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披露了一种半导体结构的形成方法。该方法包括提供第一导电特征部件，该第一导电特征部件具有形成于其上的介电层。开口形成于介电层中以露出第一导电特征部件的部分。第一阻障层形成于第一导电特征部件之上以及介电层的顶表面之上。第二阻障层形成于第一阻障层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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