The invention relates to a plasma etching process and a semiconductor integrated circuit manufacturing process. In the etching process, the use time of the upper DC bias voltage is shortened, and the closing time of the upper DC bias voltage is earlier than the RF power, so that after the closing of the upper DC bias voltage, a strong electric field can still be provided, thereby changing the floating track of particles and reducing the falling of particles On the surface of wafer, avoid defects and improve the yield of wafer.
【技术实现步骤摘要】
等离子体刻蚀工艺
本专利技术涉及半导体集成电路制造工艺,尤其涉及一种等离子体刻蚀工艺。
技术介绍
随着半导体集成电路、集成光路和其它光电子器件向微形化和高密度化方向发展,对刻蚀的工艺要求亦越来越高。从传统的湿法刻蚀到干法刻蚀技术。同时随着技术的发展,在现行先进逻辑芯片生产中,等离子刻蚀已经成为刻蚀工艺的主要方法之一。等离子体源包括带电的离子和中性的原子以及自由基。在刻蚀过程中,等离子体所产生的反应粒子与刻蚀材料进行化学反应,在室温下易形成挥发性的杂质。并且这些挥发性的杂质容易附着在腔体表面,当大量积累时,大颗粒物容易掉落在晶圆(wafer)表面,造成缺陷,进而影响产品良率。因此,如何改进等离子体刻蚀工艺以降低缺陷已成为当务之急。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种等离子体刻蚀工艺,以减少颗粒物掉落在晶圆表面,避免造成缺陷,提高晶圆良率。本专利技术提供的等离子体刻蚀工艺,适用于一等离子体刻蚀机台,所述等离子体刻蚀机台包括产生等离子体的射频电源;静电吸盘,静电吸盘用于放置待刻蚀的晶圆;上部电极;上部直流偏压以及排气装置,该等离子体刻蚀工艺包括:S1:点火,射频电源开启,上部电极产生等离子体,同时上部直流偏压开启;S2:在等离子体刻蚀工艺期间在反应腔体内产生颗粒,颗粒在晶圆上方、上部电极与静电吸盘之间运动;以及S3:先关闭上部直流偏压,然后关闭射频电源,位于上部电极与静电吸盘之间的部分颗粒掉随排气装置排出。更进一步的,静电吸盘是用于晶圆固定和温度控制的重要部件,它通过绝缘 ...
【技术保护点】
1.一种等离子体刻蚀工艺,适用于一等离子体刻蚀机台,所述等离子体刻蚀机台包括产生等离子体的射频电源;静电吸盘,静电吸盘用于放置待刻蚀的晶圆;上部电极;上部直流偏压以及排气装置,其特征在于,等离子体刻蚀工艺包括:/nS1:点火,射频电源开启,上部电极产生等离子体,同时上部直流偏压开启;/nS2:在等离子体刻蚀工艺期间在反应腔体内产生颗粒,颗粒在晶圆上方、上部电极与静电吸盘之间运动;以及/nS3:先关闭上部直流偏压,然后关闭射频电源,位于上部电极与静电吸盘之间的部分颗粒掉随排气装置排出。/n
【技术特征摘要】
1.一种等离子体刻蚀工艺,适用于一等离子体刻蚀机台,所述等离子体刻蚀机台包括产生等离子体的射频电源;静电吸盘,静电吸盘用于放置待刻蚀的晶圆;上部电极;上部直流偏压以及排气装置,其特征在于,等离子体刻蚀工艺包括:
S1:点火,射频电源开启,上部电极产生等离子体,同时上部直流偏压开启;
S2:在等离子体刻蚀工艺期间在反应腔体内产生颗粒,颗粒在晶圆上方、上部电极与静电吸盘之间运动;以及
S3:先关闭上部直流偏压,然后关闭射频电源,位于上部电极与静电吸盘之间的部分颗粒掉随排气装置排出。
2.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀工艺,其特征在于,静电吸盘是用于晶圆固定和温度控制的重要部件,它通过绝缘层产生的静电力吸附固定晶圆,并通过绝缘层槽道中的冷却气体和基座中的循环冷却液使晶圆表面稳定在设定温度。
3.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀工艺,其特征在于,在S1中,在上部电极产生的等离子体源中包括带正电的离子和带负电的离子,上部直流偏压开启后吸引等离子体源中带正电的离子,使带正电的离子与等离子体源中带负电的离子发生撞击。
4.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈敏敏,张年亨,刘克,
申请(专利权)人:上海华力集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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