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本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供一基底；形成介电层于所述基底上，所述介电层中具有沟槽；在所述介电层及所述沟槽的表面形成阻挡层；以及在所述阻挡层上形成金属层；其中，所述形成金属层的步骤包括：通入第一气体和第二气体进行预处理，在所...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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