一种半导体垂直打线结构及方法技术

本发明专利技术提供一种半导体垂直打线结构及方法，该方法包括以下步骤：S1：提供一半导体芯片，所述半导体芯片表面具有分立设置的第一焊点与第二焊点，所述第一焊点处设有与所述半导体芯片内部功能器件相连的打线焊垫，所述第二焊点处设有虚拟焊垫；S2：在所述打线焊垫上进行打线，在所述虚拟焊垫上进行切线，在所述打线焊垫上方进行拉线，使得金属线在切线处断裂，得到与所述打线焊垫连接的垂直导电柱。本发明专利技术通过对第二焊点增加虚拟焊垫，消除垂直打线中由于第二焊点在前层所产生的损伤，进而改善垂直打线工艺前层基层的平整度及产生剥离的风险，提高了芯片中每一导电层的电信号传输性能，并有助于提高垂直打线工艺的效率及精确度。

A structure and method of semiconductor vertical wiring

【技术实现步骤摘要】
一种半导体垂直打线结构及方法
本专利技术属于半导体封装领域，涉及一种半导体垂直打线结构及方法。
技术介绍
所有计算和通信系统都需要电力传输子系统。电力输送系统将电源的高电压转换为系统中分立设备所需的许多不同的低电压。在扇出封装中，连接所有层以传输功率信号的导线决定了信号传输损失的幅度。现有的垂直打线工艺中，在第一焊点处进行打线，在第二焊点处进行切线，由于第二焊点处并无专属焊垫，第二焊点的切线动作是在前层PI/金属层上完成，会对前层造成损伤(damage)，并形成多个凹坑。由于多个凹坑造成表面凹凸不平，在塑封成型(molding)之后，易形成大片剥离(peeling)，会对芯片内部结构以及电性能产生影响；如损伤过深，会影响前层的平整度，导致电信号在该层传输时造成信号间断。因此，如何提供一种半导体垂直打线结构及方法，以消除垂直打线中由于第二焊点所产生的损伤，改善垂直打线工艺前层基层的平整度及产生剥离的风险，提高芯片中每一导电层的电信号传输性能及提高垂直打线工艺的效率及精确度，成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。...

【技术保护点】
1.一种半导体垂直打线方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1：提供一半导体芯片，所述半导体芯片表面具有分立设置的第一焊点与第二焊点，所述第一焊点处设有与所述半导体芯片内部功能器件相连的打线焊垫，所述第二焊点处设有虚拟焊垫；/nS2：在所述打线焊垫上进行打线，在所述虚拟焊垫上进行切线，在所述打线焊垫上方进行拉线，使得金属线在切线处断裂，得到与所述打线焊垫连接的垂直导电柱。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体垂直打线方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：提供一半导体芯片，所述半导体芯片表面具有分立设置的第一焊点与第二焊点，所述第一焊点处设有与所述半导体芯片内部功能器件相连的打线焊垫，所述第二焊点处设有虚拟焊垫；
S2：在所述打线焊垫上进行打线，在所述虚拟焊垫上进行切线，在所述打线焊垫上方进行拉线，使得金属线在切线处断裂，得到与所述打线焊垫连接的垂直导电柱。


2.根据权利要求1所述的半导体垂直打线方法，其特征在于：所述步骤S2包括如下分步骤：
S2-1：提供一金属线，所述金属线穿过劈刀并在劈刀头留出一段安全距离；
S2-2：将所述金属线的线尾熔化成金属球；
S2-3：将所述劈刀下降至所述第一焊点处，将所述金属球压焊至所述打线焊垫表面；
S2-4：压焊完成后将所述劈刀上升；
S2-5：当所述劈刀上升至打线所需高度位置时，将所述劈刀上方的线夹关闭，并将所述劈刀下降并移动至所述第二焊点处，将所述金属线在所述虚拟焊垫表面压薄；
S2-6：将所述劈刀移动至所述第一焊点上方预设高度并保持所述线夹关闭，利用所述劈刀向上的拉力使所述金属线在压薄处断裂。


3.根据权利要求2所述的半导体垂直打线方法，其特征在于：于所述步骤S2-5中，所述劈刀将所述金属线在所述虚拟焊垫表面压薄的同时，还进行水平方向的震荡。


4.根据权利要求1所述的半导体垂直打线方法，其特征在于：所述虚拟焊垫的厚度范围是2～5μm。


5.根据权利要求1所述的半导体垂直打线方法，其特征在于：所述虚拟焊垫的顶面面积大于所述劈刀的底面...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄晗，林正忠，陈彦亨，吴政达，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32