【技术实现步骤摘要】
晶片封装构造及其晶片
本专利技术是关于一种晶片封装构造及其晶片，特别是运用于微细发光二极管的封装构造。
技术介绍
在现有习知的技术中，会以具有多个导电粒子的导电胶电性连接晶片及基板，然而当该晶片体积逐渐微细化时，相对地也造成该晶片的多个电极被缩小接合面积。由于在压接该晶片及该基板的制造过程中，具有所述导电粒子的该导电胶会因制造过程环境而具有流动性，相对地也造成了所述导电粒子会随着该导电胶的树脂流动。由于该晶片的所述电极被缩小接合面积，因此随着该树脂而流动的所述导电粒子若未被限位于该晶片的该电极与该基板的导接垫之间时，在该树脂固化后，会造成该晶片无法与该基板电性连接，尤其是当该晶片为微细发光二极管时，更容易造成该发光二极管的电极端无法与该基板电性连接。
技术实现思路
本专利技术的一种晶片封装构造及其晶片，其主要目的是运用于微细晶片的电性连接，尤其是运用于微细发光二极管的电性连接。本专利技术的一种晶片封装构造包含基板、晶片以及胶体，该晶片包含本体及第一电极，该本体具有表面，该第一电极设置于该表面，且显露于该表面，该第一电极具有第一限位槽及位于该第一限位槽周边的第一限位墙，该第一限位墙具有第一高度，该胶体设置于该基板与该晶片之间，该第一限位墙的该第一高度不大于该胶体中的第一导电粒子的直径，该第一限位墙将该胶体中的至少一个第一导电粒子限制于该第一限位槽，且该晶片以位于该第一限位槽中的第一导电粒子电性连接该第一电极及该基板的第一导接垫。前述的晶片封装构造，其中该晶片另包含第二...
【技术保护点】
1.一种晶片封装构造，其特征在于包含：/n基板；/n晶片，包含本体及第一电极，该本体具有表面，该第一电极设置于该表面，且显露于该表面，该第一电极具有第一限位槽及位于该第一限位槽周边的第一限位墙，该第一限位墙具有第一高度；以及/n胶体，设置于该基板与该晶片之间，该第一限位墙的该第一高度不大于该胶体中的第一导电粒子的直径，该第一限位墙将该胶体中的至少一个第一导电粒子限制于该第一限位槽，且该晶片以位于该第一限位槽中的该第一导电粒子电性连接该第一电极及该基板的第一导接垫。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20180914 TW 1071325481.一种晶片封装构造，其特征在于包含：
基板；
晶片，包含本体及第一电极，该本体具有表面，该第一电极设置于该表面，且显露于该表面，该第一电极具有第一限位槽及位于该第一限位槽周边的第一限位墙，该第一限位墙具有第一高度；以及
胶体，设置于该基板与该晶片之间，该第一限位墙的该第一高度不大于该胶体中的第一导电粒子的直径，该第一限位墙将该胶体中的至少一个第一导电粒子限制于该第一限位槽，且该晶片以位于该第一限位槽中的该第一导电粒子电性连接该第一电极及该基板的第一导接垫。
2.根据权利要求1所述的晶片封装构造，其特征在于：其中该晶片另包含第二电极，该第二电极设置于该表面，且显露于该表面，该第二电极具有第二限位槽及位于该第二限位槽周边的第二限位墙，该第二限位墙具有第二高度，该第二限位墙的该第二高度不大于该胶体中的第二导电粒子的直径，该第二限位墙将该胶体中的该第二导电粒子限制于该第二限位槽，且该晶片以位于该第二限位槽中的该第二导电粒子电性连接该第二电极及该基板的第二导接垫。
3.根据权利要求2所述的晶片封装构造，其特征在于：其中该表面包含高表面及低表面，该第一电极设置于该高表面，该第二电极设置于该低表面，该第一电极的第一显露表面与该第二电极的第二显露表面之间具有高度差，该高度差不大于该第一导电粒子的该直径。
4.根据权利要求3所述的晶片封装构造，其特征在于：该高度差小于该第一导电粒子的该直径。
5.根据权利要求3所述的晶片封装构造，其特征在于：其中该高度差界于0μm至8μm之间。
6.根据权利要求1所述的晶片封装构造，其特征在于：其中该第一电极具有第一显露表面，该第一限位墙设置于该第一显露表面。
7.根据权利要求1所述的晶片封装构造，其特征在于：其中该第一限位墙包含多个第一凸肋，所述第一凸肋环设于该第一限位槽周边，且相邻的该第一凸肋间具有第一缺口。
8.根据权利要求2所述的晶片封装构造，其特征在于：其中该第二电极具有第二显露表面，该第二限位墙设置于该第二显露表面。
9.根据权利要求2所述的晶片封装构造，其特征在于：其中该第二限位墙包含多个第二凸肋，所述第二凸肋环设于该第二限位槽周边，且相邻的该第二凸肋间具有第二缺口。
技术研发人员：谢庆堂，施政宏，
申请(专利权)人：颀邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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