本发明专利技术提供了一种存储器装置和包括该存储器装置的存储器系统。该存储器装置可包括：存储块，包括多个存储器单元；外围电路，对存储器单元执行选择性擦除操作；以及控制逻辑，在选择性擦除操作期间，控制外围电路以将擦除允许电压施加到存储块中的多个字线之中的所选择字线，将擦除电压施加到存储块中的多个串之中的所选择串，并且浮置未选择字线和未选择串。
Memory devices and memory systems with memory devices
【技术实现步骤摘要】
存储器装置和具有存储器装置的存储器系统相关申请的交叉引用本申请要求于2018年3月16日提交的申请号为10-2018-0031089的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本公开的各个实施例总体涉及一种存储器装置和具有存储器装置的存储器系统。特别地，实施例涉及一种能够选择性擦除存储器单元的存储器装置和具有这种存储器装置的存储器系统。
技术介绍
存储器系统可包括存储器装置和存储器控制器。存储器装置可在存储器控制器的控制下存储数据或输出存储的数据。例如，存储器装置被实施为当断电时其中存储的数据丢失的易失性存储器装置，或者被实施为即使在中断电源时也可保留其中存储的数据的非易失性存储器装置。存储器控制器可控制主机和存储器装置之间的数据通信。主机可使用诸如以下的接口协议与存储器系统进行通信：高速外围组件互连(PCI-e或PCIe)协议、高级技术附件(ATA)协议、串行ATA(SATA)协议、并行ATA(PATA)协议或串列SCSI(SAS)协议。主机和存储器系统之间的接口协议不限于上述示例。例如，主机也可使用诸如以下的各种接口来与存储器系统进行通信：通用串行总线(USB)、多媒体卡(MMC)、增强型小型磁盘接口(ESDI)和电子集成驱动器(IDE)。
技术实现思路
本公开的各个实施例涉及一种能够选择性擦除存储器单元的存储器装置以及具有该存储器装置的存储器系统。本公开的实施例可提供一种存储器装置，该存储器装置包括：存储块，包括多个存储器单元；外围电路，对存储器单元执行选择性擦除操作；以及控制逻辑，在选择性擦除操作期间控制外围电路以将擦除允许电压施加到多个字线之中的所选择字线并浮置未选择字线。在实施例中，存储块可包括联接在位线和源极线之间的多个串，并且串中的每一个可包括漏极选择晶体管、多个存储器单元和源极选择晶体管。在实施例中，可将正电压施加到源极线，并且可将擦除电压施加到位线。本公开的实施例可提供一种存储器装置，该存储器装置包括：存储块，包括多个存储器单元；外围电路，对存储器单元执行选择性擦除操作；以及控制逻辑，在选择性擦除操作期间，控制外围电路以将擦除电压施加到存储块中的多个串之中的所选择串并浮置未选择串。本公开的实施例可提供一种存储器装置，该存储器装置包括：存储块，包括多个存储器单元；外围电路，对存储器单元执行选择性擦除操作；以及控制逻辑，在选择性擦除操作期间，控制外围电路将擦除允许电压施加到存储块中的多个字线之中的所选择字线，将擦除电压施加到存储块中的多个串之中的所选择串，并且浮置未选择字线和未选择串。本公开的实施例可提供一种存储器系统，包括：存储器装置，包括存储块；以及存储器控制器，输出对存储块中的多个存储器单元之中的所选择存储器单元的选择擦除命令和所选择存储器单元的地址，其中存储器装置根据选择擦除命令和地址执行选择性擦除操作，并且通过浮置存储块中的所有字线和串之中的一些字线和串来禁止擦除未选择存储器单元。本公开的实施例可提供一种存储器系统，包括：存储器控制器，输出选择擦除信息；以及存储器装置，包括多个存储块，存储块中的每一个包括多个电路区域，该存储器装置接收选择擦除信息，并且基于选择擦除信息，通过将设置电压施加到至少一个存储块的多个电路区域之中的所选择电路区域并浮置多个电路区域之中的至少一个未选择电路区域的电压，对多个存储块之中的至少一个存储块执行选择性擦除操作。在实施例中，选择擦除信息可包括选择擦除命令和所选择电路区域的地址。在实施例中，多个电路区域可包括多个串、多个字线和多个存储器单元中的至少一个。附图说明图1是示出根据本公开的实施例的存储器系统的示图。图2是示出根据本公开的实施例的存储器控制器的示图。图3是示出根据本公开的实施例的存储器装置的示图。图4是示出根据本公开的实施例的具有三维结构的存储块的示图。图5是示出根据本公开的实施例的具有三维结构的存储块的示图。图6是描述根据本公开的实施例的操作存储器装置的方法的流程图。图7是示出根据本公开的实施例的存储器单元的阈值电压分布的示图。图8是示出根据本公开的实施例的选择性擦除操作的示图。图9是示出根据本公开的实施例的选择性擦除操作的示图。图10是示出根据本公开的实施例的选择性擦除操作的示图。图11是示出根据本公开的实施例的在已经执行选择性擦除操作之后存储器单元的阈值电压分布的示图。图12是示出包括根据本公开的实施例的存储器控制器的存储器系统的示图。图13是示出包括根据本公开的实施例的存储器控制器的存储器系统的示图。图14是示出包括根据本公开的实施例的存储器控制器的存储器系统的示图。图15是示出包括根据本公开的实施例的存储器控制器的存储器系统的示图。具体实施方式将结合附图在各个实施例的上下文中详细描述本公开的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法。然而，本公开的元件和特征可不同于本文所公开的元件和特征来进行配置或布置。因此，本专利技术不限于以下实施例。相反，提供这些实施例以使本公开彻底且完整，并且将本公开充分地传达给本领域技术人员。进一步注意的是，在整个说明书中，对“实施例”、“另一实施例”等的参考不一定仅针对一个实施例，并且对任何这种短语的不同参考不一定针对相同的实施例。还应注意的是，在本说明书中，“连接/联接”不仅指一个部件直接地联接另一部件，而且还指通过一个或多个中间部件间接地联接另一部件。在本说明书中，当元件被称为“包括”或“包含”一个部件时，除非上下文另有明确说明，否则这并不排除存在或添加一个或多个其它部件，而是可进一步包括这些其它的部件。将参照附图描述本公开的各个实施例。图1是示出根据本公开的实施例的存储器系统2000的示图。参照图1，存储器系统2000可包括存储数据的存储器装置2200，以及在主机1000的控制下控制存储器装置2200的存储器控制器2100。主机1000可使用诸如以下的接口协议与存储器系统2000进行通信：高速外围组件互连(PCI-e或PCIe)协议、高级技术附件(ATA)协议、串行ATA(SATA)协议、并行ATA(PATA)协议或串列SCSI(SAS)协议。主机1000与存储器系统2000之间的接口协议不限于上述示例；可选地，可使用诸如通用串行总线(USB)、多媒体卡(MMC)、增强型小型磁盘接口(ESDI)或电子集成驱动器(IDE)等其它接口协议中的一种。存储器控制器2100可控制存储器系统2000的全部操作，并且控制主机1000与存储器装置2200之间的数据交换。更具体地，存储器控制器2100可转换接收的信息并存储或输出转换的信息，使得命令、地址和数据可在主机1000和存储器装置2200之间传输。例如，在编程操作期间，存储器控制器2100可将命令、地址和数据传输到存储器装置2200。存储器控制器2100可控制存储器装置2200以对包括在存储器装置2200的存储块中的存储器单元执行选择性擦除操作。例如，为了对存储块中的存储器单元中待被擦除的一个或多个目标单元执行擦除操作，存储器控制器2100可将选择擦除命令和待被擦除的目标单元的地址传输到存储器装置2200。待被擦除的目标单元可以是包括在存储块中的存储器单元中的至少一个。在一个实施例中，包括在所选择页面中的所有或一些存储器单元可以是待被擦除的目标单元本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，包括：存储块，包括多个存储器单元；外围电路，对所述存储器单元执行选择性擦除操作；以及控制逻辑，在所述选择性擦除操作期间控制所述外围电路以将擦除电压施加到所述存储块中的多个串中的所选择串，并且浮置未选择串。
【技术特征摘要】
2018.03.16 KR 10-2018-00310891.一种存储器装置，包括：存储块，包括多个存储器单元；外围电路，对所述存储器单元执行选择性擦除操作；以及控制逻辑，在所述选择性擦除操作期间控制所述外围电路以将擦除电压施加到所述存储块中的多个串中的所选择串，并且浮置未选择串。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储块包括位线和源极线，所述多个串联接在所述位线和所述源极线之间，并且其中所述串中的每一个包括漏极选择晶体管、多个存储器单元以及源极选择晶体管。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中正电压被施加到所述源极线，擦除电压被施加到所述位线中的所选择位线，并且浮置电压被施加到未选择位线。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中在所述存储块中的所有所述源极选择晶体管都被关断并且所述存储块中的所有所述漏极选择晶体管都被导通之后，所述未选择串中的漏极选择晶体管通过所述浮置电压被关断。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中擦除允许电压被施加到所述存储块中的所有字线。6.一种存储器装置，包括：存储块，包括多个存储器单元；外围电路，对所述存储器单元执行选择性擦除操作；以及控制逻辑，在所述选择性擦除操作期间，控制所述外围电路以将擦除允许电压施加到所述存储块中的多个字线之中的所选择字线，将擦除电压施加到所述存储块中的多个串之中的所选择串，并且浮置未选择字线和未选择串。7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述存储块包括位线和源极线，所述多个串联接在所述位线和所述源极线之间，其中所述串中的每一个包括漏极选择晶体管、多个存储器单元以及源极选择晶体管。8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中正电压被施加到所述源极线，并且浮置电压被施加到所述位线之中的未选择位线。9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中在所述存储块中的所有所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪志满，金台勋，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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