一种晶圆的研磨控制方法及装置、研磨设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种晶圆的研磨控制方法及装置、研磨设备，可以在设定的研磨参数下控制研磨机进行量产晶圆的研磨，当需要启动测试晶圆的监控时，在设定的研磨参数下控制研磨机进行测试晶圆的研磨，通过专用测量设备可以获得测试晶圆研磨后的第一整体厚度偏差，根据第一整体厚度偏差可以获得更新的研磨参数，以更新的研磨参数作为设定的研磨参数，控制研磨机进行量产晶圆的研磨，从而得到厚度更加均匀的晶圆，从而提高研磨后的晶圆的平整度。

A grinding control method, device and equipment of wafer

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆的研磨控制方法及装置、研磨设备
本专利技术涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种晶圆的研磨控制方法及装置、研磨设备。
技术介绍
晶圆是器件加工的基底，在晶圆正面进行器件加工工艺之后，会需要对该晶圆从背面进行减薄，以便进行其他的背面的工艺。在一个典型的应用中，在完成器件加工工艺之后，利用晶圆级封装技术将不同的晶圆堆叠键合在一起，并从晶圆的背面实现减薄，减薄去除厚度达到晶圆厚度的90％以上，需要通过研磨机(Grinder)实现快速减薄，然而，受到目前研磨设备的工作模式和加工精度的限制，在研磨之后晶圆平整度的误差过大，无法实现平整度符合要求的表面。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种晶圆的研磨控制方法及装置、研磨设备，提高研磨后的晶圆的平整度。为实现上述目的，本专利技术有如下技术方案：本申请实施例提供了一种晶圆的研磨控制方法，所述方法包括：S01，在设定的研磨参数下控制研磨机进行量产晶圆的研磨；S02，当需要启动测试晶圆的监控时，在所述设定的研磨参数下控制所述研磨机进行测试晶圆的研磨；S03，获得更新的研磨参数，并以所述更新的研磨参数作为设定的研磨参数，并返回S01，所述更新的研磨参数通过所述测试晶圆研磨后的第一整体厚度偏差确定，所述测试晶圆的第一整体厚度偏差通过专用测量设备获得。可选的，需要启动测试晶圆的监控的判断方法包括：判断所述量产晶圆的数量是否到达量产周期，若是，则确定需要启动测试晶圆的监控。可选的，所述研磨机还设置有厚度测量装置，在步骤S01中，还包括：利用所述厚度测量装置获得研磨后的量产晶圆的第二整体厚度偏差；则，需要启动测试晶圆的监控的判断方法包括：根据所述量产晶圆的第二整体厚度偏差，判断是否需要启动测试晶圆的监控。可选的，所述根据所述量产晶圆的第二整体厚度偏差，判断是否需要启动测试晶圆的监控，包括：通过所述量产晶圆的第二整体厚度偏差与预设厚度偏差的偏移量，判断是否需要启动测试晶圆的监控。可选的，所述根据所述量产晶圆的第二整体厚度偏差，判断是否需要启动测试晶圆的监控，包括：通过所述量产晶圆的第二整体厚度偏差是否在预设厚度偏差阈值范围内，判断是否需要启动测试晶圆的监控。可选的，所述研磨机的承载台具有第一固定点以及第二可升降点、第三可升降点，研磨参数包括所述第二可升降点和所述第三可升降点的位移参数。可选的，所述更新的研磨参数的确定方法包括：根据预先获得的实验数据，通过所述测试晶圆的第一整体厚度偏差确定更新的研磨参数，所述实验数据包括通过所述专用测量设备获得的晶圆研磨后的第一整体厚度偏差与研磨参数的对应关系。本申请实施例还提供了一种晶圆的研磨控制装置，包括：第一控制单元，用于在设定的研磨参数下控制研磨机进行量产晶圆的研磨；第二控制单元，用于当需要启动测试晶圆的监控时，在所述设定的研磨参数下控制所述研磨机进行测试晶圆的研磨；参数更新单元，用于获得更新的研磨参数，并以所述更新的研磨参数作为设定的研磨参数，所述更新的研磨参数通过所述测试晶圆研磨后的第一整体厚度偏差确定，所述测试晶圆的第一整体厚度偏差通过专用测量设备获得。可选的，所述装置还包括：判断单元，用于判断所述量产晶圆的数量是否到达量产周期，若是，则确定需要启动测试晶圆的监控。可选的，所述研磨机还设置有厚度测量装置，所述装置还包括：厚度信息获取单元，用于利用所述厚度测量装置获得研磨后的量产晶圆的第二整体厚度偏差；判断单元，用于根据所述量产晶圆的第二整体厚度偏差，判断是否需要启动测试晶圆的监控。可选的，所述判断单元具体用于：通过所述量产晶圆的第二整体厚度偏差与预设厚度偏差的偏移量，判断是否需要启动测试晶圆的监控。可选的，所述判断单元具体用于：通过所述量产晶圆的第二整体厚度偏差是否在预设厚度偏差阈值范围内，判断是否需要启动测试晶圆的监控。可选的，所述研磨机的承载台具有第一固定点以及第二可升降点、第三可升降点，研磨参数包括所述第二可升降点和所述第三可升降点的位移参数。可选的，所述装置还包括：参数确定单元，用于根据预先获得的实验数据，通过所述测试晶圆的第一整体厚度偏差确定更新的研磨参数，所述实验数据包括通过所述专用测量设备获得的晶圆研磨后的第一整体厚度偏差与研磨参数的对应关系。本申请实施例还提供了一种研磨设备，包括研磨机和上述的研磨控制装置。本专利技术实施例提供了一种晶圆的研磨控制方法及装置、研磨设备，可以在设定的研磨参数下控制研磨机进行量产晶圆的研磨，当需要启动测试晶圆的监控时，在设定的研磨参数下控制研磨机进行测试晶圆的研磨，通过专用测量设备可以获得测试晶圆研磨后的第一整体厚度偏差，根据第一整体厚度偏差可以获得更新的研磨参数，以更新的研磨参数作为设定的研磨参数，控制研磨机进行量产晶圆的研磨。在本申请实施例中，在需要启动测试晶圆的监控时，可以通过对测试晶圆的监控得到更新的研磨参数，更新的研磨参数是根据在设定的研磨参数下经过研磨的测试晶圆的厚度确定的，因此更新的研磨参数与设定的研磨参数相关，而测试晶圆的厚度是通过专用测量设备获得的，因此厚度信息较为准确，更新的研磨参数是与测试晶圆的厚度相关的，能够针对测试晶圆的厚度缺陷，因此得到的更新的研磨参数也更加准确。因此更新的研磨参数是与设定的研磨参数相关的准确的参数，将原研磨参数调整为更新的研磨参数，在更新的研磨参数下控制研磨机进行量产晶圆的研磨，可以得到厚度更加均匀的晶圆，从而提高研磨后的晶圆的平整度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为本申请实施例提供的一种晶圆的研磨控制方法的流程示意图；图2为本申请实施例中一种晶圆堆叠的结构示意图；图3为本申请实施例中一种减薄后的晶圆堆叠的结构示意图；图4为本申请实施例中一种研磨机的俯视示意图；图5为本申请实施例中一种研磨机的正视示意图；图6为本申请实施例中不同第二升降点的位移参数对应的晶圆的TTV的示意图；图7为本申请实施例中不同第三升降点的位移参数对应的晶圆的TTV的示意图；图8为本申请实施例中的第一TTV的示意图；图9为本申请实施例中的第三TTV的示意图；图10为本申请实施例提供的一种晶圆的研磨控制装置的结构示意图；图11为本申请实施例提供的一种研磨设备的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。其次，本专利技术结合示意图进行详细描述，在详述本专利技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本专利技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。正如
技术介绍
中的描述，在晶圆正面进行器件加工工艺之后，可以对该晶圆从背面进行减薄，以便进行其他的背面的工艺。例如可以利用晶圆级本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆的研磨控制方法，其特征在于，所述方法包括：S01，在设定的研磨参数下控制研磨机进行量产晶圆的研磨；S02，当需要启动测试晶圆的监控时，在所述设定的研磨参数下控制所述研磨机进行测试晶圆的研磨；S03，获得更新的研磨参数，并以所述更新的研磨参数作为设定的研磨参数，并返回S01，所述更新的研磨参数通过所述测试晶圆研磨后的第一整体厚度偏差确定，所述测试晶圆的第一整体厚度偏差通过专用测量设备获得。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的研磨控制方法，其特征在于，所述方法包括：S01，在设定的研磨参数下控制研磨机进行量产晶圆的研磨；S02，当需要启动测试晶圆的监控时，在所述设定的研磨参数下控制所述研磨机进行测试晶圆的研磨；S03，获得更新的研磨参数，并以所述更新的研磨参数作为设定的研磨参数，并返回S01，所述更新的研磨参数通过所述测试晶圆研磨后的第一整体厚度偏差确定，所述测试晶圆的第一整体厚度偏差通过专用测量设备获得。2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，需要启动测试晶圆的监控的判断方法包括：判断所述量产晶圆的数量是否到达量产周期，若是，则确定需要启动测试晶圆的监控。3.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述研磨机还设置有厚度测量装置，在步骤S01中，还包括：利用所述厚度测量装置获得研磨后的量产晶圆的第二整体厚度偏差；则，需要启动测试晶圆的监控的判断方法包括：根据所述量产晶圆的第二整体厚度偏差，判断是否需要启动测试晶圆的监控。4.根据权利要求3所述的控制方法，其特征在于，所述根据所述量产晶圆的第二整体厚度偏差，判断是否需要启动测试晶圆的监控，包括：通过所述量产晶圆的第二整体厚度偏差与预设厚度偏差的偏移量，判断是否需要启动测试晶圆的监控。5.根据权利要求3所述的控制方法，其特征在于，所述根据所述量产晶圆的第二整体厚度偏差，判断是否需要启动测试晶圆的监控，包括：通过所述量产晶圆的第二整体厚度偏差是否在预设厚度偏差阈值范围内，判断是否需要启动测试晶圆的监控。6.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述研磨机的承载台具有第一固定点以及第二可升降点、第三可升降点，研磨参数包括所述第二可升降点和所述第三可升降点的位移参数。7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述更新的研磨参数的确定方法包括：根据预先获得的实验数据，通过所述测试晶圆的第一整体厚度偏差确定更新的研磨参数，所述实验数据包括通过所述专用测量设备获得的晶圆研磨后的第一整体厚度偏差与研磨...

【专利技术属性】
技术研发人员：易洪昇，张志军，杨一凡，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42