一种封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种封装结构，包括：支撑基底；封装层，形成于所述支撑基底上；图形化的化学镀种子层，形成于所述封装层的表面；焊盘，形成于所述化学镀种子层的表面；金属线，连接于所述焊盘上。本实用新型专利技术的封装结构能够提高焊盘的牢固性，提高焊盘与封装层之间的结合力，从而防止焊盘在后续工序中的脱落现象。

A packaging structure

【技术实现步骤摘要】
一种封装结构
本技术属于半导体封装领域，特别是涉及一种封装结构。
技术介绍
晶圆片级芯片规模封装(WaferLevelChipScalePackaging，简称WLCSP)，即晶圆级芯片封装方式，不同于传统的芯片封装方式(先切割再封测，而封装后至少增加原芯片20％的体积)，此种最新技术是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才切割成一个个的IC颗粒，因此封装后的体积即等同IC裸晶的原尺寸。晶圆级芯片封装往往需要封装层及焊盘，传统的工艺中，焊盘和封装层之间的结合力不强，导致焊盘出现脱落现象，严重影响了产品的良品率。基于以上所述，本技术的目的是给出一种封装结构，以解决现有技术的焊盘脱落问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种封装结构，用于解决现有技术中焊盘脱落问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种封装结构，包括：支撑基底；封装层，形成于所述支撑基底上；图形化的化学镀种子层，形成于所述封装层的表面；焊盘，形成于所述化学镀种子层的表面；金属线，连接于所述焊盘上。可选地，所述焊盘的厚度介于3μm～15μm之间。可选地，所述化学镀种子层的厚度介于180nm～220nm之间。可选地，所述支撑基底的厚度介于800μm～1200μm之间。如上所述，本技术提供一种封装结构，本技术具有以下功效：本技术的封装结构于所述封装层的上表面形成化学镀种子层，具有提高焊盘的牢固性，提高焊盘与封装层之间的结合力，从而防止焊盘在后续工序中的脱落现象。于所述化学镀种子层的上表面形成图形化的掩膜层，所述掩膜层具有第一窗口，所述第一窗口显露所述化学镀种子层，于所述第一窗口内形成金属层，去掉所述掩膜层，以形成焊盘，采用化学刻蚀工艺去掉裸露部分的所述化学镀种子层，在整个焊盘的形成过程中没有用到干法刻蚀，只采用了湿法刻蚀，提高了生产效率，降低了生产成本。所述焊盘与所述封装层之间具有所述化学镀种子层，提高焊盘的牢固性，提高焊盘与封装层之间的结合力，从而防止焊盘在后续工序中的脱落现象。而且所述化学镀种子层与所述封装层之间直接接触不夹带其他物质，提高了所述化学镀种子层与所述封装层之间的结合力。附图说明图1显示为本技术的封装方法步骤1)所呈现的结构示意图。图2显示为本技术的封装方法步骤2)所呈现的结构示意图。图3显示为本技术的封装方法步骤3)所呈现的结构示意图。图4显示为本技术的封装方法步骤4)所呈现的结构示意图。图5显示为本技术的封装方法步骤5)所呈现的结构示意图。图6显示为本技术的封装方法步骤6)所呈现的结构示意图。图7显示为本技术的封装方法步骤7)所呈现的结构示意图。图7显示为本技术的封装结构所呈现的结构示意图。图8显示为本技术的封装方法的流程图。元件标号说明101支撑基底102封装层103化学镀种子层104掩膜层105第一窗口106焊盘107金属线S01～S07步骤具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1～图8。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，遂图式中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。如图1～图8所示，本实施例提供一种封装方法，包括步骤：如图1所示，进行步骤1)S01，提供一支撑基底101，于所述支撑基底101的上表面形成封装层102。所述支撑基底101的材质包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种，所述支撑基底101的厚度介于800μm～1200μm之间，例如，所述支撑基底101的厚度可以为900μm、1000μm、1100μm。所述封装层102的材质包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一种或两种以上组合，形成所述封装层102的方法包括塑封工艺、压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种。所述封装层102通过撒料、加热融化、合模冷却等工艺后形成。在本实施例中，所述封装层102的材质选用为环氧树脂，环氧树脂是指分子中含有两个以上环氧基团的一类聚合物的总称。它是环氧氯丙烷与双酚A或多元醇的缩聚产物。由于环氧基的化学活性，可用多种含有活泼氢的化合物使其开环，固化交联生成网状结构，因此它是一种热固性树脂。如图2所示，进行步骤2)S02，采用化学镀于所述封装层102的上表面形成化学镀种子层103。作为示例，所述化学镀种子层103的材质包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。所述化学镀种子层103的厚度介于180nm～220nm之间，例如，所述化学镀种子层103的厚度可以为180nm、200nm、220nm。在本实施例中，所述化学镀种子层103的材质包括铜，所述化学镀的温度介于25℃～30℃之间，温度过低时，镀铜的速率降低，温度过高时，副反应增加使镀液不稳定。所述化学镀的时间介于30分钟～40分钟。镀液中甲醛(37％)的含量介于6ml/L～8ml/L之间，甲醛含量在此范围内时，甲醛含量变化对铜沉积速率影响不大。化学镀也称无电解镀或者自催化镀，是在无外加电流的情况下借助合适的还原剂，使镀液中金属离子还原成金属，并沉积到零件表面的一种镀覆方法。采用化学镀于所述封装层102的上表面形成化学镀种子层103，具有提高焊盘106的牢固性，提高焊盘106与封装层102之间的结合力，从而防止焊盘106在后续工序中的脱落现象。如图3所示，进行步骤3)S03，于所述化学镀种子层103的上表面形成图形化的掩膜层104，所述掩膜层104具有第一窗口105，所述第一窗口105显露所述化学镀种子层103。作为示例，所述掩膜层104包括光刻胶，形成所述图形化的光刻胶的方法包括光刻工艺。在本实施例中，光刻工艺经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘，从而形成图形化的光刻胶。光刻中采用的感光物质被称为光刻胶，主要分为正光刻胶和负光刻胶两种。正光刻胶未被光照的部分在显影后会被保留，而负光刻胶被感光的部分在显影后会被保留，其中，被去除的正光刻胶部分或负光刻胶部分即形成所述第一窗口105。光刻胶不仅需要对指定的光照敏感，还需要在之后的金属刻蚀等过程中保持性质稳定。不同的光刻胶一般具有不同的感光性质，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：/n支撑基底；/n封装层，形成于所述支撑基底上；/n图形化的化学镀种子层，形成于所述封装层的表面；/n焊盘，形成于所述化学镀种子层的表面；/n金属线，连接于所述焊盘上。/n

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
支撑基底；
封装层，形成于所述支撑基底上；
图形化的化学镀种子层，形成于所述封装层的表面；
焊盘，形成于所述化学镀种子层的表面；
金属线，连接于所述焊盘上。


2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹佳山，周祖源，吴政达，林正忠，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32