【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及成膜装置。
技术介绍
1、已知有在基板上对金属等成膜材料进行溅射而形成薄膜的成膜装置。另外，已知有如下成膜装置：在由成膜材料构成的靶材的与基板相反一侧的面配置磁铁，通过利用产生的磁场提高电子密度来进行溅射的磁控溅射法而提高效率。并且，也已知有如下方法：将靶材设为能够旋转的圆筒形状，在圆筒部的内侧配置磁体。
2、进行溅射的成膜装置例如适合于在有机el显示器的制造装置中形成电极层。若在这样的成膜装置的腔室内部存在氧、水分子等杂质，则制造出的有机el显示器的元件特性有可能降低。因此，已知有使用钛等反应性高的吸气材料从腔室内部去除杂质。例如在专利文献1中记载了如下技术：除了成膜用的靶材之外还设置吸气用的靶材，从而在腔室内部形成吸气材料的膜而去除成膜时的杂质。另外，在专利文献2中也记载了如下技术：将多个溅射源中的一个利用于吸气材料向装置内部的成膜。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：国际公开第14/122700号
6、专利文献2：日本特表2005－504172号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、在进行溅射的成膜装置中，要求使用吸气材料更高效地去除腔室内部的杂质，提高成膜的质量。
3、本专利技术是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种在进行溅射的成膜装置中用于使用吸气材料更高效地去除腔室内部的杂质的技术。
4、用于解决课题的方案
5、本专利技
6、腔室；
7、第1阴极单元，其具有包含成膜材料的第1靶材，通过在所述腔室的内部进行溅射，从所述第1靶材朝向基板放出所述成膜材料；以及
8、第2阴极单元，其具有包含吸气材料的圆筒形状的第2靶材，在所述腔室的内部一边使所述第2靶材旋转一边进行溅射。
9、本专利技术还采用以下的结构。即，一种成膜装置，具备：
10、腔室；
11、第1阴极单元，其具有包含成膜材料的第1靶材，通过在所述腔室的内部进行溅射，从所述第1靶材朝向基板放出所述成膜材料；以及
12、第2阴极单元，其具有包含吸气材料的第2靶材，在所述腔室的内部进行溅射，
13、其中，
14、能够从所述第1靶材的放出所述成膜材料的区域直视所述第2靶材的表面。
15、本专利技术还采用以下的结构。即，一种成膜装置，具备：
16、第1阴极单元，其具有包含成膜材料的第1靶材，通过溅射在基板上形成所述成膜材料的膜；以及
17、第2阴极单元，其具有包含吸气材料的圆筒形状的第2靶材，能够在所述腔室内部一边使所述第2靶材旋转，一边向不是所述基板的位置进行溅射，
18、其中，
19、所述第1阴极单元和所述第2阴极单元同时进行溅射。
20、专利技术的效果
21、根据本专利技术，能够提供一种在进行溅射的成膜装置中用于使用吸气材料更高效地去除腔室内部的杂质的技术。
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1.一种成膜装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
3.一种成膜装置，具备：
4.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，
7.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，
8.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
9.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
10.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
11.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
12.根据权利要求11所述的成膜装置，其特征在于，
13.根据权利要求11所述的成膜装置，其特征在于，
14.根据权利要求13所述的成膜装置，其特征在于，
15.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
16.根据权利要求1～4中任一项所述
17.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
18.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
19.一种成膜装置，具备：
20.一种器件制造方法，所述器件制造方法是使用权利要求1～19中任一项所述的成膜装置的器件制造方法，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种成膜装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
3.一种成膜装置，具备：
4.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，
7.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，
8.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
9.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
10.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
11.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，...
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