半导体结构的形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供一基底；形成介电层于所述基底上，所述介电层中具有沟槽；在所述介电层及所述沟槽的表面形成阻挡层；以及在所述阻挡层上形成金属层；其中，所述形成金属层的步骤包括：通入第一气体和第二气体进行预处理，在所述阻挡层上形成浸润层；通入第一气体和第二气体，在所述浸润层上沉积形成金属种子层；以及持续通入氢气，并以脉冲的方式通入第三气体，在所述金属种子层上循环沉积形成块状金属薄膜。本发明专利技术的形成方法可有效提高金属沉积工艺的填洞能力，减少空隙出现的机率并降低金属薄膜的接触电阻，进而提高产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，采用化学气相沉积法沉积金属钨(CVDW)和/或原子气相沉积法沉积金属钨(ALDW)，广泛应用于半导体器件制造金属互连填充层。随着器件尺寸的不断缩小，接触孔和通孔的深宽比不断变大，这给钨沉积工艺带来挑战。目前在形成块状钨薄膜的过程中，通常是将H2和WF6同时通入反应腔体中，这样的沉积方式会形成悬突(overhang)，导致接触孔和通孔中存在空隙(Void)，一方面造成接触电阻过大，另一方面后续的化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolish,CMP)工艺后可能会使原本封口的空隙变得开口，从而导致缺陷出现，进而影响产品的良率。因此，亟需一种新的半导体结构及其形成方法，以克服上述种种问题。需注意的是，前述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本专利技术的背景理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是针对现有技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，包括：/n提供一基底；/n形成介电层于所述基底上，所述介电层中具有沟槽；/n在所述介电层及所述沟槽的表面形成阻挡层；以及/n在所述阻挡层上形成金属层；/n其中，所述形成金属层的步骤包括：/n通入第一气体和第二气体进行预处理，在所述阻挡层上形成浸润层；/n通入第一气体和第二气体，在所述浸润层上沉积形成金属种子层；以及/n持续通入氢气，并以脉冲的方式通入第三气体，在所述金属种子层上循环沉积形成块状金属薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，包括：
提供一基底；
形成介电层于所述基底上，所述介电层中具有沟槽；
在所述介电层及所述沟槽的表面形成阻挡层；以及
在所述阻挡层上形成金属层；
其中，所述形成金属层的步骤包括：
通入第一气体和第二气体进行预处理，在所述阻挡层上形成浸润层；
通入第一气体和第二气体，在所述浸润层上沉积形成金属种子层；以及
持续通入氢气，并以脉冲的方式通入第三气体，在所述金属种子层上循环沉积形成块状金属薄膜。


2.根据权利要求1所述的形成方法，其中所述预处理的时间为5～20s。


3.根据权利要求2所述的形成方法，其中所述浸润层的厚度为0.1～5nm。


4.根据权利要求1所述的形成方法，其中在形成所述金属种子层时，所述第一气体和所述第二气体以脉冲的方式通入2～16个循环。


5.根据权利要求4所述的形成方法，其中在形成所述金属种子层时，所述第一气体的每次通入时间为1～5s，通入间隔时间为1～10s，所述第二气体的每次通入时间为0.2～5s，通入间隔时间为1～10s。


6.根据权利要求5所述的形成方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34