成膜装置及电子器件的制造方法制造方法及图纸

技术编号：40404440 阅读：7 留言：0更新日期：2024-02-20 22:27

本发明专利技术提供一种能够提高蒸镀状态的检测精度的成膜装置及电子器件的制造方法。其特征在于，具备：设置在腔室(10)内，放出蒸镀材料的蒸发源(100)；用于检测通过蒸镀处理而形成于基板(S)的所述蒸镀材料的膜的厚度及所述蒸镀处理中的从蒸发源(100)放出的所述蒸镀材料的放出量中的至少一方的膜厚传感器(30)；用于检测腔室(10)内的颗粒的颗粒传感器(200)；基于膜厚传感器(30)的检测结果和颗粒传感器(200)的检测结果，控制蒸发源(100)的控制装置(40)。

全部详细技术资料下载

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及成膜装置及电子器件的制造方法。

技术介绍

1、在进行真空蒸镀的成膜装置中具备蒸发源，该蒸发源具有收容蒸镀材料的坩埚。在蒸发源中，对坩埚进行加热而使蒸镀材料蒸发或升华，由此将该材料蒸镀在基板上而形成薄膜。专利文献1公开了在这样的成膜装置中，在蒸镀源的正上方设置有检出蒸镀粒子的簇的颗粒传感器的技术。

2、【现有技术文献】

3、【专利文献】

4、【专利文献1】日本特开2008-303430号公报

技术实现思路

1、【专利技术要解决的课题】

2、在如现有技术那样仅通过单一的检测机构判断蒸发源的状态或基于蒸发源的蒸镀动作的状态的方法中，难以准确地判断蒸发源的状态。例如，对蒸镀处理未造成大的影响那样的状态的变化由于检测机构的固有特性而可能被作为表示异常的检测结果输出。反之，可能会产生仅通过一个种类的检测机构难以检测的状态变化。鉴于这样的课题，本技术的目的在于更准确地判断蒸发源的状态或基于蒸发源的蒸镀动作的状态。

3、【用于解决课题的方案】

4、本专利技术的一方面的成膜装置的特征在于，具备：

5、蒸发源，所述蒸发源设置在腔室内，放出蒸镀材料；

6、第一检测机构，所述第一检测机构用于检测通过蒸镀处理而形成于基板的所述蒸镀材料的膜的厚度及所述蒸镀处理中的从所述蒸发源放出的所述蒸镀材料的放出量中的至少一方；

7、第二检测机构，所述第二检测机构用于检测所述腔室内的颗粒；及

9、【专利技术效果】

10、根据实施方式，能够更准确地判断蒸发源的状态或基于蒸发源的蒸镀动作的状态。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种成膜装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，

8.根据权利要求6或7所述的成膜装置，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

11.根据权利要求10所述的成膜装置，其特征在于，

12.根据权利要求10所述的成膜装置，其特征在于，

13.根据权利要求12所述的成膜装置，其特征在于，

14.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，

15.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，

16.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，

17.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，

18.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，

19.根据权利要求18所述的成膜装置，其特征在于，

20.根据权利要求18所述的成膜装置，其特征在于，

21.根据权利要求18所述的成膜装置，其特征在于，

22.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，

23.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，

24.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，

25.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，

26.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，

27.一种电子器件的制造方法，使用了权利要求1～26中任一项所述的成膜装置，其特征在于，包括：

...

【技术特征摘要】