吸附装置、位置调整方法及成膜方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供吸附装置、位置调整方法及成膜方法。吸附装置的特征在于，包括：掩模支承单元，所述掩模支承单元用于支承掩模；静电吸盘，所述静电吸盘设置在所述掩模支承单元的一侧，用于吸附基板；以及调整部件，所述调整部件用于调整所述掩模支承单元与所述静电吸盘的相对位置，在以使所述掩模在朝向所述静电吸盘的方向上成为凸状的方式使朝向所述静电吸盘的方向上的力作用于所述掩模的状态下，所述调整部件调整所述掩模支承单元与所述静电吸盘的相对位置。相对位置。相对位置。

【技术实现步骤摘要】
吸附装置、位置调整方法及成膜方法
[0001]本申请是名称为“吸附装置和方法、成膜装置和方法及电子器件的制造方法”、申请日为2019年09月20日、申请号为201910889651.3的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及吸附装置、位置调整方法及成膜方法。

技术介绍

[0003]在有机EL显示装置(有机EL显示器)的制造中，在形成构成有机EL显示装置的有机发光元件(有机EL元件；OLED)时，将从成膜装置的蒸镀源蒸发了的蒸镀材料隔着形成有像素图案的掩模蒸镀到基板上，由此形成有机物层、金属层。
[0004]在向上蒸镀方式(向上淀积)的成膜装置中，蒸镀源设置于成膜装置的真空容器的下部，基板配置于真空容器的上部，向基板的下表面蒸镀。因为在这样的向上蒸镀方式的成膜装置的真空容器内，仅基板的下表面的周边部由基板保持架保持，所以基板因其自重而挠曲，这成为使蒸镀精度下降的一个主要原因。在向上蒸镀方式以外的方式的成膜装置中，也有可能因基板的自重而产生挠曲。
[0005]作为用于降低由基板的自重引起的挠曲的方法，正在研究使用静电吸盘的技术。即，通过利用静电吸盘对基板的整个上表面进行吸附，能够降低基板的挠曲。
[0006]在专利文献1(韩国专利公开公报2007
‑
0010723号)中，提出了利用静电吸盘吸附基板及掩模的技术。
[0007]专利文献1：韩国专利公开公报2007
‑
0010723号
[0008]可是，在以往的技术中，在使掩模隔着基板吸附于静电吸盘的情况下，存在在吸附后的掩模上残留褶皱的问题。

技术实现思路

[0009]本专利技术的目的在于，将第1被吸附体和第2被吸附体这两者良好地吸附于静电吸盘。
[0010]用于解决课题的技术方案
[0011]本专利技术的第1技术方案的吸附装置，其特征在于，该吸附装置包括：被吸附体支承单元，用于支承被吸附体；静电吸盘，设置在所述被吸附体支承单元的一侧，用于吸附所述被吸附体；距离调整部件，用于调整所述被吸附体支承单元与所述静电吸盘的距离；以及控制部，用于控制对所述静电吸盘的电压施加以及所述距离调整部件对所述被吸附体支承单元与所述静电吸盘的距离的调整，所述控制部控制所述距离调整部件，以使所述静电吸盘与所述被吸附体支承单元之间的距离成为规定的间隔，并进行控制，以在所述被吸附体支承单元和所述静电吸盘被隔开所述规定的间隔的状态下，对所述静电吸盘施加用于在朝向所述静电吸盘的方向上吸引由所述被吸附体支承单元支承的被吸附体的电压。
[0012]本专利技术的第2技术方案的成膜装置，其特征在于，该成膜装置包括：基板支承单元，
用于支承基板；掩模支承单元，设置在所述基板支承单元的一侧，用于支承掩模；静电吸盘，以所述基板支承单元为基准，设置在所述掩模支承单元的相反侧，用于吸附所述基板并隔着所述基板吸附所述掩模；距离调整部件，用于调整所述掩模支承单元与所述静电吸盘的距离；以及控制部，用于控制对所述静电吸盘的电压施加以及所述距离调整部件对所述掩模支承单元与所述静电吸盘的距离的调整，所述控制部控制所述距离调整部件，以使所述静电吸盘隔着所述基板与所述掩模支承单元之间的距离成为规定的间隔，并进行控制，以在所述静电吸盘与所述掩模支承单元隔开所述规定的间隔的状态下，对所述静电吸盘施加用于使所述掩模在朝向所述静电吸盘的方向上成为凸状的规定的电压。
[0013]本专利技术的第3技术方案的吸附方法，其特征在于，该吸附方法包括：吸引阶段，对与被吸附体设置规定的间隔而隔开的静电吸盘施加规定的电压，在朝向所述静电吸盘的方向上吸引所述被吸附体；以及吸附阶段，使所述被吸附体与所述静电吸盘相对地接近，使所述被吸附体吸附于所述静电吸盘。
[0014]本专利技术的第4技术方案的吸附方法，是用于吸附被吸附体的方法，其特征在于，该吸附方法包括：第1吸附阶段，对静电吸盘施加第1电压而吸附第1被吸附体；吸引阶段，在隔着所述第1被吸附体，所述静电吸盘和第2被吸附体被隔开规定的间隔的状态下，对所述静电吸盘施加规定的电压，使所述第2被吸附体在朝向所述静电吸盘的方向上成为凸状；以及第2吸附阶段，使所述第2被吸附体和所述静电吸盘从所述规定的间隔相对地接近，并隔着所述第1被吸附体将所述第2被吸附体吸附于所述静电吸盘。
[0015]本专利技术的第5技术方案的吸附方法，是用于吸附被吸附体的方法，其特征在于，该吸附方法包括：第1施加阶段，对静电吸盘施加用于将第1被吸附体吸附于所述静电吸盘的第1电压；第1移动阶段，使第2被吸附体和所述静电吸盘相对地移动，以使所述第2被吸附体与所述静电吸盘隔着所述第1被吸附体隔开规定的间隔；第2施加阶段，在所述第2被吸附体与所述静电吸盘隔着所述第1被吸附体隔开规定的间隔的状态下，施加规定的电压，以使所述第2被吸附体在朝向所述静电吸盘的方向上成为凸状；以及第2移动阶段，在施加了所述规定的电压的状态下，使所述第2被吸附体与所述静电吸盘相对地移动，以隔着所述第1被吸附体将所述第2被吸附体吸附于所述静电吸盘。
[0016]本专利技术的第6技术方案的成膜方法，是隔着掩模在基板上对蒸镀材料进行成膜的成膜方法，其特征在于，该成膜方法包括：向真空容器内搬入掩模的阶段；向所述真空容器内搬入基板的阶段；对静电吸盘施加第1电压来吸附所述基板的阶段；在隔着所述基板将所述静电吸盘和所述掩模隔开规定的间隔的状态下，对所述静电吸盘施加规定的电压而使所述掩模在朝向所述静电吸盘的方向上成为凸状的阶段；使所述掩模和所述静电吸盘从所述规定的间隔相对地接近，隔着所述基板将所述掩模吸附于所述静电吸盘的阶段；以及在所述静电吸盘吸附有所述基板及所述掩模的状态下，使蒸镀材料蒸发，隔着所述掩模在所述基板上对蒸镀材料进行成膜的阶段。
[0017]本专利技术的第7技术方案的成膜方法，是隔着掩模在基板上对蒸镀材料进行成膜的成膜方法，其特征在于，该成膜方法包括：向真空容器内搬入掩模的阶段；向所述真空容器内搬入基板的阶段；第1施加阶段，对静电吸盘施加用于使第1基板吸附于所述静电吸盘的第1电压；第1移动阶段，使所述掩模与所述静电吸盘相对地移动，以使所述掩模和所述静电吸盘隔着所述基板隔开规定的间隔；第2施加阶段，在隔着所述基板将所述静电吸盘和所述
掩模隔开规定的间隔的状态下，施加规定的电压，以使所述掩模在朝向所述静电吸盘的方向上成为凸状；第2移动阶段，在被施加了所述规定的电压的状态下，使所述掩模与所述静电吸盘相对地移动，以使所述掩模隔着所述基板吸附于所述静电吸盘；以及在所述静电吸盘吸附有所述基板及所述掩模的状态下，使蒸镀材料蒸发，隔着所述掩模在所述基板上对蒸镀材料进行成膜的阶段。
[0018]本专利技术的第8技术方案的电子器件的制造方法，其特征在于，使用本专利技术的第6技术方案或第7技术方案的成膜方法来制造电子器件。
[0019]专利技术的效果
[0020]根据本专利技术，能够利用静电吸盘良好地吸附第1被吸附体和第2被吸附体这两者以不残留褶皱。
附图说明
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种吸附装置，其特征在于，所述吸附装置包括：掩模支承单元，所述掩模支承单元用于支承掩模；静电吸盘，所述静电吸盘设置在所述掩模支承单元的一侧，用于吸附基板；以及调整部件，所述调整部件用于调整所述掩模支承单元与所述静电吸盘的相对位置，在以使所述掩模在朝向所述静电吸盘的方向上成为凸状的方式使朝向所述静电吸盘的方向上的力作用于所述掩模的状态下，所述调整部件调整所述掩模支承单元与所述静电吸盘的相对位置。2.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，在所述掩模朝向所述静电吸盘成为凸状时，所述掩模不与吸附于所述静电吸盘的所述基板接触。3.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，所述调整部件使所述掩模支承单元与所述静电吸盘相对地接近。4.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，所述调整部件包括用于驱动所述掩...

【专利技术属性】
技术研发人员：柏仓一史，石井博，神野纮隆，
申请(专利权)人：佳能特机株式会社，
类型：发明
国别省市：