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本发明公开一种非挥发性存储器元件及其制造方法，该非挥发性存储器元件包括至少一存储器单元，该存储器单元包括一衬底、一选择闸极、一浮置闸极、一浮置闸极盖层和一抹除闸极。该选择闸极设置在该衬底上。该浮置闸极设置在该衬底上，并与该选择闸极侧向隔开，...
该专利属于物联记忆体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过物联记忆体科技股份有限公司授权不得商用。

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