晶圆洗边侦测装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶圆洗边侦测装置，设置在电镀机台的晶圆洗边工艺腔的下一级的晶圆传送位置上；晶圆洗边侦测装置包括探测器和旋转装置，旋转装置用于对晶圆进行旋转并选定侦测位置，侦测位置位于晶圆的边缘上；探测器固定设置在晶圆上方并对晶圆的侦测位置处晶圆的边缘进行在线侦测，探测器对多个侦测位置进行在线侦测并形成侦测结果。本发明专利技术还公开了一种晶圆洗边侦测方法。本发明专利技术能提高晶圆洗边侦测的准确性，减少误判断，提高产品良率。

Wafer edge washing detection device and method

【技术实现步骤摘要】
晶圆洗边侦测装置和方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种晶圆洗边侦测装置，本专利技术还涉及一种晶圆洗边侦测方法。
技术介绍
在半导体集成电路制造领域中通常会采用电镀工艺如电镀铜工艺在晶圆如硅衬底晶圆上形成铜层，在电镀工艺中，晶圆边缘的金属层通常要去除，去除晶圆边缘的工艺称为洗边(EdgeBevalRemove，EBR)工艺。洗边工艺通常是采用酸管将用于刻蚀金属的刻蚀液通过碰嘴喷射到晶圆的边缘上进行清洗，电镀铜的洗边工艺的刻蚀液通常采用H2O2和硫酸。铜电镀制程的洗边工艺，可以去除晶圆边缘无效区域的铜，避免在后续制程中掉落，形成缺陷源头。在洗边工艺过程中，由于酸管产生磨损或酸流量不足等容易导致洗边不充分，在线及时的洗边侦测装置可以及时准确地侦测洗边异常，保证产品良率。但是现有洗边侦测装置，只能侦测晶圆固定位置处的洗边情况，不能及时侦测到洗边异常，而且容易造成误判断。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种晶圆洗边侦测装置，能提高晶圆洗边侦测的准确性，减少误判断，提高产品良率。为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆洗边侦测装置，其特征在于：晶圆洗边侦测装置设置在电镀机台的晶圆洗边工艺腔的下一级的晶圆传送位置上；/n所述晶圆洗边侦测装置包括探测器和旋转装置，所述旋转装置用于对所述晶圆进行旋转并选定侦测位置，所述侦测位置位于所述晶圆的边缘上；/n所述探测器固定设置在所述晶圆上方并对所述晶圆的所述侦测位置处所述晶圆的边缘进行在线侦测，所述探测器对多个所述侦测位置进行在线侦测并形成侦测结果。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆洗边侦测装置，其特征在于：晶圆洗边侦测装置设置在电镀机台的晶圆洗边工艺腔的下一级的晶圆传送位置上；
所述晶圆洗边侦测装置包括探测器和旋转装置，所述旋转装置用于对所述晶圆进行旋转并选定侦测位置，所述侦测位置位于所述晶圆的边缘上；
所述探测器固定设置在所述晶圆上方并对所述晶圆的所述侦测位置处所述晶圆的边缘进行在线侦测，所述探测器对多个所述侦测位置进行在线侦测并形成侦测结果。


2.如权利要求1所述的晶圆洗边侦测装置，其特征在于：所述晶圆传送位置包括晶圆放置架，所述晶圆放置在所述晶圆放置架上；
所述旋转装置设置在所述晶圆放置架的底部；
所述探测器固定设置在所述晶圆放置架上。


3.如权利要求1所述的晶圆洗边侦测装置，其特征在于：多个所述侦测位置等间距分布在所述晶圆的边缘的圆周上。


4.如权利要求1所述的晶圆洗边侦测装置，其特征在于：所述侦测结果为异常时所述晶圆洗边侦测装置发出报警信息。


5.如权利要求1所述的晶圆洗边侦测装置，其特征在于：所述电镀机台为电镀铜机台。


6.如权利要求5所述的晶圆洗边侦测装置，其特征在于：所述晶圆在所述晶圆洗边工艺腔完成洗边工艺，所述洗边工艺将所述晶圆的边缘区域内的铜层刻蚀掉。


7.如权利要求6所述的晶圆洗边侦测装置，其特征在于：所述探测器包括光学照相机，通过所述光学照相机进行拍照得到图片并图片进行色差识别来判断所述洗边工艺是否完成。


8.如权利要求6所述的晶圆洗边侦测装置，其特征在于：所述洗边工艺所刻蚀的所述晶圆的边缘区域的宽度包括2.1mm，2.5...

【专利技术属性】
技术研发人员：王赫，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31