基板处理装置以及电子零件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供基板处理装置以及电子零件的制造方法，在一个腔室内具有多个处理区域的基板处理装置中，用于抑制处理区域间的气氛气体的混合。基板处理装置具有如下构造的腔室，即，该腔室设有对基板进行第一处理的第一区域和对所述基板进行第二处理的第二区域，且所述第一区域与所述第二区域之间在空间上开放，其中，所述腔室具有：第一导入口，向所述第一区域导入在所述第一处理中使用的第一气体；第二导入口，向所述第二区域导入在所述第二处理中使用的第二气体；以及排气口，设置在所述第一区域与所述第二区域的交界部或该交界部的附近。

Substrate processing device and manufacturing method of electronic parts

The invention provides a substrate processing device and a manufacturing method of an electronic part, which is used to suppress the mixing of atmosphere gas between processing areas in a substrate processing device with multiple processing areas in a chamber. The substrate processing device has a chamber configured as follows, that is, the chamber is provided with a first area for the first processing of the substrate and a second area for the second processing of the substrate, and the first area and the second area are spatially open, wherein the chamber has a first import port to import the first area into the first area used in the first processing Gas; a second inlet to introduce a second gas used in the second processing to the second region; and an exhaust port to be arranged near or at the junction of the first region and the second region.

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置以及电子零件的制造方法
本专利技术涉及基板处理装置以及电子零件的制造方法。
技术介绍
广泛利用在减压腔室内配置基板，在规定的气体的气氛下进行基板表面的处理的基板处理装置。例如，有通过溅射在基板表面进行成膜的装置、利用离子束或等离子体进行基板表面的清洗(异物去除)、蚀刻的装置等。以往，在对一张基板实施多种处理的情况下，为了防止各个处理中的气氛气体的混合，一般采用针对每个处理使用各自的(即被完全隔离的)腔室的方法。另外，在专利文献1中公开了如下结构：在通过隔壁将两个腔室之间隔开，向一个腔室导入氩气，向另一腔室导入氩和氧的混合气体，在基板上制作金属和氧的复合化膜的装置中，通过向连通两个腔室的空间部导入比两个腔室高的气压的氩气，防止两个腔室之间的气体的混合。[现有技术文献][专利文献]专利文献1：日本特开2016-108602号公报本专利技术人为了提高基板处理装置的生产量，研究了通过在一个腔室内设置前处理区域、成膜区域等多个处理区域，将基板依次搬送到各个处理区域而连续地执行多个处理的方式的装置。这种方式也被称为直列型。在直列型的装置中，为了确保基板的搬送路径，无法将处理区域彼此在空间上隔开。因此，容易产生处理区域间的气氛气体的混合，由此可能对基板处理的进行、品质等产生影响。例如，在前处理中使用氧、氮等活性气体的情况下，如果该活性气体流入成膜区域，则存在活性气体与靶反应而使靶表面的成分变化(氧化、氮化等)的可能性。因此，在现有装置中，在将基板导入成膜区域之前需要实施充分的时间(例如几分钟以上)的预溅射，并清洗靶表面，这导致生产量的降低。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述实际情况而完成的，其目的在于提供一种在一个腔室内具有多个处理区域的基板处理装置中，用于抑制处理区域间的气氛气体的混合的技术。[用于解决课题的技术方案]本专利技术的第一技术方案提供一种基板处理装置，该基板处理装置具有如下构造的腔室，即，该腔室设有对基板进行第一处理的第一区域和对所述基板进行第二处理的第二区域，且所述第一区域与所述第二区域之间在空间上开放，其特征在于，所述腔室具有：第一导入口，向所述第一区域导入在所述第一处理中使用的第一气体；第二导入口，向所述第二区域导入在所述第二处理中使用的第二气体；以及排气口，设置在所述第一区域与所述第二区域的交界部或该交界部的附近。根据该结构，由于第一区域内的气体从排气口排出，因此能够抑制第一区域内的气体流入第二区域内。另外，在第二区域内的气体也从排气口排出的情况下，能够抑制第二区域内的气体流入第一区域内。因此，能够抑制区域间的气氛气体的混合。本专利技术的第二技术方案提供一种电子零件的制造方法，其特征在于，该电子零件的制造方法具有以下的工序：向腔室的内部搬入构成电子零件的基板的工序，该腔室具有设有第一区域和第二区域且所述第一区域与所述第二区域之间在空间上开放的构造；向所述第一区域搬送所述基板的工序；在从设置于所述腔室的第一导入口导入到所述第一区域的第一气体的气氛下，对所述基板进行第一处理的工序；在所述第一处理之后，向所述第二区域搬送所述基板的工序；以及在从设置于所述腔室的第二导入口导入到所述第二区域的第二气体的气氛下，对所述基板进行第二处理的工序，所述腔室内的气体从设置在所述第一区域和所述第二区域的交界部或该交界部的附近的排气口被排出。[专利技术效果]根据本专利技术，在一个腔室内具有多个处理区域的基板处理装置中，能够抑制处理区域间的气氛气体的混合。附图说明图1A是示意性地表示直列型的基板处理装置的内部结构的俯视图，图1B是基板处理装置的侧视图。图2是表示基板处理装置的动作的流程图。图3A是从与基板2的搬送方向平行的方向观察前处理区域13A的图，图3B是从与基板2的搬送方向平行的方向观察成膜区域13B的图。图4是示意性地表示基板处理装置的其它结构的俯视图。附图标记说明1：基板处理装置；2：基板；13：处理室(腔室)；13A：前处理区域(第一区域)；13B：成膜区域(第二区域)；130A：第一导入口；130B：第二导入口；131：排气口。具体实施方式以下，参照附图说明本专利技术的优选的实施方式和实施例。但是，以下的实施方式和实施例仅例示地表示本专利技术的优选的结构，本专利技术的范围不限定于这些结构。此外，以下的说明中的、装置的硬件结构和软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等、只要没有特别特定的记载，本专利技术的范围就不限定于此。(基板处理装置的整体结构)参照图1A和图1B，说明本专利技术的实施方式的基板处理装置1的结构。图1A是示意性地表示基板处理装置1的整体的内部结构的俯视图，图1B是基板处理装置1的侧视图。基板处理装置1具备收容多个基板2的储料室11、通过加热器121进行基板2的加热处理的准备室12、对基板2的表面进行前处理、成膜处理的处理室(腔室)13。在处理室13的内部设置有对基板2进行前处理的前处理区域13A和对基板2进行成膜处理的成膜区域13B。前处理区域13A和成膜区域13B之间在空间上开放(即，未被隔壁等隔开)，在各个区域设置有用于搬送基板2的搬送路径(轨道)。在前处理区域13A设置有用于在成膜处理之前进行基板2的处理面的前处理的前处理装置14，在成膜区域13B设置有作为对基板2的处理面进行成膜处理的成膜处理部的溅射装置15。在本实施方式中，作为对基板2实施的第一处理的一例，例示基于等离子体的前处理(基板清洗处理)，作为对基板2实施的第二处理的一例，例示金属溅射。另外，设置在成膜区域13B与准备室12之间的空间是使基板2待命的空间。本实施方式的基板处理装置1具有对基板2进行支承以及搬送、实施加热～前处理～成膜这样的一连串处理的所谓的直列型的结构。如图1B所示，在处理室13的上表面(顶部)设置有用于向处理室13内导入气体的导入口130A、130B和用于从处理室13排出气体的排气口131以及排气泵132。这里，导入口130A是用于将在前处理中使用的第一气体导入前处理区域13A的路径。作为第一气体，例如能够例示氧气、氮气等活性气体。另一方面，导入口130B是用于将成膜处理中使用的第二气体导入成膜区域13B的路径。作为第二气体，例如能够例示氩气、氖气等稀有气体(惰性气体)。排气口131配置在前处理区域13A和成膜区域13B的交界部或其附近，兼作前处理区域13A内的气体和成膜区域13B内的气体这两者的排气路径。通过这样的构造，能够抑制前处理区域13A内的气体流入成膜区域13B，另外，能够抑制成膜区域13B内的气体流入前处理区域13A。在本实施方式的基板处理装置1中，导入口130A设置在相对于前处理区域13A设置有排气口131的位置的相反侧的位置。换言之，导入口130A配置在前处理区域13A的一个端部，排气口131配置在前处理区域13A的另一个端部(或前处理区域13A与成膜区域13B的交界部)。通过这样的配置，能够使从导入口130A导入的气体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，/n该基板处理装置具有如下构造的腔室，即，该腔室设有对基板进行第一处理的第一区域和对所述基板进行第二处理的第二区域，且所述第一区域与所述第二区域之间在空间上开放，/n其特征在于，/n所述腔室具有：/n第一导入口，向所述第一区域导入在所述第一处理中使用的第一气体；/n第二导入口，向所述第二区域导入在所述第二处理中使用的第二气体；以及/n排气口，设置在所述第一区域与所述第二区域的交界部或该交界部的附近。/n

【技术特征摘要】
20180509 JP 2018-0905201.一种基板处理装置，
该基板处理装置具有如下构造的腔室，即，该腔室设有对基板进行第一处理的第一区域和对所述基板进行第二处理的第二区域，且所述第一区域与所述第二区域之间在空间上开放，
其特征在于，
所述腔室具有：
第一导入口，向所述第一区域导入在所述第一处理中使用的第一气体；
第二导入口，向所述第二区域导入在所述第二处理中使用的第二气体；以及
排气口，设置在所述第一区域与所述第二区域的交界部或该交界部的附近。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一导入口设置在相对于所述第一区域设置有所述排气口的位置的相反侧的位置。


3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二导入口设置在相对于所述第二区域设置有所述排气口的位置的相反侧的位置。


4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述第一区域以及所述第二区域中，所述基板在被铅垂地支承的状态下被进行所述第一处理以及所述第二处理，
所述第一导入口、所述第二导入口以及所述排气口设置在所述腔室的上表面。


5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述排气口兼作从所述腔室内排出所述第一气体的排气口和从所述腔室内排出所述第二气体的排气口。


6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一气体和所述第二气体是包含不同成分的气体。


7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一气体为活性气体，所述第二气体为非活性气体。


8.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一气体是氧气或氮气。


9.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡部新，阿部可子，
申请(专利权)人：佳能特机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP