高频开关制造技术

从输入输出端子(P251)向公共端子(P20)的功率的行进方向和从公共端子(P20)向外部连接端子(P10)的功率的行进方向成为相反方向的区间的长度比从输入输出端子(P211)向公共端子(P20)的功率的行进方向和从公共端子(P20)向外部连接端子(P10)的功率的行进方向成为相反方向的区间的长度长。FET(251)和FET(211)具有基于给定的输入功率的在FET(251)的漏极‑源极间传输的功率变得比在FET(211)的漏极‑源极间传输的功率大的构造。

High frequency switch

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高频开关
本专利技术涉及对公共端子选择性地连接多个输入输出端子的高频开关。
技术介绍
以往，在高频模块中多利用高频开关。例如，高频开关连接在多个种类的通信信号所公共的天线与按多个种类的通信信号的每一个配置的收发电路之间。高频开关具备公共端子和多个输入输出端子。而且，公共端子与天线连接，多个输入输出端子各自与每个通信信号的收发电路连接。作为这样的高频开关，多利用如专利文献1所示的使用了半导体的高频开关。专利文献1所示的高频开关具备多个FET(场效应晶体管)。多个FET各自分别连接在公共端子与多个输入输出端子之间。而且，该高频开关通过控制多个FET的断开以及导通，从而将多个输入输出端子中的任一个选择性地与公共端子连接。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-74027号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，在使用半导体形成高频开关的情况下，根据公共端子与多个输入输出端子的位置关系，有时会在将公共端子和多个输入输出端子分别进行连接的各传输路径之间产生插入损耗的偏差。即，有时会按每个通信信号在插入损耗产生差异。因此，本专利技术的目的在于，降低在将公共端子和多个输入输出端子分别进行连接的各传输路径之间的插入损耗的偏差。用于解决课题的技术方案(1)本专利技术的高频开关具备：半导体元件，形成有至少包含第一FET以及第二FET的多个FET；多个外部连接端子；以及成型构件，对半导体元件进行密封。半导体元件具备：公共端子；多个输入输出端子，至少包含第一端子以及第二端子；第一FET，连接在公共端子与第一端子之间；以及第二FET，连接在公共端子与第二端子之间。多个外部连接端子包含：公共端子用外部连接端子，与公共端子连接；第一外部连接端子，与第一端子连接；以及第二外部连接端子，与第二端子连接。在从第一外部连接端子向公共端子的信号的行进方向和从公共端子向公共端子用外部连接端子的信号的行进方向成为相反方向的区间的长度比从第二外部连接端子向公共端子的信号的行进方向和从公共端子向公共端子用外部连接端子的信号的行进方向成为相反方向的区间的长度长的结构中，第一FET和第二FET具有基于给定的输入功率的在第一FET的漏极-源极间传输的信号的功率变得比在第二FET的漏极-源极间传输的信号的功率大的构造。在该结构中，通过信号的行进方向变为相反的部分的长度不同，从而即使按每个外部连接端子而对通信信号的插入损耗存在差异，该差异也被FET对通信信号的电阻之差所抵消。(2)此外，优选地，在本专利技术的高频开关中，第一FET的栅极宽度比第二FET的栅极宽度宽。在该结构中，可通过容易的构造实现FET对通信信号的电阻之差。(3)此外，本专利技术的高频开关优选为如下的结构。还具备：第一布线导体，连接在第一外部连接端子与第一端子之间；第二布线导体，连接在第二外部连接端子与第二端子之间；以及第三布线导体，连接在公共端子与公共端子用外部连接端子之间。从第一外部连接端子向公共端子的信号的行进方向是第一布线导体中的信号的行进方向，从第二外部连接端子向公共端子的信号的行进方向是第二布线导体中的信号的行进方向，从公共端子向公共端子用外部连接端子的信号的行进方向是第三布线导体中的信号的行进方向。在该结构中，通过第一布线导体、第二布线导体、以及第三布线导体来规定信号的行进方向。而且，在该结构中，通过信号的行进方向变为相反的部分的长度不同，从而即使按每个外部连接端子而对通信信号的插入损耗存在差异，该差异也会被FET对通信信号的电阻之差所抵消。(4)此外，本专利技术的高频开关优选为如下的结构。具有从第一外部连接端子向公共端子的信号的行进方向和从公共端子向公共端子用外部连接端子的信号的行进方向成为相反方向之处。不具有从第二外部连接端子向公共端子的信号的行进方向和从公共端子向公共端子用外部连接端子的信号的行进方向成为相反方向之处。在该结构中，通过具备具有信号的行进方向成为相反方向之处的传输路径和具有信号的行进方向不变为相反之处的传输路径，从而可实现信号的行进方向变为相反的部分的长度不同的状态。(5)此外，本专利技术的高频开关优选为如下的结构。由第一布线导体的延长线和第三布线导体的延长线构成的角是锐角。由第二布线导体的延长线和第三布线导体的延长线构成的角是钝角。在该结构中，通过布线导体的物理配置，可实现具备具有信号的行进方向成为相反方向之处的传输路径和具有信号的行进方向不变为相反之处的传输路径的结构。(6)此外，在本专利技术的高频开关中，也可以是如下的结构。第一端子和第二端子沿着半导体元件的第一方向排列。公共端子在第一方向上配置在第一端子与第二端子之间。在该结构中，对于第一端子，产生上述的信号的行进方向变为相反的部分，对于第二端子，不产生上述的信号的行进方向变为相反的部分。即，产生信号的行进方向变为相反的部分的长度不同的结构。在这种情况下，通过上述的结构，可通过FET对通信信号的电阻之差来抵消。此外，在该结构中，能够加长将公共端子连接到公共端子用外部连接端子的布线，阻抗匹配变得容易。(7)此外，在本专利技术的高频开关中，优选为如下的结构。半导体元件还具备分别连接在多个输入输出端子各自与公共端子之间的多个FET。多个输入输出端子以及多个FET沿着第一方向和与第一方向正交的第二方向排列配置。在该结构中，多个输入输出端子以及多个FET的配置的平衡良好。由此，容易实现从多个输入输出端子以及多个FET到公共端子的路径长度的差异小的结构。(8)此外，优选地，在本专利技术的高频开关中，公共端子用外部连接端子以与第二方向平行且横穿公共端子的直线为界，处于与第一端子外部连接端子相同侧，并处于与第二外部连接端子相反侧。在该结构中，通过布线导体的物理配置，可明确地实现具备具有信号的行进方向成为相反方向之处的传输路径和具有信号的行进方向不变为相反之处的传输路径的结构。(9)此外，优选地，在本专利技术的高频开关中，公共端子配置在俯视半导体元件的大致中央。在该结构中，容易实现从多个输入输出端子以及多个FET到公共端子的路径长度的差异小的结构。此外，能够加长将公共端子连接到公共端子用外部连接端子的布线，阻抗匹配变得更容易。专利技术效果根据本专利技术，能够降低在对公共端子和多个输入输出端子分别进行连接的各传输路径之间的插入损耗的偏差。附图说明图1的(A)是示出本专利技术的第一实施方式涉及的高频开关10的各端子的配置以及功率的行进方向的俯视图，图1的(B)是将对应于图1的(A)的区域AR1的部分进行了放大的部分放大图。图2是将本专利技术的第一实施方式涉及的高频开关10的半导体元件20的一部分进行了放大的俯视图。图3是本专利技术的第一实施方式涉及的高频开关10的电路图。图4是示出派生结构的高频开关10A的各端子的配置以及功率的行进方向的俯视图。图5是本专利技术的第二实施方式涉及的高频开关10B的电路图。图6是将本专利技术的第二实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高频开关，具备：/n半导体元件，形成有至少包含第一FET以及第二FET的多个FET；/n多个外部连接端子；以及/n成型构件，对所述半导体元件进行密封，/n所述半导体元件具备：/n公共端子；/n多个输入输出端子，至少包含第一端子以及第二端子；/n所述第一FET，连接在所述公共端子与所述第一端子之间；以及/n所述第二FET，连接在所述公共端子与所述第二端子之间，/n所述多个外部连接端子包含：公共端子用外部连接端子，与所述公共端子连接；第一外部连接端子，与所述第一端子连接；以及第二外部连接端子，与所述第二端子连接，/n在从所述第一外部连接端子向所述公共端子的信号的行进方向和从所述公共端子向所述公共端子用外部连接端子的信号的行进方向成为相反方向的区间的长度比从所述第二外部连接端子向所述公共端子的信号的行进方向和从所述公共端子向所述公共端子用外部连接端子的信号的行进方向成为相反方向的区间的长度长的结构中，/n所述第一FET和所述第二FET具有基于给定的输入功率的在所述第一FET的漏极-源极间传输的信号的功率变得比在所述第二FET的漏极-源极间传输的信号的功率大的构造。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170801 JP 2017-1487551.一种高频开关，具备：
半导体元件，形成有至少包含第一FET以及第二FET的多个FET；
多个外部连接端子；以及
成型构件，对所述半导体元件进行密封，
所述半导体元件具备：
公共端子；
多个输入输出端子，至少包含第一端子以及第二端子；
所述第一FET，连接在所述公共端子与所述第一端子之间；以及
所述第二FET，连接在所述公共端子与所述第二端子之间，
所述多个外部连接端子包含：公共端子用外部连接端子，与所述公共端子连接；第一外部连接端子，与所述第一端子连接；以及第二外部连接端子，与所述第二端子连接，
在从所述第一外部连接端子向所述公共端子的信号的行进方向和从所述公共端子向所述公共端子用外部连接端子的信号的行进方向成为相反方向的区间的长度比从所述第二外部连接端子向所述公共端子的信号的行进方向和从所述公共端子向所述公共端子用外部连接端子的信号的行进方向成为相反方向的区间的长度长的结构中，
所述第一FET和所述第二FET具有基于给定的输入功率的在所述第一FET的漏极-源极间传输的信号的功率变得比在所述第二FET的漏极-源极间传输的信号的功率大的构造。


2.根据权利要求1所述的高频开关，其中，
所述第一FET的栅极宽度比所述第二FET的栅极宽度宽。


3.根据权利要求1或2所述的高频开关，其中，还具备：
第一布线导体，连接在所述第一外部连接端子与所述第一端子之间；
第二布线导体，连接在所述第二外部连接端子与所述第二端子之间；以及
第三布线导体，连接在所述公共端子与所述公共端子用外部连接端子之间，
从所述第一外部连接端子向所述公共端子的信号的行进方向是所述第一布线导体中的信号的行进...

【专利技术属性】
技术研发人员：关健太，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP