【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有冷却气体区域和相应槽及单极静电夹持电极模式的静电卡盘
本专利技术涉及衬底处理系统的静电卡盘。
技术介绍
这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的描述的各方面中描述的程度上的当前指定的专利技术人的工作，既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。衬底处理系统可用于执行衬底(例如，半导体晶片)的蚀刻、沉积和/或其他处理。可以在衬底上执行的示例性工艺包括但不限于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺、物理气相沉积(PVD)工艺、离子注入工艺和/或其他蚀刻、沉积和清洁工艺。举例而言，在蚀刻处理期间，衬底可以布置在衬底处理系统中的静电卡盘(ESC)上，并且蚀刻衬底上的薄膜。
技术实现思路
提供了一种用于衬底处理系统的静电卡盘，并且所述静电卡盘包括底板；设置在所述底板上的中间层；和顶板。所述顶板经由所述中间层结合到所述底板上并且被配置成静电夹持衬底。所述顶板包括：单极夹持电极和密封件。单极夹持电极包括具有冷却剂气体槽开口组的槽开口...
【技术保护点】
1.一种用于衬底处理系统的静电卡盘，所述静电卡盘包括：/n底板；/n设置在所述底板上的中间层；和/n顶板，其经由所述中间层结合到所述底板上并且被配置成静电夹持衬底，其中，/n所述顶板包括：/n单极夹持电极，其包括具有多个冷却剂气体槽开口组的槽开口模式，和/n多个密封件，其将多个冷却剂气体区域分隔开，/n所述多个冷却剂气体区域包括四个或更多个冷却剂气体区域，/n所述多个冷却剂气体区域中的每一个包括多个不同的冷却剂气体槽组，其中所述顶板包括所述多个不同的冷却剂气体槽组，以及/n所述多个不同的冷却剂气体槽组中的每一个具有一个或多个冷却剂气体供应孔，并且对应于所述多个冷却剂气体槽开...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于衬底处理系统的静电卡盘，所述静电卡盘包括：
底板；
设置在所述底板上的中间层；和
顶板，其经由所述中间层结合到所述底板上并且被配置成静电夹持衬底，其中，
所述顶板包括：
单极夹持电极，其包括具有多个冷却剂气体槽开口组的槽开口模式，和
多个密封件，其将多个冷却剂气体区域分隔开，
所述多个冷却剂气体区域包括四个或更多个冷却剂气体区域，
所述多个冷却剂气体区域中的每一个包括多个不同的冷却剂气体槽组，其中所述顶板包括所述多个不同的冷却剂气体槽组，以及
所述多个不同的冷却剂气体槽组中的每一个具有一个或多个冷却剂气体供应孔，并且对应于所述多个冷却剂气体槽开口组中的相应一个。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中所述多个冷却剂气体槽开口组设置在所述顶板的一个或多个层中并且在所述单极夹持电极的层上。
3.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中所述多个冷却剂气体槽开口组分别设置在所述多个不同的冷却剂气体槽组下方。
4.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中所述多个冷却剂气体槽组中的每一个包括用于将冷却剂气体分配到所述顶板的整个顶部的多个冷却剂气体槽。
5.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中：
所述多个冷却剂气体区域中的最外面的一个中的所述多个不同的冷却剂气体槽组中的每一个包括布置为环形系列元件的多个槽和多个供应孔；并且
所述多个冷却剂气体区域中的三个或更多个最里面的冷却剂气体区域中的所述多个不同的冷却剂气体槽组中的每一个包括径向延伸的槽和多个环形延伸的槽。
6.根据权利要求5所述的静电卡盘，其中所述多个不同的冷却剂气体槽组中的每一个的所述多个环形延伸的槽从所述径向延伸的槽中的对应的一个延伸。
7.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中所述槽开口模式类似于所述多个不同的冷却剂气体槽组的布置模式。
8.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中，当在所述顶板中存在不同的冷却剂气体槽组时，在所述槽开口模式中存在相同数量的冷却剂气体开口。
9.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中：
所述多个冷却剂气体区域中的一个包括
第一冷却剂气体槽组，其包括
第一径向延伸的槽，和
第一多个槽，其从所述第一径向延伸的槽延伸，和
第二冷却剂气体槽组，其包括
第二径向延伸...
【专利技术属性】
技术研发人员：亚历山大·马丘什金，基思·劳伦斯·科芒丹特，约翰·帕特里克·霍兰德，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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