本发明专利技术提供一种使用更简单的装置进行蚀刻的蚀刻装置。使用一种蚀刻装置，具备：照射装置，所述照射装置包括向基板照射蚀刻用的离子束的离子源；以及输送装置，所述输送装置输送基板，使基板多次通过离子束的照射区域，离子束的照射方向相对于位于照射区域的基板的表面的法线倾斜，多次的照射区域的基板的通过至少包括第1通过和第2通过，第1通过中的离子束相对于基板的照射方向和第2通过中的离子束相对于基板的照射方向相互不同。对于基板的照射方向相互不同。对于基板的照射方向相互不同。
【技术实现步骤摘要】
蚀刻装置
[0001]本专利技术涉及蚀刻装置。
技术介绍
[0002]使用有机EL显示装置、液晶显示装置等平板显示装置。例如有机EL显示装置包括在2个相对的电极之间形成有具有作为引起发光的有机物层的发光层的功能层的多层结构的有机EL元件。有机EL元件的功能层、电极层通过在成膜装置的腔室内利用溅射、蒸镀等方法经由掩模使成膜材料附着于玻璃基板而形成。另外，已知有利用向通过溅射等形成的膜照射离子束的离子束蚀刻，进行将膜的一部分削掉而去除的处理。
[0003]对于离子束蚀刻，提出有一边使被照射对象旋转或移动一边照射离子束的方法。
[0004]专利文献1(日本特表2013－503414号公报)公开了在照射平行离子束的直列处理系统中使圆形基板一边旋转一边移动的结构。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特表2013－503414号公报
技术实现思路
[0008]专利技术要解决的课题
[0009]在现有技术中，为了一边使基板旋转一边进行输送，将基板载置于特殊的载体。因此，存在若要应对大型的基板则装置大型化的课题。在此，本专利技术是鉴于上述课题而完成的，提供一种使用更简单的装置进行蚀刻的技术。
[0010]用于解决课题的方案
[0011]本专利技术采用以下的结构。即，一种蚀刻装置，其中，具备：
[0012]照射装置，所述照射装置包括向基板照射蚀刻用的离子束的离子源；以及
[0013]输送装置，所述输送装置输送所述基板，使所述基板多次通过所述离子束的照射区域，
[0014]所述离子束的照射方向相对于位于所述照射区域的所述基板的表面的法线倾斜，
[0015]所述多次的所述照射区域的所述基板的通过至少包括第1通过和第2通过，所述第1通过中的所述离子束相对于所述基板的照射方向和所述第2通过中的所述离子束相对于所述基板的照射方向相互不同。
[0016]另外，本专利技术采用以下的结构。即，一种蚀刻装置，其中，具备：
[0017]照射装置，所述照射装置包括向基板照射蚀刻用的离子束的离子源；以及
[0018]输送装置，所述输送装置输送所述基板，使所述基板多次通过所述离子束的照射区域，
[0019]所述离子束的照射方向相对于位于所述照射区域的所述基板的表面的法线倾斜，
[0020]所述多次的所述照射区域的所述基板的通过至少包括第1通过和第2通过，
[0021]所述蚀刻装置还具备旋转装置，所述旋转装置在所述第1通过与所述第2通过之间，在所述离子束的照射区域之外，在与所述基板的表面平行的面内使所述基板旋转。
[0022]专利技术的效果
[0023]根据本专利技术，能够提供一种使用更简单的装置进行蚀刻的技术。
附图说明
[0024]图1是实施例1的成膜装置的内部的概略结构图。
[0025]图2是表示实施例1的成膜装置的动作的流程图。
[0026]图3是实施例1的成膜装置的蚀刻动作说明图。
[0027]图4是实施例1的成膜装置的内部的概略结构图。
[0028]图5是实施例1的离子源的说明图。
[0029]图6是实施例1的蚀刻区的说明图。
[0030]图7是实施例1的离子束照射方向的说明图。
[0031]图8是实施例1的通过离子束照射形成的膜的说明图。
[0032]图9是实施例2的蚀刻区的说明图。
[0033]图10是实施例2的离子束的照射方向的可变机构的说明图。
[0034]图11是实施例3的蚀刻区的说明图。
[0035]图12是实施例4的蚀刻区的说明图。
[0036]图13是实施例5的蚀刻区的说明图。
[0037]图14是实施例6的蚀刻区的说明图。
[0038]图15是实施例7的蚀刻区的说明图。
[0039]图16是实施例7的蚀刻区的变形例的说明图。
[0040]图17是实施例8的蚀刻区的说明图。
[0041]图18是实施例8的蚀刻区的说明图的后续。
[0042]图19是实施例8的蚀刻区的变形例的说明图。
[0043]图20是表示形成于凹凸基板的膜的剖视图。
[0044]附图标记说明
[0045]10基板，11凸部，12凹部，15基板输送装置，20膜，300处理室，300c蚀刻区，330蚀刻用射束照射装置，331离子源，341离子束。
具体实施方式
[0046]以下，对本专利技术的实施方式进行详细说明。但是，以下的实施方式仅是例示性地表示本专利技术的优选的结构，本专利技术的范围并不限定于这些结构。另外，对于以下的说明中的装置的硬件结构及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等，只要没有特定的记载，则不意图将本专利技术的范围仅限定于此。
[0047]本专利技术适合于通过溅射、蒸镀在基板等成膜对象物的表面上形成成膜材料的薄膜的成膜装置。本专利技术能够理解为成膜装置、成膜方法、蚀刻装置、蚀刻方法、成膜装置或蚀刻装置的控制方法。本专利技术还能够理解为电子器件的制造装置及其控制方法、电子器件的制造方法。本专利技术还能够理解为使计算机执行成膜方法、蚀刻方法或控制方法的程序、储存有
该程序的存储介质。存储介质也可以是能够由计算机读取的非暂时性的存储介质。
[0048]本专利技术能够优选应用于在作为被处理对象的基板的表面上形成所期望的图案的薄膜的成膜装置。作为基板的材料，能够利用玻璃、树脂、金属、硅等任意的材料。作为成膜材料，能够利用有机材料、无机材料(金属、金属氧化物)等任意的材料。基板也可以包括在基板材料的表面上已进行了1个以上的成膜的基板。本专利技术的技术典型地应用于电子器件或光学部件的制造装置。特别是适合于具备有机EL元件的有机EL显示器、使用有机EL显示器的有机EL显示装置等有机电子器件。本专利技术还能够利用于薄膜太阳能电池、有机CMOS图像传感器。
[0049](实施例1)
[0050]参照图1～图8，对本专利技术的实施例1的成膜方法及成膜装置进行说明。图1是表示本专利技术的实施例1的成膜装置的内部的概略结构的剖视图，示出了从上方观察成膜装置的整个内部的情况下的概略结构。图2是表示本专利技术的实施例1的成膜装置的动作的流程图。图3是本专利技术的实施例1的成膜装置的蚀刻动作说明图。图4是本专利技术的实施例1的成膜装置的内部的概略结构图，示出了在基板的输送方向上观察设置有蚀刻用射束照射装置的附近的概略结构。图5是作为本专利技术的实施例1的蚀刻用射束照射装置的离子源的说明图，图5的(a)是表示离子源的射束照射面的主视图，图5的(b)是图5的(a)中的AA剖视图，图5的(c)是表示离子束的长边方向的蚀刻强度的图表。图6是从侧面观察本实施例的蚀刻区300c的结构的图。图7是表示离子束照射方向与基板的凹凸的关系的图。图8是对于本专利技术的实施例1的离子束照射的效果的说明图。
[0051]＜成膜装置的整体结构＞
[0052]特别参照本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种蚀刻装置，其特征在于，所述蚀刻装置具备：照射装置，所述照射装置包括向基板照射蚀刻用的离子束的离子源；以及输送装置，所述输送装置输送所述基板，使所述基板多次通过所述离子束的照射区域，所述离子束的照射方向相对于位于所述照射区域的所述基板的表面的法线倾斜，所述多次的所述照射区域的所述基板的通过至少包括第1通过和第2通过，所述第1通过中的所述离子束相对于所述基板的照射方向和所述第2通过中的所述离子束相对于所述基板的照射方向相互不同。2.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，所述离子源是照射所述离子束的开口部具有长边方向的线性离子源。3.根据权利要求2所述的蚀刻装置，其特征在于，所述离子源的设置方向是使所述长边方向相对于所述输送装置对所述基板的输送方向倾斜的方向。4.根据权利要求3所述的蚀刻装置，其特征在于，所述照射装置包括2个所述离子源，所述2个离子源相对于所述输送方向的设置方向相互不同。5.根据权利要求4所述的蚀刻装置，其特征在于，所述离子源的设置方向是使所述长边方向相对于所述输送方向成为45
°±
15
°
的方向。6.根据权利要求5所述的蚀刻装置，其特征在于，所述离子源的设置方向是使所述长边方向相对于所述输送方向成为45
°±5°
的方向。7.根据权利要求3所述的蚀刻装置，其特征在于，所述照射装置包括4个所述离子源，所述4个离子源相对于所述输送方向的设置方向相互不同。8.根据权利要求7所述的蚀刻装置，其特征在于，所述4个离子源的设置方向各相差大致90
°
。9.根据权利要求3所述的蚀刻装置，其特征在于，所述输送装置能够使所述基板在所述输送方向上往复移动，所述照射装置包括2个所述离子源，所述2个离子源相对于所述输送方向的设置方向相互不同。10.根据权利要求9所述的蚀刻装置，其特征在于，在将包含所述基板的所述法线的截面以所述法线为交界分为第1侧和第2侧时，所述2个离子源分别能够在第1状态与第2状态之间切换，在所述第1状态下，以所述离子束照射到所述第1侧的方式所述照射方向从所述法线倾斜，在所述第2状态下，以所述离子束照射到所述第2侧的方式所述照射方向从所述法线倾斜。11.根据权利要求10所述的蚀刻装置，其特征在于，所述2个离子源在所述基板在所述输送方向的去路移动的期间，以所述第1状态照射所述离子束，在所述基板在所述输送方向的回路移动的期间，以所述第2状态照射所述离子束。12.根据权利要求11所述的蚀刻装置，其特征在于，所述2个离子源的设置方向相差大致90
°
。
13.根据权利要求9所述的蚀刻装置，其特征在于，所述2个离子源的设置方...
【专利技术属性】
技术研发人员：内田敏治，菅原洋纪，
申请(专利权)人：佳能特机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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