一种树脂型晶圆级扇出集成封装方法及结构技术

本发明专利技术公开一种树脂型晶圆级扇出集成封装方法及结构，属于集成电路封装技术领域。提供硅基，在其背面制作截止层、凸点和第一凹槽；将玻璃载板通过键合胶键合在所述硅基背面；减薄硅基正面并刻蚀第二凹槽、TSV通孔和切割槽；在TSV通孔中制作铜柱，在第二凹槽中埋入第一芯片；用干膜填充所述硅基正面的缝隙并在第一芯片的焊盘面和铜柱开口；在开口处制作第一n层再布线，将第二芯片倒装焊接在第一n层再布线上并填充第二芯片和第一n层再布线之间的空隙；用塑封料塑封硅基正面，塑封料包覆第二芯片；拆除玻璃载板并清洗键合胶，用塑封料塑封硅基背面，塑封料包覆凸点；研磨至露出凸点，制作第二n层再布线、阻焊层和焊球，最后切割完成最终封装。

A method and structure of resin based wafer level fan out integrated packaging

【技术实现步骤摘要】
一种树脂型晶圆级扇出集成封装方法及结构
本专利技术涉及集成电路封装
，特别涉及一种树脂型晶圆级扇出集成封装方法及结构。
技术介绍
在树脂型晶圆级扇出集成封装中，翘曲一直以来都是阻碍其发展的重要问题之一。重构圆片塑封后，由于芯片硅基与树脂材料CTE(coefficientofthermalexpansion，热膨胀系数)相差较大，必然会产生一定翘曲。重构圆片翘曲的主要影响有两方面：一是对套刻精度的影响，圆片翘曲后，各I/O位置发生了事实上的偏移，这导致无法同时对准；二是圆片的翘曲导致圆片无法进行全自动机台的自动传片、上下料作业，因为翘曲的圆片非常容易被机械手臂叉碎，无法自动作业对于产业化来说是很致命的。申请号为201910870925.4的专利将硅基扇出与塑封技术结合在一起实现了多芯片的三维晶圆级扇出，但是当再布线层数或塑封厚度较大时会产生较大的翘曲，增加流片难度。因此，如何解决树脂型圆片的翘曲问题是树脂型晶圆级扇出集成封装技术进一步向前发展的关键。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种树脂型晶圆级扇出集成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种树脂型晶圆级扇出集成封装方法，其特征在于，包括：/n提供硅基，在其背面制作截止层、凸点和第一凹槽；/n将玻璃载板通过键合胶键合在所述硅基背面；/n减薄硅基正面并刻蚀第二凹槽、TSV通孔和切割槽；在TSV通孔中制作铜柱，在第二凹槽中埋入第一芯片；/n用干膜填充所述硅基正面的缝隙并在第一芯片的焊盘面和铜柱开口；/n在开口处制作第一n层再布线，将第二芯片倒装焊接在第一n层再布线上并填充第二芯片和第一n层再布线之间的空隙；/n用塑封料塑封硅基正面，塑封料包覆第二芯片；/n拆除玻璃载板并清洗键合胶，用塑封料塑封硅基背面，塑封料包覆凸点；/n研磨至露出凸点，制作第二n层再布线、阻焊层和焊球，最后切...

【技术特征摘要】
1.一种树脂型晶圆级扇出集成封装方法，其特征在于，包括：
提供硅基，在其背面制作截止层、凸点和第一凹槽；
将玻璃载板通过键合胶键合在所述硅基背面；
减薄硅基正面并刻蚀第二凹槽、TSV通孔和切割槽；在TSV通孔中制作铜柱，在第二凹槽中埋入第一芯片；
用干膜填充所述硅基正面的缝隙并在第一芯片的焊盘面和铜柱开口；
在开口处制作第一n层再布线，将第二芯片倒装焊接在第一n层再布线上并填充第二芯片和第一n层再布线之间的空隙；
用塑封料塑封硅基正面，塑封料包覆第二芯片；
拆除玻璃载板并清洗键合胶，用塑封料塑封硅基背面，塑封料包覆凸点；
研磨至露出凸点，制作第二n层再布线、阻焊层和焊球，最后切割完成最终封装。


2.如权利要求1所述的树脂型晶圆级扇出集成封装方法，其特征在于，所述截止层的材料为SiO2、SiC和SiN中的一种或几种，厚度在0.1μm以上；
所述凸点为铜柱或锡球，其高度在5μm以上。


3.如权利要求1所述的树脂型晶圆级扇出集成封装方法，其特征在于，所述第一凹槽通过机械切割或干法刻蚀制作，所述第一凹槽的深度和宽度均在5μm以上。


4.如权利要求1所述的树脂型晶圆级扇出集成封装方法，其特征在于，所述第二凹槽和所述TSV通孔刻蚀至所述截止层，所述切割槽刻蚀至所述键合胶。


5.如权利要求1所述的树脂型晶圆级扇出集成封装方法，其特征在于，通过光刻、电镀工艺在TSV通孔中制作铜柱，铜柱与凸点间的截止层用激光或干法刻蚀方法打开，使所述铜柱与所述凸点相连...

【专利技术属性】
技术研发人员：王成迁，李杨，李守委，张爱兵，夏晨辉，颜炎洪，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32