【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件，具体地，涉及一种包括器件隔离图案的半导体器件。
技术介绍
1、由于半导体器件的尺寸小、功能多和/或成本低特性，半导体器件正在被视为电子行业中的重要元件。半导体器件被分类为用于存储数据的半导体存储器件、用于处理数据的半导体逻辑器件以及包括存储器和逻辑元件二者的混合半导体器件。
2、由于最近增加的对具有快速度和/或低功耗的电子装置的需求，半导体器件需要快的工作速度和/或低的工作电压。因此，有必要提高半导体器件的集成密度。随着半导体器件的集成密度提高，在制造半导体器件的工艺中，工艺故障会增加。因此，为了减少制造工艺中的工艺故障，进行了许多研究。
技术实现思路
1、根据实施例，一种半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括单元有源区域；字线，所述字线位于所述单元有源区域上；位线，所述位线电连接到所述单元有源区域；连接结构，所述连接结构位于所述字线中；以及字线接触插塞，所述字线接触插塞与所述连接结构接触。所述字线可以包括栅电极，并且所述连接结构可以设置在所述栅电极上。所...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述连接结构的顶表面的水平高度高于所述栅电极的顶表面的水平高度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述衬底上的边界器件隔离图案，
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述字线接触插塞的底表面的水平高度低于所述栅极中间图案的顶表面的水平高度并且高于所述栅电极的顶表面的水平高度。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中：
6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中：
7.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述连接结构的顶表面的水平高度高于所述栅电极的顶表面的水平高度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述衬底上的边界器件隔离图案，
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述字线接触插塞的底表面的水平高度低于所述栅极中间图案的顶表面的水平高度并且高于所述栅电极的顶表面的水平高度。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中：
6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中：
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述连接结构的晶格常数不同于所述栅电极的晶格常数。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极和所述连接结构被设置为具有限定在所述栅电极与所述连接结构之间的界面。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述衬底上的单元有源图案和限定所述单元有源图案的边界器件隔离图案，所述连接结构与所述单元有源图案不交叠。
11.一种半导体器件，所述半导体器件包括：<...
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