【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种半导体元件。更具体地，本专利技术是有关于非挥发性存储器元件及其制造方法。
技术介绍
1、由于非挥发性存储器(non-volatile memory)可例如重复施行储存、读取和抹除数据等操作，且在关闭非挥发性存储器后，储存的数据不会遗失，因此非挥发性存储器已被广泛应用于个人电脑和电子设备中。
2、现有非挥发性存储器的结构具有堆叠闸极结构，包括依次设置在衬底上的穿隧氧化层(tunneling oxide layer)、浮置闸极(floating gate)、耦合介电层(couplingdielectric layer)和控制闸极(control gate)。当对这种快闪存储器元件施行编程或抹除操作时，适当的电压会被分别施加到源极区域、汲极区域和控制闸极，使得电子被注入到浮置闸极中，或者使得电子自浮置闸极中被拉出。
3、在非挥发性存储器的编程和抹除操作中，浮置闸极和控制闸极之间较大的闸极耦合比(gate-coupling ratio，gcr)通常代表着操作时所需的操作电压较低，因此显著提高了快闪存...
【技术保护点】
1.一种非挥发性存储器元件，包括至少一个存储器单元，其特征在于，其中该至少一个存储器单元包括：
2.如权利要求1所述的非挥发性存储器元件，其特征在于，该浮置闸极的该复数个顶缘高于该选择闸极的一顶表面。
3.如权利要求1所述的非挥发性存储器元件，其特征在于，该浮置闸极进一步包括彼此相对设置的两个侧壁，且该两个侧壁的每一个均被该选择闸极部分覆盖。
4.如权利要求3所述的非挥发性存储器元件，其特征在于，进一步包括一介电间隙壁，位于该两个侧壁的其中一个与该选择闸极之间。
5.如权利要求1所述的非挥发性存储器元件，其特征在于，进一...
【技术特征摘要】
1.一种非挥发性存储器元件，包括至少一个存储器单元，其特征在于，其中该至少一个存储器单元包括：
2.如权利要求1所述的非挥发性存储器元件，其特征在于，该浮置闸极的该复数个顶缘高于该选择闸极的一顶表面。
3.如权利要求1所述的非挥发性存储器元件，其特征在于，该浮置闸极进一步包括彼此相对设置的两个侧壁，且该两个侧壁的每一个均被该选择闸极部分覆盖。
4.如权利要求3所述的非挥发性存储器元件，其特征在于，进一步包括一介电间隙壁，位于该两个侧壁的其中一个与该选择闸极之间。
5.如权利要求1所述的非挥发性存储器元件，其特征在于，进一步包括一闸极间介电层，由一自上而下的视角观察，其围绕该浮置闸极，其中该闸极间介电层的一顶表面低于该复数个顶缘。
6.如权利要求5所述的非挥发性存储器元件，其特征在于，该闸极间介电层覆盖该选择闸极的一顶表面以及该控制闸极的一顶表面。
7.如权利要求5所述的非挥发性存储器元件，其特征在于，进一步包括一抹除闸极介电层，设置于该闸极间介电层上，并覆盖该选择闸极的该顶表面以及该控制闸极的该顶表面。
8.如权利要求1所述的非挥发性存储器元件，其特征在于，该浮置闸极的该顶表面进一步包括一比该复数个顶缘低的中心区域。
9.如权利要求8所述的非挥发性存储器元件，其特征在于，该浮置闸极包括复数个顶部尖端，由一自上而下的视角观察，其围绕该浮置闸极的该顶表面的该中心区域。
10.如权利要求9所述的非挥发性存储器元件，其特征在于，由一自上而下的视角观察，该浮置闸极盖层的最下部被该浮置闸极的该复数个顶部尖端围绕。
11.如权利要求8所述的非挥发性存储器元件，其特征在于，该复数个顶缘包括：
12.如权利要求1所述的非挥发性存储器元件，其特征在于，该至少一个存储器单元包括一第一存储器单元与一第二存储器单元，该第一存储器单元与该第二存储器单元的每一个均包括该选择闸极、该浮置闸极以及该浮置闸极盖层，且该非挥发性存储器元件进一步包括一源极区以及该第一存储器单元与该第二存储器单元共用的该控制闸极，且该源极区被该抹除闸极覆盖。
13.如权利要求12所述的非挥发性存储器元件，其特征在于，该第一存储器单元与该第二存储器单元具有彼此的镜像。
14.如权利要求12所述的非挥发性存储器元件，其特征在于，该控制闸极被该抹除闸极覆...
【专利技术属性】
技术研发人员：范德慈，黄义欣，郑宗文，郑育明，
申请(专利权)人：物联记忆体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。