发光二极管封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种发光二极管封装结构及其制造方法，所述发光二极管封装结构包括载板、至少一自组装材料层、第一防焊层以及至少一发光二极管。载板包括第一增层线路。自组装材料层配置于第一增层线路上。第一防焊层配置于第一增层线路上。第一防焊层具有至少一开口，以暴露出部分自组装材料层。发光二极管配置于第一增层线路上。发光二极管具有自组装图案。发光二极管通过自组装图案与自组装材料层之间的作用力而自组装于第一防焊层的开口内。

Packaging structure and manufacturing method of LED

【技术实现步骤摘要】
发光二极管封装结构及其制造方法
本专利技术涉及一种封装结构及其制造方法，尤其涉及一种可自组装的发光二极管封装结构及其制造方法。
技术介绍
目前，次毫米发光二极管(miniLED)或微型发光二极管(MicroLED，μLED)的背板结构多使用非防焊层定义(Non-SolderMaskDefine,NSMD)结构。而为了提升画面的精细度及解析能力，需要以高密度的矩阵排列来进行组装，且需进行巨量转移的作业。虽然组装的过程可利用机台的对准系统进行对位、取件置件、热压接合等制程来进行LED晶粒与背板的结合，但由于晶粒尺寸微小且转移量非常大，因此，若互相结合的过程仅仰赖机台对准系统的精准度，则易产生对位不佳，进而导致良率的损失。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光二极管封装结构，可改善发光二极管于转移时对位不佳的问题，并提升转移的良率。本专利技术提供一种发光二极管封装结构的制造方法，可制造上述的发光二极管封装结构。本专利技术的发光二极管封装结构包括载板、至少一自组装材料层、第一防焊层以及至少一发光二极管。载板包括第一增层线路。自组装材料层配置于第一增层线路上。第一防焊层配置于第一增层线路上。第一防焊层具有至少一开口，以暴露出部分自组装材料层。发光二极管配置于第一增层线路上。发光二极管具有自组装图案。发光二极管通过自组装图案与自组装材料层之间的作用力而自组装于第一防焊层的开口内。在本专利技术的一实施例中，上述的至少一开口包括至少一第一开口、至少一第二开口以及至少一第三开口。其中，第一开口的尺寸大于第二开口的尺寸，且第二开口的尺寸大于第三开口的尺寸。在本专利技术的一实施例中，上述的至少一发光二极管包括至少一第一发光二极管、至少一第二发光二极管以及至少一第三发光二极管。第一发光二极管具有第一自组装图案、第二发光二极管具有第二自组装图案以及第三发光二极管具有第三自组装图案。其中，第一开口、第二开口以及第三开口的尺寸分别对应于第一自组装图案、第二自组装图案以及第三自组装图案的尺寸设置。在本专利技术的一实施例中，上述的第一开口、第二开口以及第三开口的形状分别对应于第一自组装图案、第二自组装图案以及第三自组装图案的形状设置。在本专利技术的一实施例中，上述的自组装图案包括磁性材料，且自组装材料层包括磁性材料。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管封装结构还包括至少一第一表面处理层、黏着层以及透光层。第一表面处理层配置于第一防焊层的开口内。黏着层配置于第一防焊层上，且包覆发光二极管。透光层配置于黏着层上。透光层与第一防焊层分别位于黏着层的相对两侧。其中，上述的载板还包括至少一芯片以及封装胶体。芯片具有主动表面。封装胶体包覆芯片。发光二极管与芯片分别位于第一增层线路的相对两侧。在本专利技术的一实施例中，上述的载板还包括第二增层线路、至少一第二表面处理层以及至少一导电通孔。第二增层线路配置于芯片上。第二表面处理层配置于第二增层线路与芯片的主动表面之间。导电通孔电性连接第一增层线路与第二增层线路。在本专利技术的一实施例中，上述的载板还包括基板、多个凸块以及第二防焊层。基板配置于第一增层线路与第二增层线路之间。凸块配置于芯片的主动表面上，以电性连接第二增层线路与芯片。第二防焊层配置于第二增层线路与封装胶体之间，并暴露出部分第二增层线路。第二表面处理层配置于第二防焊层暴露出的部分第二增层线路与凸块之间。导电通孔贯穿基板。主动表面朝向发光二极管。在本专利技术的一实施例中，上述的导电通孔贯穿封装胶体，且主动表面背向发光二极管。上述的载板还包括基板。基板配置于第二增层线路上。发光二极管与基板分别位于芯片的相对两侧。在本专利技术的一实施例中，上述的载板还包括至少一第二表面处理层。第二表面处理层配置于第一增层线路与芯片的主动表面之间。主动表面朝向发光二极管。本专利技术的发光二极管封装结构的制造方法包括以下步骤。形成载板，且载板包括第一增层线路。形成至少一自组装材料层于第一增层线路上。形成第一防焊层于第一增层线路上。其中，第一防焊层具有至少一开口，以暴露出部分自组装材料层。配置至少一发光二极管于第一增层线路上。其中，发光二极管具有自组装图案。发光二极管通过自组装图案与自组装材料层之间的作用力而自组装于第一防焊层的开口内。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管封装结构的制造方法还包括以下步骤。在形成第一防焊层于第一增层线路上之后，形成至少一第一表面处理层于第一防焊层的开口内。在配置发光二极管于第一增层线路上之后，形成黏着层于第一防焊层上，以包覆发光二极管。配置透光层于黏着层上。透光层与第一防焊层分别位于黏着层的相对两侧。上述形成载板的步骤包括以下步骤。提供一基板。形成一第一增层线路于基板上。在本专利技术的一实施例中，上述形成载板的步骤还包括以下步骤。形成第二增层线路于基板上。形成至少一导电通孔，以电性连接第一增层线路与第二增层线路。形成至少一第二表面处理层于第二增层线路上。配置至少一芯片于第二增层线路上，以使第二表面处理层位于第二增层线路与芯片之间。形成封装胶体以包覆芯片。其中，发光二极管与芯片分别位于第一增层线路的相对两侧。在本专利技术的一实施例中，上述的芯片具有多个凸块，且凸块位于芯片的主动表面上，以电性连接第二增层线路与芯片。而形成载板的步骤还包括：形成第二防焊层于第二增层线路与封装胶体之间，以暴露出部分第二增层线路。其中，基板位于第一增层线路与第二增层线路之间。导电通孔贯穿基板，且主动表面朝向发光二极管。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管与基板分别位于芯片的相对两侧。导电通孔贯穿封装胶体。芯片的主动表面背向发光二极管。在本专利技术的一实施例中，上述在形成第一防焊层于第一增层线路上之后，还包括以下步骤。分离基板。形成至少一第二表面处理层于第一增层线路上，以使第二表面处理层与第一表面处理层分别位于第一增层线路的相对两侧。配置至少一芯片于第二表面处理层上。形成封装胶体，以包覆芯片。其中，发光二极管与芯片分别位于第一增层线路的相对两侧。芯片的主动表面朝向发光二极管。基于上述，在本专利技术的发光二极管封装结构中，发光二极管封装结构包括载板、自组装材料层、第一防焊层以及具有自组装图案的发光二极管。其中，发光二极管通过自组装图案与自组装材料层之间的作用力而自组装于第一防焊层的开口内，进而将发光二极管配置于载板上。藉此设计，使得本专利技术的发光二极管封装结构，具有可改善发光二极管于转移时对位不佳的问题，并提升转移的良率的效果。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1A至图1E示出为本专利技术一实施例的一种发光二极管封装结构的制造方法的剖面示意图；图2A与图2B示出为图1C中区域A的俯视图；图2C示出为图1D的发光二极管的另一剖面图；图3A至图3E示出为本专利技术另一实施例的一种发光二极管封装结构的制造方法的剖面示意图；图3F示出为图3E的发光二极管封装结构于基板分离后的剖面示意图；图4A至图4D示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管封装结构，包括：/n载板，包括第一增层线路；/n至少一自组装材料层，配置于所述第一增层线路上；/n第一防焊层，配置于所述第一增层线路上，具有至少一开口，以暴露出部分所述自组装材料层；以及/n至少一发光二极管，配置于所述第一增层线路上，具有自组装图案，其中所述发光二极管通过所述自组装图案与所述自组装材料层之间的作用力而自组装于所述第一防焊层的所述开口内。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装结构，包括：
载板，包括第一增层线路；
至少一自组装材料层，配置于所述第一增层线路上；
第一防焊层，配置于所述第一增层线路上，具有至少一开口，以暴露出部分所述自组装材料层；以及
至少一发光二极管，配置于所述第一增层线路上，具有自组装图案，其中所述发光二极管通过所述自组装图案与所述自组装材料层之间的作用力而自组装于所述第一防焊层的所述开口内。


2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中所述至少一开口包括至少一第一开口、至少一第二开口以及至少一第三开口，其中所述第一开口的尺寸大于所述第二开口的尺寸，且所述第二开口的尺寸大于所述第三开口的尺寸。


3.根据权利要求2所述的发光二极管封装结构，其中所述至少一发光二极管包括至少一第一发光二极管、至少一第二发光二极管以及至少一第三发光二极管，所述第一发光二极管具有第一自组装图案、所述第二发光二极管具有第二自组装图案以及所述第三发光二极管具有第三自组装图案，其中所述第一开口、所述第二开口以及所述第三开口的尺寸分别对应于所述第一自组装图案、所述第二自组装图案以及所述第三自组装图案的尺寸设置。


4.根据权利要求3所述的发光二极管封装结构，其中所述第一开口、所述第二开口以及所述第三开口的形状分别对应于所述第一自组装图案、所述第二自组装图案以及所述第三自组装图案的形状设置。


5.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中所述自组装图案包括磁性材料，且所述自组装材料层包括磁性材料。


6.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，还包括：
至少一第一表面处理层，配置于所述第一防焊层的所述开口内；
黏着层，配置于所述第一防焊层上，且包覆所述发光二极管；以及
透光层，配置于所述黏着层上，且所述透光层与所述第一防焊层分别位于所述黏着层的相对两侧，
其中所述载板还包括：
至少一芯片，具有主动表面；以及
封装胶体，包覆所述芯片，其中所述发光二极管与所述芯片分别位于所述第一增层线路的相对两侧。


7.根据权利要求6所述的发光二极管封装结构，其中所述载板还包括：
第二增层线路，配置于所述芯片上；
至少一第二表面处理层，配置于所述第二增层线路与所述芯片的所述主动表面之间；以及
至少一导电通孔，电性连接所述第一增层线路与所述第二增层线路。


8.根据权利要求7所述的发光二极管封装结构，其中所述载板还包括：
基板，配置于所述第一增层线路与所述第二增层线路之间；
多个凸块，配置于所述芯片的所述主动表面上，以电性连接所述第二增层线路与所述芯片；以及
第二防焊层，配置于所述第二增层线路与所述封装胶体之间，并暴露出部分所述第二增层线路，其中所述第二表面处理层配置于所述第二防焊层暴露出的部分所述第二增层线路与所述多个凸块之间，所述导电通孔贯穿所述基板，且所述主动表面朝向所述发光二极管。


9.根据权利要求7所述的发光二极管封装结构，其中所述导电通孔贯穿所述封装胶体，所述主动表面背向所述发光二极管，且所述载板还包括：
基板，配置于所述第二增层线路上，且所述发光二极管与所述基板分别位于所述芯片的相对两侧。


10.根据权利要求6所述的发光二极管封装结构，其中所述载板还包括：
至少一第二表面处理层，配置于所述第一增层线路与所述芯片的所述主动表面之间，其中所述主动表面朝向所述发光二极管。


11.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括：
形成一载板，且所述载板包括第一增层线路；
形成至少一自组装材料层于所述第一增层线路上；
形成第一防焊层于所述第一增层线路上，其中所述第一防焊层具有至少一开口，以暴露出部分所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林纬廸，简俊贤，陈富扬，
申请(专利权)人：欣兴电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71