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一种非易失性存储器及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有第一导电层；在基底和第一导电层上形成层间介质层，所述层间介质层中具有多个通孔，所述通孔暴露出第一导电层的表面；形成催化剂层，所述催化剂层位于所述通孔的侧壁和底部中至少二者...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。