【技术实现步骤摘要】
本公开的各种实施方式总体上涉及存储器装置及制造存储器装置的方法，并且更具体地，涉及三维存储器装置及制造三维存储器装置的方法。
技术介绍
1、存储器装置可以分类为当供电中断时所存储的数据消失的易失性存储器装置和即使供电中断也保留所存储的数据的非易失性存储器装置。
2、非易失性存储器装置可以包括nand闪存、nor闪存、电阻式随机存取存储器(reram)、相变随机存取存储器(pram)、磁阻式随机存取存储器(mram)、铁电式随机存取存储器(fram)、自旋转移力矩随机存取存储器(stt-ram)等。
3、存储器装置连同被配置为控制存储器装置的控制器可以构成存储器系统。存储器装置可以包括被配置为存储数据的存储器单元阵列和被配置为响应于从控制器发送的命令而执行编程操作、读取操作或擦除操作的外围电路。
4、已经寻求各种方法来使制造存储器装置时发生的各种缺陷最小化。
技术实现思路
1、在本公开的实施方式中，一种存储器装置包括：源极结构，其包括沿着彼此交叉的第一方向...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括第一支撑结构，所述第一支撑结构设置在所述源极结构上方，所述第一支撑结构具有与所述源极结构的所述凹部相对应的第一支撑部分以及与所述源极结构的所述突出部相对应的第二支撑部分，
3.根据权利要求2所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：
4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述第一支撑结构和所述第二支撑结构包括绝缘材料。
5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述源极结构包括第一源极结构和第二源极结构，并且
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【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括第一支撑结构，所述第一支撑结构设置在所述源极结构上方，所述第一支撑结构具有与所述源极结构的所述凹部相对应的第一支撑部分以及与所述源极结构的所述突出部相对应的第二支撑部分，
3.根据权利要求2所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：
4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述第一支撑结构和所述第二支撑结构包括绝缘材料。
5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述源极结构包括第一源极结构和第二源极结构，并且
6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，在所述第一源极结构和所述第二源极结构之间设置有围绕所述接触插塞的绝缘图案。
7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述绝缘图案具有：
8.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括外围电路，所述外围电路设置在所述源极结构下方，所述外围电路电连接到所述接触插塞。
9.一种存储器装置，所述存储器装置包括：
10.根据权利要求9所述的存储器装置，所述存储器装置还包括外围电路，所述外围电路设置在所述源极结构下方，
【专利技术属性】
技术研发人员：郑蕙英，金在泽，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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