基板处理设备的气体分配设备、基板处理设备及基板处理方法技术

本发明专利技术涉及基板处理设备的气体分配设备、基板处理设备以及基板处理方法。该气体分配设备包括：第一气体分配模块，所述第一气体分配模块用于将处理气体分配到第一气体分配空间；以及第二气体分配模块，所述第二气体分配模块用于将处理气体分配到与所述第一气体分配空间不同的第二气体分配空间。

Gas distribution equipment, substrate treatment equipment and substrate treatment method of substrate treatment equipment

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理设备的气体分配设备、基板处理设备及基板处理方法
本专利技术涉及一种在基板上进行诸如沉积薄膜的沉积工艺等的基板处理工艺的基板处理设备。
技术介绍
通常，应该在基板上形成薄膜层、薄膜电路图案或光学图案以制造太阳能电池、半导体装置、平板显示装置等。为此，执行半导体制造工艺，半导体制造工艺的示例包括在基板上沉积包括规定材料的薄膜的薄膜沉积工艺、通过使用光敏材料使薄膜的一部分选择性地曝光的感光工艺、去除薄膜的选择性曝光部分以形成图案的蚀刻工艺等。图1是现有技术的基板处理设备的概念性侧视图。参照图1，现有技术的基板处理设备10包括基板支撑单元11和气体分配单元12。基板支撑单元11支撑基板S。基板支撑单元11绕旋转轴11a旋转以使基板S相对于旋转轴11a旋转。气体分配单元12朝向基板支撑单元11分配处理气体。气体分配单元12朝向由基板支撑单元11支撑的基板S分配处理气体，从而执行在基板S上沉积薄膜的处理工艺。这里，在现有技术的基板处理设备10中，基于基板支撑单元11的旋转产生的离心力作用在由气体分配单元12分配的处理气体上。因此，薄膜被相对较薄地沉积在基板S的内部中。基板S的内部是在从基板S到基板支撑单元11的旋转轴11a的方向上设置的部分。为此，在现有技术的基板处理设备10中，由于薄膜被相对较薄地沉积在基板S的内部中，因此沉积在基板S上的薄膜的均匀性降低，导致已经过所述处理工艺的基板的质量下降。
技术实现思路
技术问题本专利技术旨在解决上述问题，并且提供能够降低薄膜被相对较薄地沉积在基板的内部的程度、用于基板处理设备的气体分配设备、基板处理设备以及基板处理方法。技术方案为了实现上述目的，本专利技术可以包括下述部件。根据本专利技术的基板处理设备的气体分配设备可以包括：第一气体分配模块，所述第一气体分配模块将第一气体分配到第一气体分配空间；第二气体分配模块，所述第二气体分配模块将处理气体分配到与第一气体分配空间不同的第二气体分配空间；以及第三气体分配模块，所述第三气体分配模块将第二气体分配到与第一气体分配空间和第二气体分配空间中的每一者不同的第三气体分配空间。当第一气体分配模块分配第一气体时，第二气体分配模块可以将第一气体分配到第二气体分配空间，并且，当第三气体分配模块分配第二气体时，第二气体分配模块可以将第二气体分配到第二气体分配空间。根据本专利技术的基板处理设备的气体分配设备可以包括：第一气体分配模块，所述第一气体分配模块将处理气体分配到第一气体分配空间；第二气体分配模块，所述第二气体分配模块将处理气体分配到与第一气体分配空间不同的第二气体分配空间。当第一气体分配模块将处理气体分配到第一气体分配空间时，第二气体分配模块可以将与由第一气体分配模块分配的处理气体相同的处理气体分配到第二气体分配空间。根据本专利技术的基板处理设备可以包括：处理腔室；基板支撑单元，所述基板支撑单元安装在处理腔室中以支撑多个基板，所述基板支撑单元绕旋转轴旋转；腔室盖，所述腔室盖覆盖处理腔室的上部；以及气体分配单元，所述气体分配单元安装在腔室盖中以将处理气体分配到基板支撑单元。气体分配单元可以包括：第一气体分配模块，所述第一气体分配模块安装在腔室盖中以分配源气体；第二气体分配模块，所述第二气体分配模块在与第一气体分配模块间隔开的位置处安装在腔室盖中；以及第三气体分配模块，所述第三气体分配模块在与第一气体分配模块和第二气体分配模块中的每一者间隔开的位置处安装在腔室盖中，以分配反应气体。当第一气体分配模块分配源气体时，第二气体分配模块可以分配源气体，并且，当第三气体分配模块分配反应气体时，第二气体分配模块可以分配反应气体。根据本专利技术的基板处理设备可以包括：处理腔室；基板支撑单元，所述基板支撑单元安装在处理腔室中以支撑多个基板，所述基板支撑单元绕旋转轴旋转；腔室盖，所述腔室盖覆盖处理腔室的上部；以及气体分配单元，所述气体分配单元安装在腔室盖中以将处理气体分配到基板支撑单元。气体分配单元可以包括：第一气体分配模块，所述第一气体分配模块安装在腔室盖中用以分配源气体；以及第二气体分配模块，所述第二气体分配模块在与第一气体分配模块间隔开的位置处安装在腔室盖中。当第一气体分配模块分配处理气体时，第二气体分配模块可以分配与由第一气体分配模块分配的处理气体相同的处理气体。根据本专利技术的基板处理方法，即通过将处理气体分配到处理腔室的内部来处理基板的方法可以包括：将源气体分配到处理腔室的第一气体分配空间以及与第一气体分配空间相邻的第二气体分配空间；清除(purging：吹扫)源气体；将反应气体分配到与第一气体分配空间不同的第二气体分配空间和第三气体分配空间；以及清除反应气体。根据本专利技术的基板处理方法，即通过将处理气体分配到处理腔室的内部来处理基板的方法可以包括：将源气体分配到处理腔室的第一气体分配空间和与第一气体分配空间相邻的第二气体分配空间；将清除气体(purgegas)分配到第一气体分配空间和第二气体分配空间；以及将反应气体分配到第一气体分配空间和第二气体分配空间。根据本专利技术的基板处理方法，即通过将处理气体分配到处理腔室的内部来处理基板的方法可以包括：以随时间在处理腔室中改变和分配处理气体的时间分割模式(timedivisionmode)来处理基板的时间分割处理工艺；以及以将不同的处理气体分配到处理腔室的空间中的空间分割模式来处理基板的空间分割处理工艺。有益效果根据本专利技术，可以获得以下效果。实施本专利技术以提高沉积在基板上的薄膜的均匀性，从而提高已经过处理工艺的基板的质量。本专利技术可以减少由于不同的处理气体在对基板执行的处理工艺和排放处理气体的工艺中混合而产生的颗粒，从而提高处理工艺的稳定性。附图说明图1是现有技术的基板处理设备的概念性侧视图。图2是根据本专利技术的基板处理设备的示意性分解立体图。图3是根据本专利技术的基板处理设备的概念性立体图。图4是根据本专利技术的基板处理设备的概念性平面图。图5是根据本专利技术的基板处理设备的概念性侧视图。图6是根据本专利技术的基板处理设备中的第二气体分配模块的示意性平面图。图7至图9是用于说明根据本专利技术的基板处理设备的操作的概念性平面图。图10和图11是根据本专利技术的基板处理设备中的第一气体分配模块的沿图2的线I-I剖开的示意性剖视图。图12和图13是根据本专利技术的基板处理设备中的第三气体分配模块的沿图2的线Ⅱ-Ⅱ剖开的示意性剖视图。图14至图23是用于说明根据本专利技术的基板处理方法的示意性工艺图。具体实施方式在下文中，将参照附图详细描述根据本专利技术的基板处理设备的实施例。根据本专利技术的用于基板处理设备的气体分配设备可以被包括在根据本专利技术的基板处理设备中，从而将在描述根据本专利技术的基板处理设备的实施例的同时一起描述。参照图2，根据本专利技术的基板处理设备1在基板S上执行处理工艺。例如，根据本专利技术的基板处理设备1可以执本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理设备的气体分配设备，所述气体分配设备包括：/n第一气体分配模块，所述第一气体分配模块将第一气体分配到第一气体分配空间；/n第二气体分配模块，所述第二气体分配模块将处理气体分配到与所述第一气体分配空间不同的第二气体分配空间；以及/n第三气体分配模块，所述第三气体分配模块将第二气体分配到与所述第一气体分配空间和所述第二气体分配空间中的每一者不同的第三气体分配空间，/n其中，/n当所述第一气体分配模块分配所述第一气体时，所述第二气体分配模块将所述第一气体分配到所述第二气体分配空间，并且/n当所述第三气体分配模块分配所述第二气体时，所述第二气体分配模块将所述第二气体分配到所述第二气体分配空间。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170728 KR 10-2017-0096375;20170811 KR 10-2017-011.一种基板处理设备的气体分配设备，所述气体分配设备包括：
第一气体分配模块，所述第一气体分配模块将第一气体分配到第一气体分配空间；
第二气体分配模块，所述第二气体分配模块将处理气体分配到与所述第一气体分配空间不同的第二气体分配空间；以及
第三气体分配模块，所述第三气体分配模块将第二气体分配到与所述第一气体分配空间和所述第二气体分配空间中的每一者不同的第三气体分配空间，
其中，
当所述第一气体分配模块分配所述第一气体时，所述第二气体分配模块将所述第一气体分配到所述第二气体分配空间，并且
当所述第三气体分配模块分配所述第二气体时，所述第二气体分配模块将所述第二气体分配到所述第二气体分配空间。


2.根据权利要求1所述的气体分配设备，还包括清除气体分配模块，所述清除气体分配模块将清除气体分配到与所述第一气体分配空间、所述第二气体分配空间以及所述第三气体分配空间中的每一者不同的清除气体分配空间，
其中，当所述清除气体分配模块分配所述清除气体时，所述第二气体分配模块将所述清除气体分配到所述第二气体分配空间。


3.根据权利要求1所述的气体分配设备，其中，
所述第一气体分配模块和所述第二气体分配模块中的每一者通过使用等离子体激活所述第一气体，并分配激活的第一气体，并且
所述第三气体分配模块和所述第二气体分配模块中的每一者通过使用所述等离子体激活所述第二气体，并分配激活的第二气体。


4.一种基板处理设备，包括：
处理腔室；
基板支撑单元，所述基板支撑单元安装在所述处理腔室中以支撑多个基板，所述基板支撑单元绕旋转轴旋转；
腔室盖，所述腔室盖覆盖所述处理腔室的上部；以及
气体分配单元，所述气体分配单元安装在所述腔室盖中以将处理气体分配到所述基板支撑单元，
其中，
所述气体分配单元包括：第一气体分配模块，所述第一气体分配模块安装在所述腔室盖中以分配源气体；第二气体分配模块，所述第二气体分配模块在与所述第一气体分配模块间隔开的位置处安装在所述腔室盖中；以及第三气体分配模块，所述第三气体分配模块在与所述第一气体分配模块和所述第二气体分配模块中的每一者间隔开的位置处安装在所述腔室盖中，以分配反应气体，
当所述第一气体分配模块分配所述源气体时，所述第二气体分配模块分配所述源气体，并且
当所述第三气体分配模块分配所述反应气体时，所述第二气体分配模块分配所述反应气体。


5.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中，
所述气体分配单元包括清除气体分配模块，所述清除气体分配模块在与所述第一气体分配模块、所述第二气体分配模块以及所述第三气体分配模块间隔开的位置处安装在所述腔室盖中，并且
当所述清除气体分配模块分配清除气体时，所述第二气体分配模块分配所述清除气体。


6.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中，所述第二气体分配模块安装在所述腔室盖中，并且设置在与所述基板支撑单元的所述旋转轴向上间隔开的位置处。


7.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中，
所述基板支撑单元绕所述旋转轴旋转，以使所述多个基板沿旋转路径移动，
所述第一气体分配模块和所述第三气体分配模块安装在所述腔室盖中以与所述多个基板的所述旋转路径重叠，并且
所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：千珉镐，金钟植，黄喆周，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR