【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及成膜装置。
技术介绍
1、已知有在基板上对金属等成膜材料进行溅射而形成薄膜的成膜装置。另外，已知有如下成膜装置：在由成膜材料构成的靶材的与基板相反一侧的面配置磁铁，通过利用产生的磁场提高电子密度来进行溅射的磁控溅射法而提高效率。并且，也已知有如下方法：将靶材设为能够旋转的圆筒形状，在圆筒部的内侧配置磁体。
2、进行溅射的成膜装置例如适合于在有机el显示器的制造装置中形成电极层。若在这样的成膜装置的腔室内部存在氧、水分子等杂质，则制造出的有机el显示器的元件特性有可能降低。因此，已知有使用钛等反应性高的吸气材料从腔室内部去除杂质。例如在专利文献1中记载了如下技术：除了成膜用的靶材之外还设置吸气用的靶材，从而在腔室内部形成吸气材料的膜而去除成膜时的杂质。另外，在专利文献2中也记载了如下技术：将多个溅射源中的一个利用于吸气材料向装置内部的成膜。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：国际公开第14/122700号
6、专利文献2：日本特表2005－504172
【技术保护点】
1.一种成膜装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
3.一种成膜装置，具备：
4.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，
7.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，
8.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
9.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
10.根据权利要求1～4中任一...
【技术特征摘要】
1.一种成膜装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
3.一种成膜装置，具备：
4.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，
7.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，
8.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
9.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
10.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
11.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，...
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