高频开关制造技术

从输入输出端子(P251)向公共端子(P20)的功率的行进方向和从公共端子(P20)向外部连接端子(P10)的功率的行进方向成为相反方向的区间的长度比从输入输出端子(P211)向公共端子(P20)的功率的行进方向和从公共端子(P20)向外部连接端子(P10)的功率的行进方向成为相反方向的区间的长度长。FET(251)和FET(211)具有基于给定的输入功率的在FET(251)的漏极‑源极间传输的功率变得比在FET(211)的漏极‑源极间传输的功率大的构造。

High frequency switch

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高频开关
本专利技术涉及对公共端子选择性地连接多个输入输出端子的高频开关。
技术介绍
以往，在高频模块中多利用高频开关。例如，高频开关连接在多个种类的通信信号所公共的天线与按多个种类的通信信号的每一个配置的收发电路之间。高频开关具备公共端子和多个输入输出端子。而且，公共端子与天线连接，多个输入输出端子各自与每个通信信号的收发电路连接。作为这样的高频开关，多利用如专利文献1所示的使用了半导体的高频开关。专利文献1所示的高频开关具备多个FET(场效应晶体管)。多个FET各自分别连接在公共端子与多个输入输出端子之间。而且，该高频开关通过控制多个FET的断开以及导通，从而将多个输入输出端子中的任一个选择性地与公共端子连接。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-74027号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，在使用半导体形成高频开关的情况下，根据公共端子与多个输入输出端子的位置关系，有时会在将公共端子和多个输入输出端子分别进行连接的各传输路径之间产生插入损耗的偏差。即，有时本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高频开关，具备：/n半导体元件，形成有至少包含第一FET以及第二FET的多个FET；/n多个外部连接端子；以及/n成型构件，对所述半导体元件进行密封，/n所述半导体元件具备：/n公共端子；/n多个输入输出端子，至少包含第一端子以及第二端子；/n所述第一FET，连接在所述公共端子与所述第一端子之间；以及/n所述第二FET，连接在所述公共端子与所述第二端子之间，/n所述多个外部连接端子包含：公共端子用外部连接端子，与所述公共端子连接；第一外部连接端子，与所述第一端子连接；以及第二外部连接端子，与所述第二端子连接，/n在从所述第一外部连接端子向所述公共端子的信号的行进方向和从所述公共端子向所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170801 JP 2017-1487551.一种高频开关，具备：
半导体元件，形成有至少包含第一FET以及第二FET的多个FET；
多个外部连接端子；以及
成型构件，对所述半导体元件进行密封，
所述半导体元件具备：
公共端子；
多个输入输出端子，至少包含第一端子以及第二端子；
所述第一FET，连接在所述公共端子与所述第一端子之间；以及
所述第二FET，连接在所述公共端子与所述第二端子之间，
所述多个外部连接端子包含：公共端子用外部连接端子，与所述公共端子连接；第一外部连接端子，与所述第一端子连接；以及第二外部连接端子，与所述第二端子连接，
在从所述第一外部连接端子向所述公共端子的信号的行进方向和从所述公共端子向所述公共端子用外部连接端子的信号的行进方向成为相反方向的区间的长度比从所述第二外部连接端子向所述公共端子的信号的行进方向和从所述公共端子向所述公共端子用外部连接端子的信号的行进方向成为相反方向的区间的长度长的结构中，
所述第一FET和所述第二FET具有基于给定的输入功率的在所述第一FET的漏极-源极间传输的信号的功率变得比在所述第二FET的漏极-源极间传输的信号的功率大的构造。


2.根据权利要求1所述的高频开关，其中，
所述第一FET的栅极宽度比所述第二FET的栅极宽度宽。


3.根据权利要求1或2所述的高频开关，其中，还具备：
第一布线导体，连接在所述第一外部连接端子与所述第一端子之间；
第二布线导体，连接在所述第二外部连接端子与所述第二端子之间；以及
第三布线导体，连接在所述公共端子与所述公共端子用外部连接端子之间，
从所述第一外部连接端子向所述公共端子的信号的行进方向是所述第一布线导体中的信号的行进...

【专利技术属性】
技术研发人员：关健太，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP