一种真空预清洁装置及形成方法、真空预清洁装置的使用方法制造方法及图纸

一种真空预清洁装置及形成方法、真空预清洁装置的使用方法，真空预清洁装置包括：腔壁，与所述腔壁连接的电源连接结构；载台，所述载台具有承载面，所述载台与所述腔壁固定连接；位于所述载台边缘和所述腔壁之间的挡板，所述挡板分别与所述腔壁和所述载台可拆卸连接；吸附板，所述吸附板包括基板和位于基板表面的若干层复合层，且所述若干层复合层沿垂直于吸附板表面方向重叠，所述吸附板与所述挡板可拆卸连接，且所述吸附板的复合层面朝向所述载台的承载面。所述真空预清洁装置的性能得到改善。

A vacuum pre cleaning device and its forming method, and the use method of the vacuum pre cleaning device

A vacuum pre-cleaning device and a forming method, and a using method of the vacuum pre-cleaning device. The vacuum pre-cleaning device includes: a cavity wall, a power connection structure connected with the cavity wall; a carrier, the carrier having a bearing surface, the carrier and the cavity wall are fixedly connected; a baffle between the edge of the carrier and the cavity wall, the baffle and the cavity wall respectively The adsorption plate includes a base plate and a plurality of composite layers on the surface of the base plate, and the composite layers overlap in a direction perpendicular to the surface of the adsorption plate, the adsorption plate and the baffle plate are detachable and connected, and the composite layer surface of the adsorption plate faces to the bearing surface of the loading platform. The performance of the vacuum pre cleaning device is improved.

【技术实现步骤摘要】
一种真空预清洁装置及形成方法、真空预清洁装置的使用方法
本专利技术涉及真空装置领域，尤其涉及一种真空预清洁装置及其形成方法、真空预清洁装置的使用方法。
技术介绍
光伏产业、半导体、液晶面板产业中经常用到真空预清洁装置来对待处理产品进行表面清洁，以提高待处理产品的表面清洁度，从而保证待处理产品功能的正常。为了保持真空预清洁装置良好的清洁能力，真空预清洁装置需要定期保养，真空预清洁装置中的组件需定时更换和清洁，避免影响真空预清洁装置腔体中的反应环境。然而，现有的对真空预清洁装置的保养方式还有待改善。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种真空预清洁装置及其形成方法、真空预清洁装置的使用方法，以改善真空预清洁装置的性能。为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种真空预清洁装置，包括：腔壁，与所述腔壁连接的电源连接结构；载台，所述载台具有承载面，所述载台与所述腔壁固定连接；位于所述载台边缘和所述腔壁之间的挡板，所述挡板分别与所述腔壁和所述载台可拆卸连接；吸附板，所述吸附板包括基板和位于基板表面的若干层复合层，且所述若干层复合层沿垂直于吸附板表面方向重叠，所述吸附板与所述挡板可拆卸连接，且所述吸附板的复合层面朝向所述载台的承载面。可选的，所述单层复合层包括钝化层和位于钝化层表面的氧化层；所述钝化层到所述基板表面的距离小于所述氧化层到所述基板表面的距离。可选的，所述钝化层的厚度范围为10nm～500nm；所述氧化层的厚度范围为30nm～1×105nm。可选的，所述复合层的堆叠次数大于或等于2。可选的，所述钝化层的材料包括氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅或氧化铝；所述氧化层的材料包括氧化硅。可选的，所述吸附板的厚度范围为1cm～4cm。可选的，所述吸附板的形状包括弧形。相应的，本专利技术技术方案还提供一种形成上述任一真空预清洁装置的方法，包括：提供初始清洁装置，所述初始清洁装置包括：腔壁，与所述腔壁连接的电源连接结构；载台，所述载台具有承载面，所述载台与所述腔壁固定连接；位于所述载台边缘和所述腔壁之间的挡板，所述挡板分别与所述腔壁和所述载台可拆卸连接；基板，所述基板与所述挡板可拆卸连接；在所述基板表面形成若干层复合层，所述若干层复合层面朝向所述载台的承载面。可选的，所述复合层的形成方法包括：在所述基板表面形成钝化层；在所述钝化层表面形成氧化层。可选的，所述钝化层的形成方法包括化学气相沉积工艺或者原子层沉积工艺。可选的，所述氧化层的形成工艺包括化学气相沉积工艺或者原子层沉积工艺。相应的，本专利技术技术方案还提供一种使用上述任一真空预清洁装置的方法，包括：提供上述任一真空预清洁装置；对所述吸附板进行清洁，去除所述吸附板表面的一层复合层。可选的，去除所述复合层的方法包括：去除吸附板表面的氧化层，直至暴露出所述钝化层；去除所述暴露出的钝化层，直至暴露出下一层复合层。可选的，去除所述氧化层的工艺包括湿法刻蚀工艺。可选的，去除所述钝化层的工艺包括湿法刻蚀工艺。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下有益效果：本专利技术技术方案中的真空预清洁装置，所述吸附板包括基板和位于基板表面的若干层复合层，且所述若干层复合层沿垂直于吸附板表面方向重叠，所述复合层选用的材料同时具有较好的吸附能力以及便于清洁的能力，则所述复合层在所述真空预清洁装置中的吸附能力较好，同时在清洗所述吸附板的过程中，所述复合层容易被去除且随着副产物排出，使得吸附板便于清洁。进一步，所述薄膜结构包括钝化层和位于钝化层表面的氧化层，所述氧化层和所述钝化层具有不同的刻蚀选择比，从而在清洁所述吸附板时，所述氧化层和所述钝化层能够相互作为停止层，使得所述吸附板容易被清洗干净，保持良好的形貌。附图说明图1是一实施例的真空预清洁装置的剖面结构示意图；图2至图4是本专利技术实施例的真空预清洁装置形成过程的剖面结构示意图；图5至图6是本专利技术实施例的真空预清洁装置使用过程的剖面结构示意图。具体实施方式如
技术介绍
所述，现有的对真空预清洁装置的保养方式还有待改善。现结合具体的实施例来进行分析说明。图1是一实施例的真空预清洁装置的剖面结构示意图。请参考图1，所述真空预清洁装置包括腔壁100，与所述腔壁100连接的电源连接结构101；载台102，所述载台102与所述腔壁100通过固定杆103连接；挡板104，所述挡板104分别与所述腔壁100和所述载台102固定连接；吸附板105，所述吸附板105与所述挡板104可拆卸连接。在所述真空预清洁装置中，所述载台102用于承载待清洁基片，所述吸附板105用于吸附从所述待清洁基片表面溅射出的副产物颗粒，避免所述副产物颗粒被溅射至真空腔体后，会再次污染所述待清洁基片，同时也会对腔壁100造成污染，不利于工艺制程的稳定。然而，所述吸附板105在吸附一定的颗粒后，吸附板105表面对颗粒的粘附力下降，需清洗后才能再次使用，经过多次清洗后，所述吸附板105表面的粗糙度发生变化，对所述副产物颗粒的吸附能力大幅降低；同时，多次清洗使得所述吸附板105的厚度均匀性变差，形貌发生变化后的所述吸附板105使得所述真空预清洁装置内的反应条件发生了变化，从而对制程的工艺稳定性产生了影响。为了解决上述问题，本专利技术技术方案提供一种真空预清洁装置及其形成方法、真空预清洁装置的使用方法，通过在所述基板表面形成若干层复合层，所述基板和所述若干层复合层形成所述吸附板，所述吸附板便于清洁，且具有良好的吸附能力。为使本专利技术的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。图2至图4是本专利技术实施例的真空预清洁装置形成过程的剖面结构示意图。请参考图2，提供初始清洁装置。所述初始清洁装置包括：腔壁200，与所述腔壁200连接的电源连接结构201；载台202，所述载台202具有承载面，所述载台202与所述腔壁200固定连接；位于所述载台202边缘和所述腔壁200之间的挡板204，所述挡板204分别与所述腔壁200和所述载台202可拆卸连接；基板205，所述基板205与所述挡板204可拆卸连接。所述腔壁200用于形成真空密封腔体，为所述清洁工艺提供反应腔体。所述腔壁200的材料包括金属。在本实施例中，所述腔壁200的材料包括钛合金或铝合金。所述电源连接结构201用于与外部电源电连接，为所述反应腔体内的离子提供电场，使得所述离子按照一定的电场轨迹运动。在本实施例中，所述电源连接结构201包括导电线圈，所述导电线圈与直流电源、中频电源或者射频电源电连接。所述载台202通过连接杆203与所述腔壁200固定连接，所述固定连接的方式为焊接。所述载台202的承载面用于承载所述待清洁基片，以对所述待清洁基片进行清洁反应。所述载台202的材料包括金属。在本实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种真空预清洁装置，其特征在于，包括：/n腔壁，与所述腔壁连接的电源连接结构；/n载台，所述载台具有承载面，所述载台与所述腔壁固定连接；/n位于所述载台边缘和所述腔壁之间的挡板，所述挡板分别与所述腔壁和所述载台可拆卸连接；/n吸附板，所述吸附板包括基板和位于基板表面的若干层复合层，且所述若干层复合层沿垂直于吸附板表面方向重叠，所述吸附板与所述挡板可拆卸连接，且所述吸附板的复合层面朝向所述载台的承载面。/n

【技术特征摘要】
1.一种真空预清洁装置，其特征在于，包括：
腔壁，与所述腔壁连接的电源连接结构；
载台，所述载台具有承载面，所述载台与所述腔壁固定连接；
位于所述载台边缘和所述腔壁之间的挡板，所述挡板分别与所述腔壁和所述载台可拆卸连接；
吸附板，所述吸附板包括基板和位于基板表面的若干层复合层，且所述若干层复合层沿垂直于吸附板表面方向重叠，所述吸附板与所述挡板可拆卸连接，且所述吸附板的复合层面朝向所述载台的承载面。


2.如权利要求1所述的真空预清洁装置，其特征在于，所述单层复合层包括钝化层和位于钝化层表面的氧化层；所述钝化层到所述基板表面的距离小于所述氧化层到所述基板表面的距离。


3.如权利要求2所述的真空预清洁装置，其特征在于，所述钝化层的厚度范围为10nm～500nm；所述氧化层的厚度范围为30nm～1×105nm。


4.如权利要求3所述的真空预清洁装置，其特征在于，所述复合层的堆叠次数大于或等于2。


5.如权利要求2所述的真空预清洁装置，其特征在于，所述钝化层的材料包括氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅或氧化铝；所述氧化层的材料包括氧化硅。


6.如权利要求1所述的真空预清洁装置，其特征在于，所述吸附板的厚度范围为1cm～4cm。


7.如权利要求1所述的真空预清洁装置，其特征在于，所述吸附板的形状包括弧形。


8.一种形成如权利要求1至7任一项真空预清洁装置的方法，其特征在于，包括：
提供初始清洁装置，所述初始清洁装置包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱晓彤，吴明，林宗贤，郭松辉，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32