写可编程只读存储器EEPROM(也称为闪存FlashMemory)、动态随机存取存储器DRAM、以及静态随机存取存储器SRAM等等。这些存储器要么具有非易失性(无需持续供电就可维持数据，亦即断电后数据也不会丢失)，缺点是无法多次擦写(如ROM和PROM)；要么是易失性的(如DRAM和SRAM)，缺点是能耗较高；要么既具有非易失性也可多次擦写，缺点是存取速度较慢。为了克服传统存储器的这些缺点，许多新型存储器应运而生，如磁性随机存取存储器MRAM，铁电随机存取存储器FRAM，相变存储器PCM等，但是这些新型存储器仍然存在存取速度低或存储密度低的缺点。众所周知，微电子技术所追求的目标是使产品“更小、更快、更冷”，即尺寸更小、速度更快、能耗更低。自上个世纪60年代开始，电子...
【技术保护点】
1.一种非易失性存储器的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底上具有第一导电层；/n在基底和第一导电层上形成层间介质层，所述层间介质层中具有多个通孔，所述通孔暴露出第一导电层的表面；/n形成催化剂层，所述催化剂层位于所述通孔的侧壁和底部中至少二者之一的表面；/n形成催化剂层后，采用催化化学气相沉积法在通孔中形成碳纳米管层；/n在碳纳米管层和部分层间介质层上形成第二导电层。/n
【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底上具有第一导电层；
在基底和第一导电层上形成层间介质层，所述层间介质层中具有多个通孔，所述通孔暴露出第一导电层的表面；
形成催化剂层，所述催化剂层位于所述通孔的侧壁和底部中至少二者之一的表面；
形成催化剂层后，采用催化化学气相沉积法在通孔中形成碳纳米管层；
在碳纳米管层和部分层间介质层上形成第二导电层。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，采用催化化学气相沉积法在通孔中形成碳纳米管层的方法包括：向所述通孔中通入碳源气体；在所述催化剂层的催化作用下，碳源气体离解成自由碳原子沉积在所述通孔中，从而形成所述碳纳米管层。
3.根据权利要求2所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，所述碳源气体包括CO2和CF4中的任意一者或两者的组合；所述催化化学气相沉积法采用的温度为300摄氏度～600摄氏度。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，所述催化剂层位于所述通孔的侧壁表面，且所述催化剂层不位于所述通孔的底部表面。
5.根据权利要求4所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，形成所述催化剂层的方法包括：采用离子注入工艺将催化离子注入至所述通孔的侧壁表面和底部表面，在所述通孔的侧壁表面和底部表面形成初始催化剂层；去除位于通孔的底部表面的初始催化剂层，形成所述催化剂层。
6.根据权利要求4所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，采用离子注入工艺将催化离子注入至所述通孔的侧壁表面，且所述催化离子不被注入至所述通孔的底部表面，所述离子注入工艺的注入方向与基底表面呈倾斜角度，形成所述催化剂层。
7.根据权利要求1所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，所述催化剂层位于所述通孔的底部表面，且所述催化剂层不位于所述通孔的侧壁表面。
8.根据权利要求7所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，形成所述催化剂层的方法包括：采用离子注入工艺将催化离子注入至所述通孔的底部表面，且所述催化离子不被注入至所述通孔的侧壁表面，所述离子注入工艺的注入方向与基底表面垂直，形成所述催化剂层。
9.根据权利要求1所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，所述催化剂层位于所述通孔的侧壁表面和底部表面。
10.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：季明华，洪中山，应战，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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